本发明公开了一种芯片封装结构及封装方法，涉及半导体技术领域，本发明的芯片封装方法，包括：提供芯片，芯片上设置多个芯片引脚；提供基板，基板上对应芯片引脚设置有多个第一通孔，第一通孔内壁和基板表面的第一通孔边缘设置有基板引脚；采用贴片工艺，...

本申请提供一种量子点光转换模组、微LED显示器及其制备方法，涉及显示技术领域，包括单色LED阵列芯片以及在单色LED阵列芯片的出光侧依次设置的黑矩阵和层叠设置的多个光转换组，黑矩阵将单色LED阵列芯片划分为多个像素单元，每个像素单元包括...

本发明公开了一种防止高温热退火下表面分解和杂质并入的保护装置及方法，装置包括杯体和施压结构，施压结构用于将晶圆夹持于杯体内并对晶圆施加不小于1.96N的压力，施压结构与杯体的熔点均为1600℃以上，施压结构与杯体的材料均为惰性材料。采用...

本发明公开一种III族氮化物半导体材料的制备方法，其包括在生长完第M层III族氮化物材料层后的升温阶段或降温阶段，在保持反应腔内氮源气体和反应载气的持续通入的同时，至少将生长第M层III族氮化物材料层所用的III族原料源中的与氮原子成键...

本发明公开一种纳米图形衬底的制备方法，其通过对依次设置在透明衬底上的透光层和不透光层分别进行刻蚀，在不透光层上形成锥台形的第二孔洞和在透光层上形成第三孔洞；并通过去除第一掩膜，形成第一坯体，以及在第二孔洞和第三孔洞中制备第二掩膜，再对透...

一种氮化铝模板及其制备方法，涉及半导体技术领域。该氮化铝模板的制备方法包括：提供一蓝宝石衬底；对蓝宝石衬底进行刻蚀以在蓝宝石衬底上形成多个纳米凹槽，纳米凹槽的深度小于蓝宝石衬底的厚度；在刻蚀后的蓝宝石衬底上沉积氮化铝材料以形成氮化铝薄膜...

一种氮化铝模板及其制备方法，涉及半导体技术领域。该氮化铝模板的制备方法包括：提供一具有斜切角的蓝宝石衬底，蓝宝石衬底的斜切角方向为c面偏a轴或c面偏m轴，且斜切角度在0.5

本发明的实施例提供了一种基于自由曲面的均匀照明系统及其设计方法，涉及照明技术领域。基于自由曲面的均匀照明系统包括准直模块、光学积分器和准直扩束系统，准直模块包括双自由曲面准直透镜阵列，准直模块用于接收光源光线，并形成准直光线；光学积分器...

本发明公开一种N极性增强型HEMT器件结构及其制备方法，该结构包括N极性增强型HEMT器件主体；N极性增强型HEMT器件主体的沟道层与栅极之间设置极性中和复合栅结构，极性中和复合栅结构包括沿自沟道层至栅极方向依次设置均能与沟道层结合产生...

本发明公开了一种玻璃基板芯片的制备方法、玻璃基板芯片及应用，涉及玻璃基板芯片技术领域。玻璃基板芯片的制备方法是通过先在基材衬底上形成含铬的硬掩膜层和光刻胶层，通过曝光在光刻胶层上形成目标流道图形，通过对硬掩膜层进行腐蚀以使目标流道图形转...

本发明的实施例提供了一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法和显示器件，涉及半导体电子器件领域，该薄膜晶体管及其制备方法在衬底上依次设置栅极、栅绝缘层和半导体层，然后在半导体层的两侧设置源极和漏极，并在半导体层上设置包覆在源极和漏极的钝化层...

本申请提供了一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括基板，位于基板一侧的栅极，覆盖于栅极表面且与基板连接的栅极绝缘层，位于栅极绝缘层远离基板一侧的半导体层，分别位于半导体层两侧且与栅极绝缘层连接的第一绝缘层与第二...

本发明公开一种高出光效率的深紫外LED及其制备方法，其中，高出光效率的深紫外LED包括深紫外倒装LED；设置在深紫外倒装LED的蓝宝石衬底的出光面上的介质层，介质层采用硬度比蓝宝石低的材质制成，且介质层的出光面为经过粗化处理的出光面。本...

本申请提供了一种微LED器件及其制作方法，涉及微LED技术领域。该微LED器件包括透明衬底，位于透明衬底上的微LED阵列，其中，微LED阵列包括多个微LED，位于微LED阵列与透明衬底上的图案化催化剂层，位于图案化催化剂层的石墨烯

本申请提供了一种LED阵列芯片及其制作方法，涉及LED芯片领域。该方法包括：首先提供一透明衬底，透明衬底上阵列分布有多个LED单元，各LED单元包括第一金属电极以及第二金属电极；然后在各LED单元表面旋涂光刻胶，并在光刻胶上形成与第一金...

本发明公开了一种高密度微LED阵列及其制作方法与应用，属于LED技术领域。该方法包括：将待处理LED外延片按预设的微LED阵列进行台面刻蚀至露出N型半导体，于刻蚀后的外延片表面制备第一钝化层；按预设的N型半导体接触金属层图形光刻图案；去...

本申请提供一种液体透镜运行调控系统、液体透镜运行调控方法及装置，涉及光学成像技术领域。本申请通过液压检测单元及液温检测单元分别检测可变焦液体透镜的内部液压和内部液体温度，由中心调控单元根据检测到的内部液压控制液量调节组件调节可变焦液体透...

本申请提供了一种量子点光转换器件及其制备方法，涉及量子点领域。该制备方法包括：首先，提供一制备基底，并在制备基底上制备图案化的光刻胶印章，其中，图案化的光刻胶印章包括多个间隔设置的光刻胶柱；再者，在光刻胶柱表面制备金属薄膜，在金属薄膜上...

本申请提供了一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。本申请提供了一种半导体器件及其制作方法，首先提供一衬底，然后基于衬底生长氮化镓层，并对氮化镓层进行铟掺杂，其中，掺杂后的铟组分大于9.5％，最后基于掺杂后的氮化镓层生长外延层，...

本发明公开了一种发光场效应晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。发光场效应晶体管，包括电子传输层和量子点发光层，电子传输层的材料为CuInSe2纳米晶体，量子点发光层的材料为I