广东省科学院半导体研究所专利技术

广东省科学院半导体研究所共有240项专利

  • 本申请实施例提供一种组合导航数据生成方法、组合导航神经网络的训练方法、存储介质和导航系统,涉及导航技术领域。组合导航数据生成方法包括:在可见卫星数小于4时,从组合导航神经网络接收预测数据;根据预测数据,解算得到卫星的预测位置信息;将预测...
  • 本发明的实施例提供一种光器件性能提高方法、半导体光器件及电子设备,涉及半导体光电技术领域。本发明通过构建量子阱的外加电场强度与量子阱所在材料面的极化总强度的对应关系,依据量子阱的自身参数确定第一化合物的自发极化强度、第二化合物的弯曲参数...
  • 本申请实施例提供一种光电器件结构及其制作方法,涉及半导体光电技术领域。光电器件结构包括逐层连接的衬底、缓冲层、n型半导体层、发光有源区、p型半导体层和接触层;发光有源区包括多个量子阱层和多个量子垒层,量子阱层与量子垒层交替设置,发光有源...
  • 本申请实施例提供一种GaN基光电探测器和GaN基光电探测器制作方法,涉及半导体光电技术领域。本GaN基光电探测器制作方法包括:提供第一基体,第一基体包括逐层连接的第一衬底和绝缘层;提供氮化镓薄膜,采用键合工艺将氮化镓薄膜转移到绝缘层上,...
  • 本发明公开一种双面叠层扇出封装器件及其制备方法,封装器件包括带有贯通孔的基板;叠层堆叠的芯片;包封材料层;位于包封材料层上的再布线层;第一导电结构,位于第一表面上的芯片通过第一导电结构与再布线层电气连通;贯穿基板厚度方向的第二导电结构,...
  • 本申请提供了一种高性能垂直结构深紫外LED器件及制备方法,涉及半导体技术领域。该器件自上到下依次包括:N电极、至少一个环状外延结构、P电极、金属键合层和导电衬底。环状外延结构自上到下依次包括:N型AlGaN层、深紫外多量子阱层、电子阻挡...
  • 本申请实施例提供一种量子点光转换薄膜制备方法和量子点光转换薄膜,涉及显示技术领域。本量子点光转换薄膜制备方法包括:在印章表面涂具有粘度的可溶性聚合物,形成第二凹模版,在第二凹模版的凹槽中添加量子点聚合物复合材料;用可减粘的胶带贴住第二凹...
  • 本申请提供了一种自由曲面匀光透镜及其制备方法,涉及透镜技术领域。该方法包括如下步骤:基于自由曲面透镜本体的表面,制备与自由曲面透镜本体形状相匹配的成型模具;其中,自由曲面透镜本体位于成型模具的内部,且成型模具上设有开口。将基质材料和散射...
  • 本申请提供了一种氮化物HEMT结构及其制作方法,涉及半导体技术领域。首先提供一衬底,并基于衬底的表面生长缓冲层,再基于缓冲层的远离衬底的一侧生长沟道层,接着基于沟道层的远离衬底的一侧生长势垒层并进行高温脱附处理,以提升势垒层中铝组分数值...
  • 本发明公开了一种便于移动的防震式单晶生长炉,本发明涉及碳化硅单晶生长炉技术领域,包括防震机构,该防震机构用于对整个单晶生长炉的减震防护;移动机构,该移动机构用于对整个装置的移动和固定,所述移动机构固定连接在防震机构的底部;输送机构,该输...
  • 本申请提供了一种基于神经网络的组合导航方法、装置以及导航设备,涉及组合导航技术领域,该方法包括:在目标设备具有卫星导航信号的情况下,获取多组训练数据,分别对预设神经网络模块进行训练,得到训练后的神经网络模型以及模型评价参数,从多个神经网...
  • 本发明公开一种电子束分束模块及其制备方法,电子束分束模块包括有分束模块本体,所述分束模块本体的一侧面上设置有反射层,所述反射层上设置有荧光粉层,所述荧光粉层由阴极射线荧光粉沉积形成。当电子枪发射出的电子束撞击到本发明的电子束分束模块的表...
  • 本申请提供一种电压电平移位器,其中的瞬态干扰抑制模块包括第一电流镜、第二电流镜、第三电流镜、第四电流镜、第一开关单元及第二开关单元;第一电流镜的第一输出端、第二输出端及第三输出端分别与第二开关单元的第一端、第三电流镜的第一输入端连接及第...
  • 本发明的实施例提供了一种自由曲面棱镜的优化方法以及自由曲面棱镜,涉及光学系统技术领域。在获取三组面型数据、第一方向、第二方向以及第三方向的基础上,建立初始棱镜。之后获取初始棱镜的相关参数,引入变量二次常数以及非球面系数校正,优化面型以得...
  • 本发明的实施例提供了一种扇出封装结构及扇出封装方法,涉及存储器芯片领域。该扇出封装结构包括:芯片、内衬基板、贴片层、包封层、绝缘支撑层、互连线、封装引脚、第一导电层以及第二导电层。该扇出封装结构采用扇出封装方法制备而成,通过各个导电层进...
  • 本申请提供了一种P型栅增强型HEMT器件及其制作方法,涉及半导体技术领域。首先提供一衬底,再基于衬底的表面生长外延层,其中,外延层包括逐层设置的缓冲层、沟道层、势垒层以及P型盖帽层,接着定义栅极区,并基于栅极区的四周刻蚀隔离槽,其中,隔...
  • 本申请提出一种增强型HEMT器件结构及其制作方法,涉及半导体技术领域。首先提供一衬底;再基于衬底的表面外延生长缓冲层;基于缓冲层的远离衬底的一侧生长沟道层;接着基于沟道层的远离衬底的一侧生长第一势垒层;其中,第一势垒层的厚度小于15nm...
  • 本发明公开一种电子束偏转模组、电子束聚焦偏转系统及电子束光柱体,电子束偏转模组用于设置在上下极靴内径不一致的物镜中,包括沿着物镜的轴向方向依次设置的至少两个偏转组件,所述偏转组件设置为其内径沿其长度方向呈函数变化,整体电子束偏转模组设置...
  • 本申请提供了一种换热装置与系统,涉及换热技术领域。该装置包括同中心轴的内衬筒和换热筒,换热筒套设于内衬筒外,内衬筒用于容纳带电粒子束,换热筒的外侧壁面上缠绕有电磁线圈;换热筒的内侧壁面竖直设置有多个第一肋板,多个第一肋板将换热筒的内侧壁...
  • 本发明公开一种肖特基阴极制备方法,其采用增材制造技术对肖特基阴极结构进行成型,并且使用的粉体为在打印专用W粉中掺杂能够降低电级的电子势垒金属粉末的混合粉体,之后再对肖特基阴极结构件采用电解抛光法进行减径,且采用电化学腐蚀法制备针尖,形成...