用于掩模修复的方法和设备技术

本发明专利技术有关用于处理光刻物体的方法、设备及计算机程序。更具体而言，本发明专利技术有关一种用于去除材料的方法、一种对应的设备及一种用于晶片光刻处理的方法、以及一种用于执行所述方法的计算机程序。用于处理光刻物体的方法例如包含：提供含有第一分子的第一气体；在该物体的工作区域中提供粒子束，用于至少部分基于该第一气体去除该工作区域中的第一材料，其中该第一材料包含钌。第一材料包含钌。第一材料包含钌。

【技术实现步骤摘要】
用于掩模修复的方法和设备
[0001]本专利申请案主张于2022年3月22日向德国专利商标局申请的第DE 102022202803.1号且标题名称为“Verfahren und Vorrichtung zur Maskenreparatur”的德国专利申请案的优先权。德国专利申请案第DE 102022202803.1号的全部内容通过引用并入本专利申请案。本专利申请主张于2022年10月4日向德国专利商标局申请的第DE 102022210492.7号且标题名称为“Verfahren und Vorrichtung zur Maskenreparatur”的德国专利申请案的优先权。德国专利申请案第DE 102022210492.7号的全部内容通过引用并入本专利申请案。


[0002]本专利技术有关用于处理光刻物体的方法、设备以及计算机程序。更具体而言，本专利技术有关一种用于去除材料的方法、一种对应的设备以及一种用于晶片光刻处理的方法、以及一种用于执行所述方法的计算机程序。

技术介绍

[0003]在半导体工业中，为了确保集成密度的增加，在晶片上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于处理光刻物体的方法，包含：提供含有第一分子的第一气体；在该物体的工作区域中提供粒子束，用于至少部分基于该第一气体去除该工作区域中的第一材料，其中该第一材料包含钌。2.如权利要求1所述的方法，其中该工作区域中的该第一材料被完全去除。3.如权利要求1或2所述的方法，其中该第一材料能够吸收与该物体相关的辐射。4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中该第一材料对应于该物体的图案元件中的一层材料。5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中该第一材料更包含至少第二元素。6.如权利要求5所述的方法，其中该第二元素包含以下中的至少一者：金属、半导体。7.如权利要求5或6所述的方法，其中该第二元素包含以下中的至少一者：钽、铬、氮、氧。8.如权利要求5至7中任一项所述的方法，其中该钌与该第二元素形成一化合物。9.如权利要求1至8中任一项所述的方法，其中该方法以以下方式实现，通过该去除，使邻接该第一材料的第二材料至少部分暴露在该工作区域中。10.如权利要求9所述的方法，其中该第一材料与该第二材料的至少一个元素不同。11.如权利要求9或10所述的方法，其中该第二材料包含钽和/或钽化合物。12.如权利要求9至11中任一项所述的方法，其中该方法更包含去除该工作区域中的该第二材料。13.如权利要求12所述的方法，其中该方法以以下方式实现，通过该第二材料的该去除，使邻接该第二材料的第三材料至少部分暴露在该工作区域中。14.如权利要求13所述的方法，其中该第三材料包含钌。15.如权利要求13或14所述的方法，其中该第一材料与该第三材料包含相同的元素。16.如权利要求13至15中任一项所述的方法，其中该第二材料和/或该第三材料对应于图案元件层材料和/或对应于该物体的反射层堆叠体的覆盖层的材料。17.如权利要求1至16中任一项所述的方法，其中该第一分子包含卤素原子。18.如权利要求1至17中任一项所述的方法，其中该第一分子包含惰性气体卤化物。19.如权利要求18所述的方法，其中该惰性气体卤...

【专利技术属性】
技术研发人员：C，
申请(专利权)人：卡尔蔡司SMT有限责任公司，
类型：发明
国别省市：