本发明公开一种三维芯片堆叠结构及制备方法，方法包括形成导电结构；在芯片的第一表面和/或第二表面制备半固化状态的有机膜，并在有机膜上开窗以露出第一导电结构和/或第二导电结构；在较低温度下，依次将上层芯片的第一导电结构固定在下层芯片的第二导...

本发明涉及光电子材料技术领域，提供了一种大界面籽晶平界面生长YAG系列激光晶体的方法。本发明采用特定形态的大界面籽晶，通过平界面提拉法生长YAG系列激光晶体，预拉后直接进行等径生长，大幅减小了操作难度，缩短了晶体的生长周期；并且，本发明...

本发明的实施例提供了一种芯片制作方法及封装结构，涉及电路封装技术领域，其中，芯片制作方法包括提供至少两层晶圆层；晶圆层包括表层以及至少一中间层；中间层设置有贯通的连接柱；中间层以及表层的功能面上设置有键合层；中间层以及表层的功能面上还设...

本申请提供一种肖特基势垒薄膜晶体管及其制备方法和显示面板，涉及半导体技术领域

本申请提供了一种控温装置与系统，涉及电磁透镜控温技术领域

本申请提供了一种图案化量子点薄膜的制备方法及全彩化显示器，涉及图案化量子点薄膜技术领域

本发明公开一种带电粒子电磁透镜相变冷却装置，所述电磁透镜中包括有电磁线圈，所述冷却装置包括布置在所述电磁线圈的顶面

本发明公开了一种CoNiP纳米三元磷化物光催化剂及其制备方法、应用，涉及光催化技术领域。包括在溶液中加入钴源、镍源混合后再加入磷源反应得到反应液，将反应液干燥制得粉末前体，再将粉末前体进行热处理。通过将钴源、镍源和磷源进行混合反应，制备...

本申请公开了3D堆叠封装结构及其制造方法。3D堆叠封装结构包括底层结构和顶层结构，顶层结构叠置在底层结构上。底层结构和顶层结构中的每一者包括：衬底层；金刚石层，该金刚石层生长于衬底层上；经注入离子的硅晶圆层，该经注入离子的硅晶圆层贴附至...

本申请的实施例提供了一种扇出封装结构及其制备方法，涉及芯片技术领域。本申请实施例提供的扇出封装结构，以及本申请实施例提供的制备方法制备得到的扇出封装结构，在芯片的功能面之间具有芯片间精细内互连线路，使相邻芯片的精细互连引脚焊盘形成电互连...

本申请公开了填埋式三维扇出封装结构及其制备方法。填埋式三维扇出封装结构的制备方法包括：提供多面管脚芯片，其中多面管脚芯片的管脚分布于多面管脚芯片的多个侧面的不同位置；基于多面管脚芯片制作芯片模块，芯片模块的管脚位于同一平面内；将芯片模块...

本发明的实施例提供了一种涉及半导体技术领域的肖特基势垒金属氧化物薄膜晶体管及制备方法，包括：基底、栅极层、栅介质层、金属氧化物半导体层、金属氧化物绝缘层和电极层，电极层包括源电极以及漏电极，采用非贵金属材料。绝缘层既作为半导体层的刻蚀阻...

本发明公开了一种实现衬底重复利用的器件的制备方法及其应用，涉及半导体器件技术领域。通过在蓝宝石衬底表面形成凹陷区和凸起区，且在凸起区上形成Si介质层和高Al含量的预缓冲层，由于凸起区之间相互独立，使得Al基材料在Si介质层上生长时能够释...

本发明公开一种用于柔性电磁屏蔽纸的电磁屏蔽模板及其制备方法、柔性电磁屏蔽纸及其制备方法，电磁屏蔽模板包括临时载板；设置在临时载板上的电磁屏蔽单元，电磁屏蔽单元包括至少两个导电纳米线模块，所有的导电纳米线模块均相对临时载板朝向一特定方向倾...

本发明公开一种深紫外发光器件中的量子点的制备方法及深紫外发光器件外延方法，其中，深紫外发光器件中的量子点的制备方法包括以下步骤：S20:制备上表面具有锯齿形宏台阶形貌的垒层；S30:在垒层上外延生长GaN层；S40:对GaN层进行脱附处...

本发明公开一种便于探测的紫外发光芯片、其制备方法及应用，其中，便于探测的紫外发光芯片包括依次设置的电子传输层、复合有源区和电子阻挡层；其中，复合有源区包括依次设置的可见光量子阱区和深紫外量子阱区，且可见光量子阱区设在深紫外量子阱区的背离...

本发明公开了一种基于LPC材料的封装载板的制备方法，包括以下步骤：S1.在临时载板上涂布临时键合层，再将第一LCP层涂布至所述临时键合层上；S2.在所述第一LCP层上制作精细金属线路；S3.在S2精细金属线路表面热压第二LCP层；S4....

本发明公开一种多电子束场曲校正模块及电子束光柱体，多电子束场曲校正模块包括：基座和设置在基座上的聚焦像面调节结构阵列，聚焦像面调节结构阵列包含有与通过多电子束场曲校正模块的电子束阵列中的电子束一一对应的聚焦像面调节结构，聚焦像面调节结构...

本发明涉及散射光学技术领域，公开了一种散射光学计算方法、装置、计算机设备及存储介质。方法包括：对样品膜的粒子平均直径、体积分数和样本厚度进行初始随机训练，得到样品膜的散射颗粒部分的厚度分布；对厚度分布进行傅里叶变换，得到相应的空间频谱，...

本发明提供一种存储器的测试方法，包括：按照第一地址顺序于测试区域内的所有存储单元中写入正棋盘格图形；按照第二地址顺序于测试区域内的所有存储单元中写入正棋盘格图形；按照第三地址顺序对测试区域内的所有存储单元进行读操作；按照第四地址顺序对测...