广东省科学院半导体研究所专利技术

广东省科学院半导体研究所共有240项专利

  • 本发明公开一种激光退火SiO
  • 本申请提供了一种位移控制电路与运动平台,涉及位移控制技术领域。该位移控制电路包括通信模块、主控制器、运动控制器、第一驱动芯片、第二驱动芯片以及第三驱动芯片,主控制器分别与通信模块、运动控制器电连接,运动控制器分别与第一驱动芯片、第二驱动...
  • 本申请实施例提供一种热管理器、换热方法和新能源车,涉及动力电池热管理技术领域。该热管理器包括:同中心轴的外筒、中筒和内筒。外翅片、中筒和外筒形成平行于中心轴的多个外流道。内翅片、中筒和内筒形成平行于中心轴的多个内流道。中筒上设置有多个射...
  • 本发明公开一种适用于芯片粒精细线路的载板结构的制备方法及载板结构,方法包括在临时载板上制备临时键合层,并在临时键合层上制备管脚互连层;在管脚互连层之上制备至少一层精细线路互连层;在至少一层精细线路互连层之上制备芯核层,芯核层中形成有与至...
  • 本申请的实施例提供了一种芯片精细线路扇出封装结构及其制作方法,涉及芯片技术领域。本申请实施例提供的芯片精细线路扇出封装结构,以及本申请实施例提供的制作方法制作得到的芯片精细线路扇出封装结构,包括芯片间精细绕线层和封装绕线层,芯片间精细绕...
  • 本发明提供了一种带有散热板的多芯片互连封装结构及其制备方法,涉及半导体先进封装技术领域,该带有散热板的多芯片互连封装结构包括精细线路层、封装芯片、散热板、塑封体和封装线路层,散热板设置在精细线路层上,并贴装在封装芯片远离精细线路层一侧,...
  • 本发明公开一种基于超构表面提高LED光提取效率的方法及相应的LED器件与应用,其中,基于超构表面提高LED光提取效率的方法包括步骤S10:在LED芯片的出光面上制备至少一个超构单元,所有的超构单元在出光面上形成超构表面,以形成LED器件...
  • 本申请提供了一种封装结构及其制作方法,涉及器件封装技术领域。首先基于临时载板制作含有高密度互连线的互连桥组件,然后基于临时载板进行划片,并获取多个带有临时载板的互连桥,再将带有临时载板的互连桥转移至目标载板的沟槽内;其中,临时载板位于远...
  • 本发明公开一种微通道相变换热系统,其包括散热主体;散热主体具有微通道单元,微通道单元中设有起泡结构;散热主体还具有用于向微通道单元内添加射流的射流单元。由于在微通道单元中设置了起泡结构,能够使微通道单元中的冷媒保持在沸腾传热阶段,使得该...
  • 本申请提供了一种触摸屏及其制作方法,涉及触摸屏技术领域。首先提供一透明基板,然后沿透明基板的表面涂布第一透明导电层,并对第一透明导电层进行图案化刻蚀,以将第一透明导电层划分为多个导电块,再沿间隔且相邻的两个导电块之间涂布第一透明绝缘层,...
  • 本发明实施例提供了一种键合焊点制作方法,涉及焊接技术领域。方法包括:首先,在基板表面制作绝缘层,并在绝缘层开设绝缘通孔;其中,绝缘通孔露出电极层。然后,在绝缘层表面涂布光刻胶,并在光刻胶开设光刻胶通孔,光刻胶通孔位于绝缘通孔的上方,且绝...
  • 本发明涉公开了一种零压阻系数可拉伸柔性电子器件的制备方法,其首先在临时载板上设计导电模块单元的图案,曝光显影后得到需要生长导电模块单元的区域,之后在临时载板表面对纳米材料的生长位点进行图案化处理,将临时载板表面的光刻胶洗去后,即可在设计...
  • 本申请提供一种芯片转移方法、Micro
  • 本发明公开了一种基于复合衬底的场效应晶体管及其制作方法,场效应晶体管包括:基础衬底、复合衬底、单晶硅层、介电层、源极区域、漏极区域和栅极区域;基础衬底的表面依次层叠复合衬底、单晶硅层和介电层;复合衬底包括金刚石层和多晶硅层,金刚石层与基...
  • 本申请提供一种金属氧化物薄膜晶体管器件及其制作方法和显示面板,涉及半导体技术领域。本申请通过在基底的一侧依次制备氮硅层、栅极、覆盖栅极的栅介质层以及至少覆盖栅介质层的金属氧化物层,使金属氧化物层中与氮硅层接触的部分区域经氮硅层所含有的氢...
  • 本发明公开了一种磁控溅射靶材、其制备方法及应用,涉及磁控溅射技术领域。磁控溅射靶材的制备方法包括:将前驱体溶液涂布于衬底上,根据磁控溅射设备磁场分布的强度进行厚度的设计,磁场强的区域涂布厚度大,磁场弱的区域涂布厚度小,在涂布过程中通过加...
  • 本发明公开了一种高密度铜柱凸点键合互连的方法,属于芯片封装领域。本发明所述方法创造性地在铜柱凸点阵列中引入铜
  • 本发明公开了一种N极性III
  • 本发明公开了一种具有可逆热致变色效应的智能材料及其制备方法和应用,所述热致变色智能材料由锡单质、磷单质和硫单质组成,材料化学式为Sn2P2S6。所述热致变色智能材料具有铁电性,其颜色在室温下为土黄色,67℃后转变为橙红色。本发明制备的智...
  • 本发明公开了一种扇出型芯片封装结构及制造方法,其中,所述扇出型芯片封装结构包括塑封层、再布线层和N个芯片;N个芯片水平并列排放,且各芯片的功能面上均设置有芯片绝缘层和芯片引脚焊盘;塑封层包裹各芯片的侧面,或各芯片的侧面与背面,且所述塑封...