本申请提供一种高光效双层覆膜CSP封装结构及其制作工艺，在金属基材上制作出预设金属图案，且金属基材与LED芯片电极间隔设置，通过设置金属基材可充当LED芯片电极的扩展焊盘，增大了CSP的可焊接面积，可以有效地改善现有CSP封装结构有效焊接面积较小问题，提升CSP的焊接附着力和CSP后端产品的可靠性及生产良率，同时在LED芯片顶部先设置第一荧光胶层，再使用第二荧光胶层进行封装，通过二次覆膜可有效地提升CSP的光效，节能省电，使得发光效率更高，且本申请的CSP封装结构没有固晶焊料，可以有效的避免后段温度过高引起的CSP固晶焊料二次熔融的问题，解放后端产品的温度局限，适用于多次回流焊的复杂工艺。于多次回流焊的复杂工艺。于多次回流焊的复杂工艺。
【技术实现步骤摘要】
一种高光效双层覆膜CSP封装结构及其制作工艺
[0001]本申请属LED封装
，具体涉及一种高光效双层覆膜CSP封装结构及其制作工艺。
技术介绍
[0002]CSP(Chip Scale Package)LED以其可靠性高、体积小而备受关注及青睐。现有常见的CSP结构比较明显的缺点是焊盘较小，CSP的有效焊接面积较小、附着力较小，导致后端产品的可靠性及生产良率较低。少数使用支架和固晶焊料的CSP结构，虽然有效焊接面积较大，但由于其使用固晶焊料将LED芯片的电极和支架进行电连接，比较明显的缺点是后段的工艺温度不能接近或超过固晶焊料的温度，否则会产生固晶焊料二次熔融的问题。
[0003]此外，上述两种结构同时存在发光效率低的问题，因此，亟需对现有CSP结构进行进一步改进。
技术实现思路
[0004]本专利技术的第一个目的是为了解决传统CSP结构焊盘较小、发光效率低以及容易出现二次熔融的技术问题，提供了一种高光效双层覆膜CSP封装结构的制作工艺。
[0005]本专利技术的第二个目的是提供一种解决上述问题的高光效双层覆膜CSP封装结构。
[0006]本申请采用如下方案，一种高光效双层覆膜CSP封装结构的制作工艺，包括以下步骤：
[0007]在金属基材上制作出预设金属形状，以形成金属层；
[0008]将金属层设置于承载膜上；
[0009]在承载膜上排列LED芯片，并使LED芯片的电极与金属层之间形成间距；
[0010]在LED芯片上设置第一荧光胶层，使第一荧光胶层设置于LED芯片顶部或包覆LED芯片周侧和顶部；
[0011]在LED芯片上设置第二荧光胶层，使第二荧光胶层包覆LED芯片、第一荧光胶层和金属层，并使LED芯片的电极底部表面和金属层底部表面裸露；
[0012]切割成单个CSP封装结构，即得。
[0013]优选的，步骤“在LED芯片上设置第一荧光胶层”于步骤“在承载膜上排列LED芯片”之前进行，具体包括：制作含电极和发光层的晶元片，在晶元片顶部设置第一荧光胶层，切割成含第一荧光胶层的单颗LED芯片。
[0014]另一优选的，步骤“在LED芯片上设置第一荧光胶层”于步骤“在承载膜上排列LED芯片”之后进行，具体包括：将荧光胶膜从LED芯片的正上方压下，荧光胶对LED芯片与金属层之间的间隙进行填充，按预设的尺寸去除部分不需要的荧光胶，使得荧光胶包覆LED芯片周侧和顶部，形成第一荧光胶层。
[0015]优选的，第一荧光胶层包括胶体和混合于胶体内的荧光粉，荧光粉的发射波长为600nm
‑
780nm。
[0016]优选的，第二荧光胶层包括胶体和混合于胶体内的荧光粉，荧光粉的发射波长为380nm
‑
780nm。
[0017]优选的，步骤“在金属基材上制作出预设金属形状”是通过蚀刻工艺、激光切割工艺、模具冲压工艺或镀膜工艺在金属基材上制作出预设的金属形状。
[0018]优选的，承载膜为高温双面胶或热解膜。
[0019]优选的，LED芯片的电极与金属层之间形成间距大于0.5微米、小于80微米。
[0020]优选的，LED芯片的电极包括间隔设置的第一电极和第二电极；
[0021]预设金属形状包括间隔设置的第一金属层和第二金属层，且第一金属层间隔设于第一电极周侧，第二金属层间隔设于第二电极周侧。
[0022]一种高光效双层覆膜CSP封装结构，包括：
[0023]LED芯片，其底部设有电极，所述电极包括间隔设置的第一电极和第二电极；
[0024]金属层，包括间隔设置的第一金属层和第二金属层，且所述第一金属层间隔设于所述第一电极周侧，所述第二金属层间隔设于所述第二电极周侧；
[0025]第一荧光胶层，其设于所述LED芯片顶部或设于所述LED芯片周侧和顶部，所述第一荧光胶层包括胶体和混合于所述胶体内的荧光粉，所述荧光粉的发射波长为600nm
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780nm；
[0026]第二荧光胶层，其封装所述LED芯片、所述第一荧光胶层和所述金属层，并使所述电极底部表面和所述金属层底部表面裸露，所述第二荧光胶层包括胶体和混合于所述胶体内的荧光粉，所述荧光粉的发射波长为380nm
‑
780nm。
[0027]与现有技术相比，本申请的有益效果如下：
