【技术实现步骤摘要】
一种显示用阵列与Micro
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LED器件
[0001]本专利技术属于半导体光电子领域，特别涉及一种显示用阵列与Micro
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LED器件。
技术介绍
[0002]信息显示技术的发展逐渐对显示分辨率或像素密度、色域范围等提出了更高的要求。全无机Micro
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LED因其发光颗粒小、寿命长、对比度高等特点，成为新一代信息显示技术的主流。铯铅卤钙钛矿纳米晶具有较高的发光量子效率、较窄的发光峰半高宽以及组成可调的发光波段，在信息显示、照明等领域具有重要的应用价值。但纳米晶较差的稳定性制约其在信息显示领域的广泛应用。将纳米晶弥散至具有较高稳定性的透明介质(如玻璃、高稳定性聚合物、透明薄膜、以及多孔材料等)中，能显著改善半导体或纳米晶的热稳定性、光照稳定性以及化学稳定性等，从而改善纳米晶相关器件的稳定性与使用寿命。上述弥散材料中，纳米晶均匀分布在透明介质中，可作为液晶显示器件的背光源；但上述纳米晶均匀弥散的透明介质难以满足Micro
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LED等阵列显示器件的要求。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示用阵列，其特征在于，所述显示用阵列包括透明介质和弥散分布于所述透明介质中的可发光纳米晶，所述透明介质划分为第一预定区域和第二预定区域，所述第一预定区域设定为不发光区域，所述第二预定区域设定为发光区域，所述第一预定区域为利用脉冲激光扫描所述区域内的纳米晶所得到的不发光区域，所述脉冲激光的焦点设置在所述透明介质的外部，所述焦点与透明介质的上表面或者下表面之间的距离大于等于10微米。2.如权利要求1所述的显示用阵列，其特征在于，所述脉冲激光的重复频率范围为1
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100kHz之间。3.如权利要求1所述的显示用阵列，其特征在于，所述透明介质为玻璃或薄膜。4.如权利要求1所述的显示用阵列，其特征在于，所述纳米晶为在红外和/或可见光区域具有发光性能的纳米晶。5.如权利要求1所述的显示用阵列，其特征在于，所述纳米晶为CdSe1‑
x
S
x
(0≤x≤1)、ZnSe1‑
x
S
x
(0≤x≤1)、PbS...
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