用于表征光学元件的表面形状的方法和装置制造方法及图纸

在用于表征光学元件的光学表面的表面形状的方法中，联合评估不同测量系列的第一测量值和第二测量值，其中迭代实行以下步骤：(A)计算第一图形；(B)从第一测量值中减去第一图形，以便确定第一测试设置误差；(C)使用第一测试设置误差来计算经校正的第一图形；(D)从第二测量值中减去经校正的第一图形，以便确定第二测试设置误差；(E)使用第二测试设置误差来计算经校正的第二图形；(F)使用经校正的第二图形来校正第一测试设置误差，以便确定经校正的第一测试设置误差；(G)使用经校正的第一测试设置误差来计算再次校正的第一图形；(H)将结果与收敛准则进行比较，可选地重复步骤(A)至(H)。(H)。(H)。

【技术实现步骤摘要】
用于表征光学元件的表面形状的方法和装置


[0001]本专利技术涉及用于表征光学元件(特别是微光刻投射曝光设备的反射镜或透镜元件)的表面形状的方法和装置。

技术介绍

[0002]现在主要使用光刻方法和投射曝光系统来制造半导体部件和其他精细结构的部件，诸如用于微光刻的掩模。在这种情况下，要为掩模(也称为掩模母版)制造的结构图案利用由照明系统整形的照明光照明，并借助于投射镜头以缩小的尺度投射到基板的功能层上，所述功能层涂覆有感光层。在感光层已经显影之后，凭借蚀刻方法将对应于结构图案的结构转印到功能层中。
[0003]为了能够制造更精细的结构，近几十年来，除了折射和反射折射光学系统(这些光学系统利用来自深紫外范围(DUV)的光操作并且在有浸没和没有浸没的情况下具有接近1或更高的高像侧数值孔径NA)以外，，还开发了通过短波长利用更适中的数值孔径来操作并实质获得高分辨率的光学系统，该短波长为所使用的来自极紫外范围(EUV)的电磁辐射，特别是操作波长在5nm和30nm之间，例如操作波长在13.5nm左右。由于来自极紫外范围的辐射(EUV辐射)由在较高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.用于表征光学元件的光学表面的表面形状的方法，其中所述光学元件作为测试物体被并入干涉测试装置中，使得所述光学表面完全布置在所述干涉测试装置的测量区域内，对所述测试物体实行多次干涉测量，以及在测量之间，所述测试物体相对于所述测试装置的旋转位置通过所述测试物体围绕测试物体旋转轴线的有限旋转来改变，其中，为了凭借第一测量形成第一测量系列，针对旋转角度差为360
°
/M的M个旋转位置捕获M个第一测量值，并且为了形成第二测量系列，针对旋转角度差为360
°
/N的N个旋转位置捕获N个第二测量值，其中M和N是互质自然数，并且在评估操作中，共同评估测量值，以便确定用于表征所述光学表面的表面形状的形状信息，其中在所述评估操作中迭代地实行以下步骤：(A)基于所述第一测量计算第一图形，其中所述第一图形是所述第一测量系列的常见伴随旋转图形；(B)从所述第一测量值中减去所述第一图形，以便确定含有所述第一测量系列的常见非伴随旋转误差的第一测试设置误差；(C)使用所述第一测试设置误差来计算经校正的第一图形，该经校正的第一图形由所述第一图形减去所述第一测试设置误差得到；(D)从所述第二测量值中减...

【专利技术属性】
技术研发人员：R库尔斯，
申请(专利权)人：卡尔蔡司SMT有限责任公司，
类型：发明
国别省市：