用于制造极紫外波长范围的反射光学元件的工艺以及反射光学元件制造技术

用于制造极紫外光波长范围的反射光学元件，在基板上具有多层系统形式的反射涂层，其中该多层系统具有至少两个不同材料的相互交替层，所述不同材料在极紫外波长范围内的波长处具有不同的折射率实部，其中所述至少两个材料之一的层与随着与该基板的距离增加而配置在相同材料的前一层与最接近层之间的一层或多层一起形成堆叠体，建议于其沉积期间或之后抛光至少一层，使得在生成的反射光学元件中，所有层上的粗糙度与在具有由多个未抛光层所构成的多层系统形式的反射涂层的相对应反射光学元件中的粗糙度相比不显著地增加，并且50个以上的堆叠体被应用。更佳者，选择该层厚度，使得至少一个堆叠体中的至少两个材料之一的层的厚度与(多个)相邻堆叠体中的该材料的层的厚度相差超过10％。如此所生成的反射光学元件具有提高的反射率。件具有提高的反射率。件具有提高的反射率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造极紫外波长范围的反射光学元件的工艺以及反射光学元件


[0001]本专利技术关于一种制造用于极紫外波长范围的反射光学元件的方法，其在基板上具有多层系统形式的反射涂层，其中该多层系统具有至少两个不同材料的相互交替层，所述不同材料在极紫外波长范围内的波长处具有不同的折射率实部，其中所述至少两个材料之一的层与随着与该基板的距离增加而配置在相同材料的前一层与最接近层之间的一层或多层一起形成堆叠体；并有关一种由该方法所生成的反射光学元件。本申请案主张2021年3月15日的德国专利申请案第10 2021 202 483.1号的优先权，其揭露内容在此以引用方式全部并入本文供参考。

技术介绍

[0002]在EUV光刻装置中，诸如基于多层系统的光掩模或反射镜的用于极紫外(EUV)波长范围(例如约5nm与20nm之间的波长)的反射光学元件用于半导体器件的光刻。由于EUV光刻装置通常具有多个反射光学元件，因此其必须具有尽可能高的反射率，以确保足够高的整体反射率。
[0003]A.Kloidt等人在Thin Solid Films，228(1993)15本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于制造极紫外波长范围的反射光学元件的方法，所述反射光学元件在基板上具有多层系统形式的反射涂层，其中该多层系统具有至少两个不同材料的相互交替层，所述不同材料在极紫外波长范围内的波长处具有不同的折射率实部，其中所述至少两个材料之一的层与随着与该基板的距离增加而配置在相同材料的前一层与最接近层之间的一层或多层一起形成堆叠体，其中：至少一层在其沉积期间或之后被抛光，使得在生成的反射光学元件中，所有层上的粗糙度与在具有由未抛光层构成的多层系统的形式的反射涂层的相对应反射光学元件中的粗糙度相比不显著地增加；以及施加50个以上的堆叠体。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，选择该层厚度，使得至少一堆叠体中的至少两个材料之一的至少一层的厚度与一个或多个相邻堆叠体中该材料的层的厚度相差超过10％。3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，抛光每个堆叠体中的至少一层。4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，抛光每一单层。5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，施加55至70个堆叠体。6.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，至少一层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：T，
申请(专利权)人：卡尔蔡司SMT有限责任公司，
类型：发明
国别省市：