一种量子点光转换模组、微LED显示器及其制备方法技术

本申请提供一种量子点光转换模组、微LED显示器及其制备方法，涉及显示技术领域，包括单色LED阵列芯片以及在单色LED阵列芯片的出光侧依次设置的黑矩阵和层叠设置的多个光转换组，黑矩阵将单色LED阵列芯片划分为多个像素单元，每个像素单元包括用于分别出射单色光的第一子像素单元、第二子像素单元和第三子像素单元；每个光转换组包括依次形成的高透光层和量子点层，量子点层包括与第一子像素单元对应的第一量子点材料以及与第二子像素单元对应的第二量子点材料，单色光与第一量子点材料经过光转换后以第一色光出射，单色光与第二量子点材料经过光转换后以第二色光出射。能够提高量子点光转换效率，并且增强显示器件的稳定性及隔热效果。性及隔热效果。性及隔热效果。

【技术实现步骤摘要】
一种量子点光转换模组、微LED显示器及其制备方法


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种量子点光转换模组、微LED显示器及其制备方法。

技术介绍

[0002]LED显示器件实现彩色显示的一种常见且有效的方式，为采用单一蓝色光源作为一组像素单元中每个子像素的发光，其中，蓝色子像素由蓝色光源直接出射蓝光，绿色子像素和红色子像素通过蓝光激发发光转换材料进行光转换以分别实现绿光和红光的出射，由此形成像素单元中红绿蓝三子像素的彩色显示。
[0003]LED发光过程及量子点在光转化过程中形成的热，会对量子点的稳定性造成影响。特别是量子点光转换层，其在较厚的膜层中，热传导差，会形成热堆积，从而降低量子点的稳定性。此外，光转换型量子点由于在胶体中的分散性较差，聚集导致光转换效率降低。在实际光转换过程中，为了提高光转换效率，又需要制备较厚的量子点膜厚，才能满足光转换的技术要求。两方面相互制衡，就导致量子点光转换层的光转换效率难以进一步提升。

