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卡尔蔡司SMT有限责任公司专利技术
卡尔蔡司SMT有限责任公司共有751项专利
EUV辐射源及其源室的插入件、EUV辐射源模块制造技术
本公开涉及一种用于EUV辐射源(1)的源室(2)的插入件(11),具有压力段(12)和与其间隔开的光阑(13)。本公开还涉及一种EUV辐射源和一种EUV辐射源模块。一种EUV辐射源模块。一种EUV辐射源模块。
特别是在微光刻投射曝光设备中的组件制造技术
本发明关于组件,特别是在微光刻投射曝光设备中。根据一个方面,该组件包括光学元件(120)以及接头配置,所述接头配置用于机械承载该光学元件(120),其中该接头配置包括固定在该光学元件(120)上的至少一个连接元件(110、210、310...
用于分面镜的分面组件制造技术
一种分面组件(26)是用于投射光刻的照明光学单元的分面镜的组成部分。该分面组件(26)具有一用于反射照明光的反射面(27)的分面(7)。该分面组件(26)的一分面主体(28)具有至少一个中空腔(29)。该中空腔(29)的一反射面腔壁形成...
确定光学系统在被照明光照明时的成像质量的方法技术方案
为了确定光学系统(13)在被待测量的入射光瞳或出射光瞳(11)内的照明光(1)照明时的成像质量,测试结构(5)最初被布置在光学系统(13)的物平面(4)中,并且指定用于用照明光(1)照明测试结构(5)的照明角度分布。在测试结构(5)的不...
驱动装置、光学系统和光刻设备制造方法及图纸
一种用于驱动电容致动器(200)的驱动装置(100),电容致动器(200)用于致动光学系统(300)的光学元件(310),该驱动装置(100)包括:用于施加驱动电压(UDC
驱动装置、光学系统与光刻设备制造方法及图纸
一种用于驱动光学系统(300)的致动器(200)的驱动装置(100),其包含:开关放大器(110),用于根据调制信号以产生放大信号(aPWM);滤波器单元(120),其连接在致动器(200)与开关放大器(110)之间,并具有至少一个电感...
测试表面粒子污染的粒子测试系统、采样条、投射曝光设备和方法技术方案
本发明涉及用于测试表面(2)上的粒子污染的粒子测试系统(1),包括用于接收粒子(5)的采样带(7)和采样装置(3)。采样装置(3)包括辊体(9),该辊体(9)设置成在辊体的外表面(10)上引导采样带(7)。采样装置(3)被设计用于将辊体...
由光瞳内的照明光照明时光学系统的成像质量的确定方法技术方案
为了确定光学系统的、在由光学系统的待测量光瞳内的照明光照明时的成像质量和/或为了确定测试结构的相位效应,在光学系统的物平面中初始地布置在至少一个维度中周期性的测试结构。指定用于用初始光瞳区域照明测试结构的初始照明角度分布,初始光瞳区域的...
用于分析微光刻微结构部件的图像的方法和设备技术
本发明涉及一种用于分析微光刻微结构部件的图像的方法和设备,其中,在图像中,多个像素中的每一个在各个情况下被分配强度值。根据本发明的方法包括以下步骤:分离图像中的多个边缘片段(步骤S130);将所分离的边缘片段中的每一个分类为相关边缘片段...
检查用于EUV光刻的掩模的系统与方法技术方案
在检查用于EUV光刻的掩模期间提供基于机器学习的潜在掩模缺陷预分类。器学习的潜在掩模缺陷预分类。器学习的潜在掩模缺陷预分类。
光学系统和光刻设备技术方案
一种光学系统(200)包括至少一个反射镜(210)以及至少一个致动器装置(220),该反射镜(210)具有反射镜主体(212)和反射镜表面(214),该至少一个致动器装置(220)耦合到反射镜主体(212)且用于使反射镜表面(214)变...
干涉形状测量的测量设备制造技术
本发明涉及用于测试物(14
半导体光刻的掩模的检验装置和方法制造方法及图纸
本发明涉及一种半导体光刻的掩模(8)的检验装置(4),其包括成像掩模(8)的成像装置(9)和图像记录装置(10),其中展示用于成像的照明辐射(6)的至少一个子范围的色散行为的一个或多个校正主体(21、21
晶片中检查体积的截面成像方法技术
本发明涉及一种双光束设备和三维电路图案检查技术,通过对半导体晶片表面以下超过1μm的大深度延伸的检查体积进行截面测量,并且更具体地,涉及一种方法、计算机程序产品和装置,用于在不从晶片移除样品的情况下生成晶片内部的深检查体积的3D体积图像...
光瞳光阑、照明光学单元和计量系统技术方案
用于计量系统的照明光学单元的光瞳光阑(7),所述计量系统用于确定待测量的物体的空间像,作为在照明和成像条件下的照明和成像的结果,该照明和成像条件对应于光学生产系统的照明和成像条件。光瞳光阑(7)具有两个极通道开口(10,11),用于指定...
修补掩膜缺陷的方法、设备、与计算机程序技术
本发明公开一种修补平版印刷掩膜缺陷、特别是修补EUV掩膜的缺陷的方法、设备和计算机机程序。修补平版印刷掩膜(特别是EUV掩膜)缺陷的方法包含以下的步骤:(a.)以第一修补剂量对缺陷执行第一修补步骤,使该缺陷从初始拓扑转变成第一缺陷拓扑;...
干涉式测量方法和干涉式测量布置技术
在用于干涉式测量测试物体的表面的形状的测量方法中,提供了具有不同波长的两个输入波。对于输入波的每一个,通过在衍射式光学元件处衍射,产生测试波和参考波,该测试波指引至测试物体处并且具有至少部分适配于光学表面的期望形状的波前,该参考波指引至...
具有用于确定原子氢浓度的装置的投射曝光设备制造方法及图纸
本发明涉及一种半导体光刻的投射曝光设备(1),包括用于确定光学元件(25、25.1)的区域中等离子体(29)中原子氢浓度的装置,其中该装置包括传感器(32、32.1、32.2、32.3、32.4)。在这种情况下,该装置包括布置在等离子体...
具有热操纵器的投射曝光设备制造技术
一种微光刻投射曝光设备(10、80)包括用于通过曝光辐射(18)将掩模(12)的结构投射到基板平面(30)中的投射镜头(26),其中投射镜头(26)的至少一个光学元件(38、40、82)配备有操纵器(M4、M5),该操纵器被配置用于将热...
控制装置、控制系统、用于操作控制系统的方法制造方法及图纸
一种用于激光器模块(20、21)的频率控制的控制系统(19、29、33、58),包括用于生成激光辐射的至少一个激光器模块(20、21)、耦合或可耦合到激光器模块(20、21)的至少一个控制装置(1),以及耦合或可耦合到控制装置(1)的至...
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