本发明实施例提出一种Micro‑LED芯片的光隔离薄膜及其制备方法，涉及半导体显示技术领域，方法包括：对目标基板进行光刻处理，得到目标凹模板；向目标凹模板内浇注有机硅聚合物，固化形成目标凸模板，目标凸模板包括基底和多个位于基底上的印章柱...

本申请实施例提供一种轨到轨运算放大器，涉及运算放大器技术领域。轨到轨运算放大器包括N型电流开关模块，P型电流开关模块，N型差分输入级，P型差分输入级；N型电流开关模块对N输入对管的作用下，N型差分输入级的跨导曲线gm1发生沿横轴方向的平...

本发明公开了功率电子器件背面散热结构的加工方法及功率电子器件，涉及半导体器件技术领域。本发明提供的加工方法依次进行衬底面导热孔结构图案化、转移基板面导热孔结构图案化、衬底减薄、二次衬底面导热孔结构图案化、导热孔刻蚀及高导热材料填充等步骤...

本申请提供一种叠层沟道混合接触薄膜晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。本申请在欧姆‑肖特基混合接触晶体管架构的基础上，通过堆叠构建双层沟道半导体层的方式，以利用高迁移率的前沟道半导体层有效提升饱和输出电流，并利用低载流子浓度的背沟道...

本发明公开一种用于光吸收器的外延结构及光吸收器,用于光吸收器的外延结构包括依次设置的第一金属层、介电质层和第二金属层；其中，第二金属层设置成，当设定波长λ0的光照射在其上时，其能够发生非厄米共轭耦合，设定波长λ0为第二金属层的共振波长；...

本发明提供了一种铌酸锂晶体制备方法及铌酸锂器件，涉及半导体技术领域，该方法包括：将Nb<subgt;2</subgt;O<subgt;5</subgt;和Li<subgt;2</subgt;CO<...

本申请提供了一种基于跳零思想的CORDIC算法优化方法及相关装置，涉及CORDIC算法技术领域。该方法包括：将当前迭代过程中的当前剩余相位值进行二进制转换，并根据当前剩余相位值的二进制数进行零点识别。若识别到当前剩余相位值具有零点，则跳...

本申请实施例提供一种带隙基准电路，涉及电路的基准电压技术领域。带隙基准电路包括一阶补偿电路和高阶补偿电路；一阶补偿电路包括正温度系数电流产生电路、负温度系数电流产生电路和电压产生电路；电压产生电路分别与正温度系数电流产生电路、负温度系数...

本发明公开了一种基于凹模板填充的钙钛矿量子点图案化方法，属于全彩化显示技术领域。该方法包括：以第一凸模板为基础，制备第一图案化PDMS凹模板；将第一钙钛矿量子点浆料填充于第一图案化PDMS凹模板的凹坑中，加热固化，以形成第一钙钛矿量子点...

本发明公开一种带圆角器件结构模型构建方法及装置，其方法包括根据预先设置的几何结构参数建立样品几何图形和腔室图形，其中，样品几何图形为带圆角的几何结构；对样品几何图形和腔室图形进行有限元划分，得到第一网格信息和第二网格信息，其中，第一网格...

本申请提供一种源栅氧化物薄膜晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。本申请在基底上依次制备图形化栅极层、栅介质层、图形化半导体层和图形化源极层，其中源极层包括相互接触且在基底上的投影区域至少部分重叠的第一源电极层和第二源电极层，第二源电...

本申请提供一种短沟道混合接触薄膜晶体管及其制备方法和相关装置，涉及半导体技术领域。本申请通过衬底上依次制备第一源漏电极层和第二源漏电极层，使第一源漏电极层包括的第一源极层和第一漏极层相互间隔，并使第二源漏电极层包括的第二源极层和第二漏极...

本申请实施例提供一种基准源电路，涉及基准源电路技术领域。基准源电路包括偏置电路、正温度系数电压产生电路和负温度系数电压产生电路：偏置电路用于为正温度系数电压产生电路和负温度系数电压产生电路提供偏置电流；正温度系数电压产生电路的输出端和负...

本申请实施例提供一种死区时间电路和GaN驱动芯片，涉及功率管驱动电路技术领域。在一个功率管的驱动源信号由表示关断转变为表示导通时，电流产生模块对电容模块充电，充电达到阈值触发模块时方可使阈值触发模块的输出信号翻转，阈值触发模块的输出信号...

本技术提供一种光源装置及系统，涉及半导体技术领域。其中，光源装置包括底板、调光模块以及光源模块。光源模块设置在底板上，光源模块包括LED组件、透镜组件；LED组件用于提供多个出射光源信号，透镜组件设置在出射光源信号的出射方向上，用于筛选...

本发明公开一种用于CD‑SEM量测的参数预测模型构建方法、预测方法及预测系统，其模型构建方法包括：获取数据集，所述数据集包括至少一组具有邻近效应特征的数据组，每组数据组均包括有标准数据以及SE信号组，所述标准数据包括深宽比数据和/或高度...

本申请提供了一种过温保护电路及LED驱动系统，涉及集成电路技术领域，过温保护电路包括正温度系数电流模块、过温自适应模块和超温滞回关断模块。当LED器件温度小于过温阈值时，过温自适应模块向LED驱动电路输出基准电压。当LED器件温度大于等...

本发明实施例提供了一种氮化镓器件制备方法及氮化镓器件，涉及半导体技术领域。氮化镓器件由氮化镓器件制备方法制成，氮化镓器件制备方法包括提供一氮化镓预制器件，上述氮化镓预制器件包括层叠设置的沟道层与势垒层、P型氮化镓层；在远离沟道层一侧的势...

本申请提供了一种带隙基准电路，涉及集成电路技术领域，带隙基准电路包括：核心电路、负温度电流提取电路、高阶调制处理电路和输出电路。核心电路用于产生X点电压、无基极电流的正温度系数PTAT电流以及混合有基极电流的负温度系数CTAT电流。其中...

本申请提供了一种迟滞比较器电路及系统，涉及集成电路技术领域，包括：差分比较模块、尾电流偏置模块、自适应分流模块和输出模块。尾电流偏置模块的输出端、差分比较模块的第一端口和自适应分流模块的第二端口均连接于第一节点，差分比较模块的第二端口与...