[0028]本申请提供一种高光效双层覆膜CSP封装结构的制作工艺，在金属基材上制作出预设金属图案以形成金属层，且金属层与LED芯片电极间隔设置，通过设置金属层可充当LED芯片电极的扩展焊盘，增大了CSP的可焊接面积，可以有效地改善现有CSP封装结构有效焊接面积较小问题，提升CSP的焊接附着力和CSP后端产品的可靠性及生产良率，同时在LED芯片顶部先设置第一荧光胶层，再使用第二荧光胶层进行封装，通过二次覆膜可有效地提升CSP的发光光效，节能省电，使得发光效率更高，且本申请的CSP封装结构没有固晶焊料，可以有效的避免后段温度过高引起的CSP固晶焊料二次熔融的问题，解放后端产品的温度局限，适用于多次回流焊的复杂工艺。
[0029]本申请提供一种高光效双层覆膜CSP封装结构，包括LED芯片、金属层、第一荧光胶层和第二荧光胶层，LED芯片底部设有电极，在LED芯片顶部或顶部和周侧设置第一荧光胶层，在电极周侧间隔设置有金属层，第二荧光胶层将LED芯片和金属层进行封装，本申请通过设置金属层可充当LED芯片电极的扩展焊盘，增大CSP的可焊接面积，提升CSP的焊接附着力，提升产品可靠性和生产良率，通过二次覆膜可有效地提升CSP的光效，使得发光效率更高，且本申请的CSP封装结构没有固晶焊料，可以有效的避免后段温度过高引起的CSP固晶焊料二次熔融的问题。
附图说明
[0030]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
[0031]图1是本申请实施例1一种高光效双层覆膜CSP封装结构的制作工艺流程示意图。
[0032]图2是本申请实施例1中一种高光效双层覆膜CSP封装结构的结构示意图。
[0033]图3是本申请实施例1中一种高光效双层覆膜CSP封装结构的截面示意图。
[0034]图4是本申请实施例1中一种高光效双层覆膜CSP封装结构仰视角的结构示意图。
[0035]图5是本申请实施例1中步骤“制作含电极和发光层的晶元片”的结构示意图。
[0036]图6是本申请实施例1中步骤“在晶元片顶部设置第一荧光胶层”的结构示意图。
[0037]图7是本申请实施例1中步骤“切割成含第一荧光胶层的单颗LED芯片”的结构示意图。
[0038]图8是本申请实施例1中步骤“在金属基材上制作出预设金属形状”的结构示意图。
[0039]图9是本申请实施例1中步骤“将金属层设置于承载膜上”的结构示意图。
[0040]图10是本申请实施例1中步骤“在承载膜上排列LED芯本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高光效双层覆膜CSP封装结构的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：在金属基材上制作出预设金属形状，以形成金属层(2)；将金属层(2)设置于承载膜(5)上；在承载膜(5)上排列LED芯片(1)，并使LED芯片(1)的电极(10)与金属层(2)之间形成间距；在LED芯片(1)上设置第一荧光胶层(3)，使第一荧光胶层(3)设置于LED芯片(1)顶部或包覆LED芯片(1)周侧和顶部；在LED芯片(1)上设置第二荧光胶层(4)，使第二荧光胶层(4)包覆LED芯片(1)、第一荧光胶层(3)和金属层(2)，并使LED芯片(1)的电极(10)底部表面和金属层(2)底部表面裸露；切割成单个CSP封装结构，即得。2.根据权利要求1所述的一种高光效双层覆膜CSP封装结构的制作工艺，其特征在于：步骤“在LED芯片(1)上设置第一荧光胶层(3)”于步骤“在承载膜(5)上排列LED芯片(1)”之前进行，具体包括：制作含电极(10)和发光层(11)的晶元片，在晶元片顶部设置第一荧光胶层(3)，切割成含第一荧光胶层(3)的单颗LED芯片(1)。3.根据权利要求1所述的一种高光效双层覆膜CSP封装结构的制作工艺，其特征在于：步骤“在LED芯片(1)上设置第一荧光胶层(3)”于步骤“在承载膜(5)上排列LED芯片(1)”之后进行，具体包括：将荧光胶膜从LED芯片(1)的正上方压下，荧光胶对LED芯片(1)与金属层(2)之间的间隙进行填充，按预设的尺寸去除部分不需要的荧光胶，使得荧光胶包覆LED芯片(1)周侧和顶部，形成第一荧光胶层(3)。4.根据权利要求1所述的一种高光效双层覆膜CSP封装结构的制作工艺，其特征在于：第一荧光胶层(3)包括胶体和混合于胶体内的荧光粉，荧光粉的发射波长为600nm
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780nm。5.根据权利要求1所述的一种高光效双层覆膜CSP封装结构的制作工艺，其特征在于：第二荧光胶层(4)包括胶体和混合于胶体内的荧光粉，荧光粉的发射波长为380nm
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780...
【专利技术属性】
技术研发人员：皮保清，王洪贯，罗德伟，石红丽，
申请(专利权)人：中山市木林森电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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