【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电子，具体而言，涉及一种电压电平移位器。
技术介绍
1、电压电平移位器是电子系统中的重要组成部分，可以将输入为低压域的脉宽调制(pulse width modulation，简称pwm)控制信号输出为浮动电压域的控制信号，从而开启或关断上桥臂功率管。然而电压电平移位器在工作过程中会受到开关节点电压vsw快速变换所带来的干扰，即dv/dt瞬态干扰。
2、目前，随着第三代半导体的广泛应用，dv/dt瞬态干扰甚至会高达100v/ns，电压电平移位器无法抑制高达100v/ns的瞬态干扰，直接影响信号传输的可靠性，导致上桥臂功率管的误操作，从而损坏电路。因此，亟需提供一种可抑制高瞬态干扰的电压电平移位器。
技术实现思路
1、本申请的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种电压电平移位器，以解决现有技术中电压电平移位器无法抑制高瞬态干扰，影响信号传输可靠性的实际需要的问题。
2、为实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：
3、第一方面，本申请实施例提供一种电压电平移位器，包括输入级、瞬态干扰抑制模块以及输出级；所述瞬态干扰抑制模块包括：第一电流镜、第二电流镜、第三电流镜、第四电流镜、第一开关单元以及第二开关单元；
4、所述第一电流镜的第一输入端与所述输入级的第一端连接，所述第二电流镜的第一输入端与所述输入级的第二端连接；所述第一电流镜的第二输入端以及所述第二电流镜的第二输入端均连接至浮动电压源；所述第一电流镜的第一输出端与所述
5、所述第三电流镜的输出端以及所述第四电流镜的输出端均连接至相对浮动地；所述第一开关单元的第二端与所述第二电流镜的第二输出端连接，所述第一开关单元的第三端与所述第三电流镜的第三输入端连接，所述第一开关单元的第四端用于连接所述输出级的第一端；所述第二开关单元的第二端与所述第一电流镜的第三输出端连接，所述第二开关单元的第三端与所述第四电流镜的第三输入端连接，所述第二开关单元的第四端用于连接所述输出级的第二端。
6、作为一种可选的实现方式，所述第一电流镜包括：第一p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管、第三p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管、第二p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管以及第七p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管；
7、所述第一p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极、所述第二p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极、所述第三p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极以及所述第七p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极均连接至所述浮动电压源；
8、所述第一p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极分别与所述第三p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极、所述第二p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极以及所述第七p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接；
9、所述第一p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极与所述输入级的第一端连接，所述第七p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极与所述第二开关单元的第一端连接，所述第二p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极与所述第三电流镜的第一输入端连接，所述第三p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极与所述第四电流镜的第二输入端以及所述输出级的第三端连接。
10、作为一种可选的实现方式，所述第二电流镜包括：第四p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管、第五p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管、第六p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管以及第八p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管；
11、所述第四p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极、所述第五p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极、所述第六p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极以及所述第八p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极均连接至所述浮动电压源；
12、所述第四p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极分别与所述第五p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极、所述第六p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极以及所述第八p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接；
13、所述第四p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极与所述输入级的第二端连接，所述第八p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极与所述第一开关单元的第一端连接，所述第六p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极与所述第三电流镜的第二输入端以及所述输出级的第四端连接，所述第五p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极与所述第四电流镜的第一输入端连接。
14、作为一种可选的实现方式，所述第三电流镜包括：第一n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管、第二n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管以及第六n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管；
15、所述第一n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极、所述第二n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极以及所述第六n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极均连接至所述相对浮动地；
16、所述第一n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极分别与所述第二n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极以及所述第六n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接；
17、所述第一n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极与所述第一电流镜的第二输出端连接，所述第二n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极与所述第二电流镜的第二输出端连接，所述第六n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极与所述第一开关单元的第三端连接。
18、作为一种可选的实现方式，所述第四电流镜包括：第三n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管、第四n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管以及第五n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管；
19、所述第三n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极、所述第四n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极以及所述第五n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极均连接至所述相对浮动地；
20、所述第三n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极分别与所述第四n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极以及所述第五n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接；
21、所述第三n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极与所述第二电流镜的第三输出端连接，所述第四n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极与所述第一电流镜的第三输出端连接，所述第五n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极与所述第二开关单元的第三端连接。
22、作为一种可选的实现方式，所述第一开关单元包括：第本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种电压电平移位器，其特征在于，包括输入级、瞬态干扰抑制模块以及输出级；所述瞬态干扰抑制模块包括：第一电流镜、第二电流镜、第三电流镜、第四电流镜、第一开关单元以及第二开关单元；
2.根据权利要求1所述的电压电平移位器，其特征在于，所述第一电流镜包括：第一P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管、第三P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管、第二P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管以及第七P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管；
3.根据权利要求1所述的电压电平移位器，其特征在于，所述第二电流镜包括：第四P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管、第五P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管、第六P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管以及第八P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管；
4.根据权利要求1所述的电压电平移位器，其特征在于，所述第三电流镜包括：第一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管、第二N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管以及第六N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管；
5.根据权利要求1所述的电压电平移位器，其特征在于，所述第四电流镜包括：第三N沟道金属氧化物半导
6.根据权利要求1所述的电压电平移位器，其特征在于，所述第一开关单元包括：第十P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管以及第八N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管；
7.根据权利要求1所述的电压电平移位器，其特征在于，所述第二开关单元包括：第九P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管以及第七N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管；
8.根据权利要求1-7任一项所述的电压电平移位器，其特征在于，所述输出级包括：第一反相器、第二反相器、第三反相器以及第四反相器；
9.根据权利要求1-7任一项所述的电压电平移位器，其特征在于，所述输入级包括：第一导通单元、脉冲触发器以及第二导通单元；
10.根据权利要求9所述的电压电平移位器，其特征在于，所述第一导通单元包括：第一高压N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管；
...【技术特征摘要】
1.一种电压电平移位器，其特征在于，包括输入级、瞬态干扰抑制模块以及输出级；所述瞬态干扰抑制模块包括：第一电流镜、第二电流镜、第三电流镜、第四电流镜、第一开关单元以及第二开关单元；
2.根据权利要求1所述的电压电平移位器，其特征在于，所述第一电流镜包括：第一p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管、第三p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管、第二p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管以及第七p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管；
3.根据权利要求1所述的电压电平移位器，其特征在于，所述第二电流镜包括：第四p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管、第五p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管、第六p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管以及第八p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管；
4.根据权利要求1所述的电压电平移位器，其特征在于，所述第三电流镜包括：第一n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管、第二n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管以及第六n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管；
5.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：王亮，刘大伟，范建林，庄巍，郭婵，伍超明，陈晓锋，田仁宽，余璐洋，庞凯悦，王婷婷，
申请(专利权)人：广东省科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
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