用于EUV投射曝光系统的光学元件技术方案

本发明专利技术涉及一种生产用于EUV投射曝光设备的光学元件的方法，其中，成形层(221)被施加到衬底(20)上，使得所述成形层在被施加到衬底(20)上之后立即具有至多0.5nm rms的表面粗糙度。度。度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于EUV投射曝光系统的光学元件


[0001]本专利申请要求德国专利申请DE 10 2020 207 807.6的优先权，其内容通过引用并入于此。
[0002]本专利技术涉及一种用于EUV投射曝光设备的光学元件。本专利技术还涉及具有这种光学元件的集光器以及用于生产这种光学元件的中间产品。此外，本专利技术涉及一种用于制造这种光学元件的方法。

技术介绍

[0003]为了制造用于EUV投射曝光设备的光学元件，可以在蚀刻层中引入光栅结构。这种具有限定台阶高度的光栅结构的生产非常复杂。此外，光栅结构的台阶高度可能会发生波动和/或其与指定值的偏差。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是改进用于EUV投射曝光设备的光学元件。
[0005]这个目的通过权利要求1的特征来实现。
[0006]本专利技术的一个方面在于设计具有成形层的光学元件，其中成形层被结构化以形成光栅结构，使得从底部区域到侧面的过渡形成有尖锐的边缘。特别地，可以避免从底部区域到侧面的过渡处的变圆。
[0007]在这种情况下，成形层可以限定光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于EUV投射曝光设备(1)的光学元件，具有：1.1.用于指定弯曲的基本形貌的衬底(20)，1.2.施加在所述衬底(20)上的至少一个第一成形层(221)，具有根据指定的层厚度分布(D1v(s))的层厚度(D1(s))，以及1.1.EUV辐射反：射层(37)，1.3.其中，所述成形层(221)被结构化以形成具有底部区域、前侧和侧面的光栅结构，1.4.其中，从所述底部区域到所述侧面的过渡具有至多5μm的曲率半径，并且1.5.其中，所述EUV辐射反射层(37)至少被施加至所述光栅结构的所述底部区域和所述前侧。2.根据权利要求1所述的光学元件，其特征在于，在每种情况下所述层厚度(D1)与指定的层厚度(Dv1)的最大偏差至多为50nm。3.根据前述权利要求中任一项所述的光学元件，其特征在于，所述底部区域具有至多0.5nm rms的表面粗糙度。4.根据前述权利要求中任一项所述的光学元件，其特征在于，所述底部区域的表面粗糙度比所述前侧的表面粗糙度大至多20％。5.根据前述权利要求中任一项所述的光学元件，其特征在于，蚀刻停止层(231)布置在所述衬底(20)和所述成形层(221)之间。6.根据前述权利要求中任一项所述的光学元件，其特征在于，俯视图中所述侧面的面积的比例至多为所述光学元件的总表面积的2％。7.根据前述权利要求中任一项所述的光学元件，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：H恩基什，S霍夫曼，J韦伯，S斯特罗贝尔，M里博夫，C诺特博姆，M斯特姆，M克劳斯，
申请(专利权)人：卡尔蔡司SMT有限责任公司，
类型：发明
国别省市：