【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体晶片的检测位点处的检测体积的三维电路图案检测方法，更具体地，涉及一种用于确定具有提高产率的半导体晶片的检测体积中的3d对象(诸如har结构)的参数的方法、计算机程序产品和对应的半导体检测装置。该方法利用对检测体积中的适当横截面表面的减少的数量或面积进行磨削(mill)和成像，并从该横截面表面图像和先验信息确定该3d对象的检测参数。该方法、计算机程序产品和装置可以用于半导体晶片内集成电路的定量计量、缺陷探测、制程监控、缺陷再检测(review)和检测。
技术介绍
1、半导体结构是最佳的人造结构之一，并遭受不同瑕疵。用于定量3d计量、缺陷探测、或缺陷再检测的装置正在寻找这些瑕疵。所制造的半导体结构基于先验知识。该半导体结构由平行于基板的一系列层制造。例如，在逻辑类型样本中，金属线在金属层或har(高纵横比，high aspect ratio)结构中平行行进，且金属贯孔垂直于该金属层行进。不同层中的金属线之间的角度是0°或90°。另一方面，对于vnand型结构，已知其横截面通常为圆形。
2、半导体晶片具有3...
【技术保护点】
1.一种确定第一组L个参数的方法，所述第一组L个参数描述半导体晶片的检测体积内的第一群组重复三维结构，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一角度和所述第二角度相对于所述半导体晶片的表面在15°至60°之间。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一角度与所述第二角度相差超过5°。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述横截面图像切片的数量J为J<20、优选为J<10、甚至更优选为J＝3或J＝2。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中确定至少第一组测量横截面值v1…v...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种确定第一组l个参数的方法，所述第一组l个参数描述半导体晶片的检测体积内的第一群组重复三维结构，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一角度和所述第二角度相对于所述半导体晶片的表面在15°至60°之间。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一角度与所述第二角度相差超过5°。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述横截面图像切片的数量j为j<20、优选为j<10、甚至更优选为j＝3或j＝2。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中确定至少第一组测量横截面值v1…vn的步骤包括对所述第一组测量横截面值v1…vn中的每一者的所述深度或z定位进行所述确定。
6.根据权利要求5所述的方法，其中在半导体晶片的所述检测体积内的已知深度的第二特征处进行所述深度确定。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述系列j个横截面图像切片的数量j个和间隔以及所述第一角度和/或第二角度被调整，使得在z定位的每个预定区间中，确定所述第一组测量横截面值v1…vn的至少两个横截面值。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中获得一系列j个横截面图像切片的所述步骤a)包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述确定所述系列z定位是基于用于确定所述第一多个m个(har)结构的所述第一组l个参数p1,…pl的z定位的预定最小取样率。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中在确定多个初始参考值vref(i＝1…m)的步骤中，使用关于所述半导体晶片的所述检测体积内的第一多个m个高纵横比(har)结构的预定参考值。
11.根据权利要求8至10中任一项所述的方法，进一步包括以下步骤：从由利用具有切片数量r>10×j、优选为r>1000的多个r个横截面图像切片的切片和成像所获得的代表性晶片的代表性检测体积的3d体积图像，确定z定位的预定顺序、或z定位的预定取样率、和/或预定参考值。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，进一步包括以下步骤：
13.根据权利要求1至12中任一项所述的方法，其中所述系列j个横截面图像切片包括贯穿所述检测体积的呈所述第二角度的至少一个第三横截面图像切片，其中所述第二角度大于所述第一角度。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的方法，进一步包括以下步骤：利用预定缩放参数缩放所述第一组测量横截面值v1…vn的测量横截面值。
15.根据权利要求14所述的方法，其中根据获得所述测量横截面值的所述横截面图像切片的角度选择所述预定缩放参数。
16.根据权利要求14所述的方法，其中根据所述测量横截面值的所述深度选择所述预定缩放参数。
17.根据权利要求1至16中任一项所述的方法，其中所述组参数p1,…pl描述检测体积内的所述第一群组重复三维结构的平均三维结构的倾斜度、曲率、振荡频率、振荡幅度、功率幅度中至少一者...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·克洛奇科夫，J·T·纽曼，T·科布，E·福卡，A·阿维沙伊，A·巴克斯鲍姆，
申请(专利权)人：卡尔蔡司SMT有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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