技术实现思路

[0004]本申请实施例的目的在于提供一种量子点光转换模组、微LED显示器及其制备方法，能够提高量子点光转换效率，并且增强显示器件的隔热效果。
[0005]本申请实施例的一方面，提供了一种量子点光转换模组，包括单色LED阵列芯片以及在单色LED阵列芯片的出光侧依次设置的黑矩阵和层叠设置的多个光转换组，黑矩阵将单色LED阵列芯片划分为多个像素单元，每个像素单元包括用于分别出射单色光的第一子像素单元、第二子像素单元和第三子像素单元；每个光转换组包括依次形成的高透光层和量子点层，量子点层包括与第一子像素单元对应的第一量子点材料以及与第二子像素单元对应的第二量子点材料，单色光与第一量子点材料经过光转换后以第一色光出射，单色光与第二量子点材料经过光转换后以第二色光出射。
[0006]可选的，单色LED阵列芯片出射的单色光为蓝光，蓝光与第一量子点材料经过光转换后以红光出射，蓝光与第二量子点材料经过光转换后以绿光出射。
[0007]可选的，高透光层包括对应设置于第一子像素单元、第二子像素单元和第三子像素单元的出光侧的高透光材料。
[0008]可选的，量子点层还包括与第三子像素单元对应的补偿材料，补偿材料为高透光材料。
[0009]可选的，量子点层的厚度在10nm
‑
200nm之间。
[0010]可选的，第一量子点材料和/或第二量子点材料为有机量子点或无机量子点。
[0011]可选的，高透光层的厚度小于等于1μm。
[0012]可选的，层叠设置的多个光转换组的总厚度在5
‑
10μm之间。
[0013]本申请实施例的另一方面，提供了一种微LED显示器，包括前述任意一项的量子点
光转换模组。
[0014]可选的，在远离单色LED阵列芯片的光转换组的量子点层上设置有平坦层，平坦层为高透光材料。
[0015]本申请实施例的又一方面，提供了一种微LED显示器的制备方法，包括：在单色LED阵列芯片的出光侧设置黑矩阵，黑矩阵将单色LED阵列芯片界定为多个像素单元，每个像素单元包括用于分别出射单色光的第一子像素单元、第二子像素单元和第三子像素单元；在形成有黑矩阵的单色LED阵列芯片的出光侧层叠设置多个光转换组，光转换组包括依次形成的高透光层和量子点层，其中，量子点层至少包括对应于第一子像素单元的第一量子点材料和对应于第二子像素单元的第二量子点材料；在远离单色LED阵列芯片的光转换组的量子点层上设置平坦层，平坦层为高透光材料。
[0016]本申请实施例的有益效果包括：
[0017]本申请提供了一种量子点光转换模组，包括单色LED阵列芯片以及在单色LED阵列芯片的出光侧依次设置的黑矩阵和层叠设置的多个光转换组，黑矩阵将单色LED阵列芯片划分为多个像素单元，每个像素单元包括用于分别出射单色光的第一子像素单元、第二子像素单元和第三子像素单元；每个光转换组包括依次形成的高透光层和量子点层，量子点层包括与第一子像素单元对应的第一量子点材料以及与第二子像素单元对应的第二量子点材料，单色光与第一量子点材料经过光转换后以第一色光出射，单色光与第二量子点材料经过光转换后以第二色光出射。第一量子点材料和第二量子点材料分别与单色光进行光转化，相比于掺杂混合其他材质的量子点，能够具有较高的转换效率，单色光依次经过多个光转换组中的量子点层，相当于依次进行了多次的光转换，从而进一步提高了光转换效率，而且，同等光转换条件下，对于每一量子点层也能够尽可能减薄其厚度，以提高量子点光转换模组的结构紧凑性，每个光转换组中的高透光层在能够保证转换的光束的高透通过的同时，还能够作为保护层有效的阻隔发光LED散发的热量向上传导，增强显示器件的稳定性及隔热效果。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0019]图1是本申请实施例提供的一种量子点光转换模组的结构示意图之一；
[0020]图2是本申请实施例提供的一种量子点光转换模组的结构示意图之二；
[0021]图3是本申请实施例提供的一种量子点光转换模组的结构示意图之三；
[0022]图4是本申请实施例提供的一种微LED显示器的结构示意图；
[0023]图5是本申请实施例提供的一种微LED显示器的制备方法的流程图。
[0024]图标：10
‑
单色LED阵列芯片；11
‑
像素单元；111
‑
第一子像素单元；112
‑
第二子像素单元；113
‑
第三子像素单元；20
‑
黑矩阵；30
‑
光转换组；31
‑
高透光层；32
‑
量子点层；321
‑
第一量子点材料；322
‑
第二量子点材料；40
‑
平坦层；D
‑
量子点层的厚度；T
‑
高透光层的厚度；W
‑
多个光转换组的总厚度。
具体实施方式
[0025]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0026]在本申请的描述中，需要说明的是，术语“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0027]还本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点光转换模组，其特征在于，包括单色LED阵列芯片以及在所述单色LED阵列芯片的出光侧依次设置的黑矩阵和层叠设置的多个光转换组，所述黑矩阵将所述单色LED阵列芯片划分为多个像素单元，每个所述像素单元包括用于分别出射单色光的第一子像素单元、第二子像素单元和第三子像素单元；每个所述光转换组包括依次形成的高透光层和量子点层，所述量子点层包括与所述第一子像素单元对应的第一量子点材料以及与所述第二子像素单元对应的第二量子点材料，所述单色光与所述第一量子点材料经过光转换后以第一色光出射，所述单色光与所述第二量子点材料经过光转换后以第二色光出射。2.根据权利要求1所述的量子点光转换模组，其特征在于，所述单色LED阵列芯片出射的单色光为蓝光，所述蓝光与所述第一量子点材料经过光转换后以红光出射，所述蓝光与所述第二量子点材料经过光转换后以绿光出射。3.根据权利要求1或2所述的量子点光转换模组，其特征在于，所述高透光层包括对应设置于所述第一子像素单元、所述第二子像素单元和所述第三子像素单元的出光侧的高透光材料。4.根据权利要求3所述的量子点光转换模组，其特征在于，所述量子点层还包括与所述第三子像素单元对应的补偿材料，所述补偿材料为高透光材料。5.根据权利要求1或2所述的量子点光转换模组，其特征在于，所述量子点层的厚度在10nm
...

【专利技术属性】
技术研发人员：王建太，邹胜晗，龚政，郭婵，潘章旭，陈志涛，
申请(专利权)人：广东省科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：