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广东省科学院半导体研究所专利技术
广东省科学院半导体研究所共有240项专利
电子束聚焦偏转系统及电子束光柱体技术方案
本发明公开一种电子束聚焦偏转系统及电子束光柱体,其电子束聚焦偏转系统包括:物镜,设置在电子束光柱体内的电子束射出路径上,用于形成精细电子束束斑,照射到样品上;磁偏转器,设置在电子束射出路径上,用于对电子束产生定位作用;静电偏转器,设置在...
一种垂直结构深紫外LED器件及其制备方法技术
本申请公开了一种垂直结构深紫外LED器件及其制备方法,涉及半导体器件技术领域,本申请的垂直结构深紫外LED器件的制备方法包括:提供复合衬底,并在复合衬底上形成发光外延片;刻蚀发光外延片形成纳米孔洞,形成光子晶体结构,在纳米孔洞内沉积第一...
半导体单晶材料的制备方法技术
本发明公开一种半导体单晶材料的制备方法,其包括以下步骤:采用异质衬底进行材料制备;在200℃
高出光的深紫外LED薄膜芯片结构及其制备方法技术
本发明公开一种高出光的深紫外LED薄膜芯片结构及其制备方法,结构包括合拢层和与合拢层邻接的深紫外LED发光本体,合拢层包括至少二个离散布置的凸台结构,且所有离散布置的凸台结构在其与深紫外LED发光本体邻接端相互连接形成连续的合拢表面,深...
一种智能物联网浊度仪制造技术
一种智能物联网浊度仪,涉及智能检测领域,包括通水管道、光源系统、检测器和AIoT模块,光源系统设置在通水管道上,光源系统用于照射通水管道内的液体;检测器设置在通水管道上,检测器用于接收并处理光源系统发出的光信号,以将光信号转化为电信号;...
一种单一N极性AlN薄膜制备方法技术
本发明公开一种单一N极性AlN薄膜制备方法,其包括以下步骤,S10:将第一模板覆盖在通过在耐高温的无硅衬底上沉积AlN薄膜得到的AlN模板中的AlN薄膜的上表面上,其中,第一模板含Al组分和N组分两者中的至少一者且耐高温;S20:将覆盖...
一种量子点光转换薄膜制作方法技术
本申请提供了一种量子点光转换薄膜制作方法,涉及半导体技术领域。首先提供一凹模板,其中,凹模板上设置有多个图案化凹槽,再沿凹模板的表面旋涂量子点聚合物复合材料,并形成量子点聚合物薄膜层,接着提供一临时基底,并将量子点聚合物薄膜层转移至临时...
一种甲酸气氛下纳米结构凸点键合方法技术
本申请实施例提供一种甲酸气氛下的键合方法和增强凸点互连结构键合方法,涉及芯片封装技术领域。在第一器件的第一管脚的生长位点内部填充铜柱,并在铜柱顶端制备低熔点焊料帽;在第二器件的第二管脚的生长位点内部填充低熔点焊料,形成低熔点焊料层,随后...
成形光阑阵列板、成形光阑阵列组件和电子束分束模块制造技术
本发明公开一种成形光阑阵列板、成形光阑阵列组件和电子束分束模块,其中,成形光阑阵列板包括基底,基底上阵列排布有N
可剥离氮化物结构、其包含的氮化物生长模板及其剥离方法技术
本发明提供了一种可剥离氮化物结构,其包括:氮化物生长模板以及在所述氮化物生长模板上依次形成的微纳米柱结构、腐蚀阻挡层和半导体器件层,其中,所述氮化物生长模板包括:导电支撑层及形成于所述导电支撑层上的氮化物生长层,所述氮化物生长层包括用于...
芯片粒精细互连封装结构及其制备方法技术
本发明公开一种芯片粒精细互连封装结构及其制备方法,方法包括在基板的第一侧面上贴装至少二颗芯片,并在芯片的第一表面上制备临时键合层;在基板的第二侧面制备塑封层,其中,基板上制备有微孔,塑封层的塑封材料能够自所述微孔流入至基板的第一侧面与临...
一种肖特基二极管及其制作方法技术
本申请提供了一种肖特基二极管及其制作方法,涉及半导体技术领域。首先提供一衬底;然后基于衬底的一侧制作阴极电极,再基于阴极电极的远离衬底的一侧制作半导体层;其中,半导体层与阴极电极形成欧姆接触,接着基于半导体的远离衬底的一侧制作厚度小于预...
精确调制富硅氧化硅薄膜微观结构的方法及其制得的产物技术
本发明公开一种精确调制富硅氧化硅薄膜微观结构的方法及其制得的产物,其中,精确调制富硅氧化硅薄膜微观结构的方法包括以下步骤S20:在透射电镜中原位加热SiO
一种半导体结构及其制作方法技术
本申请提供了一种半导体结构及其制作方法,涉及半导体技术领域。该半导体结构包括蓝宝石衬底,位于蓝宝石衬底一侧的AlN缓冲层,位于AlN缓冲层的远离蓝宝石衬底一侧的籽晶层,其中,籽晶层中包括多个间隔设置的基岛,位于籽晶层的远离蓝宝石衬底一侧...
用于关键尺寸量测装置的聚焦偏转模块及电子束光柱体制造方法及图纸
本发明公开一种用于关键尺寸量测装置的聚焦偏转模块及电子束光柱体,其中,用于关键尺寸量测装置的聚焦偏转模块包括沿电子束的入射方向依次设置、且均能够对电子束进行变轴处理的一级聚焦偏转系统和二级聚焦偏转系统;其中,一级聚焦偏转系统和二级聚焦偏...
一种AlN衬底制作方法、复合衬底以及AlN衬底技术
本申请提供了一种AlN衬底制作方法、复合衬底以及AlN衬底,涉及半导体技术领域。首先提供基质衬底,然后基于基质衬底的表面沉积第一AlN层,再基于第一AlN层的表面沉积第二AlN层,并获取晶圆;其中,第一AlN层的致密性低于第二AlN层的...
一种发光二极管及其制作方法技术
本申请提供了一种发光二极管及其制作方法,涉及半导体技术领域。首先基于衬底的一侧制作主体层,其中,主体层包括逐层生长的第一电注入层、发光层以及第二电注入层,通过刻蚀工艺沿第二电注入层的位错进行刻蚀,以在主体层上形成刻蚀坑,其中,部分或全部...
基板键合方法技术
本公开提供了一种基板键合方法,其中,该基板键合方法可以包括:提供第一基板和第二基板;在第一基板上形成第一金属微凸点阵列,第一金属微凸点阵列包括形成在第一基板上的至少一个第一金属柱以及形成在第一金属柱上的彼此间隔开的多个第一金属纳米线;在...
可剥离氮化物结构及其制备方法和剥离方法技术
本发明公开一种可剥离氮化物结构及其制备方法和剥离方法,其中,可剥离氮化物结构包括依次设置的衬底、缓冲层、牺牲层、腐蚀层和目标氮化物结构;其中,牺牲层具有贯穿式裂纹。由于在缓冲层和目标氮化物结构中引入了具有贯穿式裂纹的牺牲层,贯穿式裂纹可...
一种三维位移台及其控制系统技术方案
本申请提供了一种三维位移台及其控制系统,涉及位移台技术领域。该三维位移台包括台体、X轴电机、Y轴电机、Z轴电机、X轴传感器、Y轴传感器、Z轴传感器以及控制器,控制器分别与X轴电机、Y轴电机、Z轴电机、X轴传感器、Y轴传感器以及Z轴传感器...
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