电子束聚焦偏转系统及电子束光柱体技术方案

本发明专利技术公开一种电子束聚焦偏转系统及电子束光柱体，其电子束聚焦偏转系统包括：物镜，设置在电子束光柱体内的电子束射出路径上，用于形成精细电子束束斑，照射到样品上；磁偏转器，设置在电子束射出路径上，用于对电子束产生定位作用；静电偏转器，设置在电子束射出路径上，嵌套在磁偏转器中，用于对电子束产生偏转使电子束在样品上进行扫描。本发明专利技术同时加入磁偏转器和静电偏转器，将扫描场分为两部分，一部分利用磁偏转器的像差低的特点对电子束的定位，另一部分利用静电偏转器的扫描速度高的特点对电子束偏转，结合磁偏转器和静电偏转器均置于物镜内的优点，使得整体光柱体更加紧凑、高效，能够既保证了像差精度，又能够提高扫描速度。描速度。描速度。

【技术实现步骤摘要】
电子束聚焦偏转系统及电子束光柱体


[0001]本专利技术涉及电子束
，尤其涉及一种电子束聚焦偏转系统及电子束光柱体。

技术介绍

[0002]电子束光柱体是电子束光刻机、电子束缺陷检测、电子束关键尺寸量测等半导体专用装备的核心系统。电子束光柱体的基本功能和要求是发射电子束，通过透镜或物镜聚焦获得高分辨率聚焦束斑和尽可能高的束流，通过偏转器在样品上扫描进行二维光刻、或进行量测、获得二维图像。为了在二维扫描场内实现高的分辨率，通常将物镜和偏转器进行组合设计，综合考虑各类像差以获得最优值。为获得好的成像或检测质量或光刻效率，通常要求电子束光柱体能实现尽可能大的电子束束流和扫描速度。但是，大的束流会因为空间电荷效应而使得束斑性能变差。一种有效的方法是设计复合聚焦偏转系统并减小光柱体长度以减小像差和空间电荷效应影响。为获得较小的光柱体长度和较优的束斑性能，JEOL公司Tadashi Komagata等人设计了物镜内单偏转器聚焦偏转系统，其中，偏转器采用静电偏转器。静电偏转器的好处是具有很高的扫描速度，但是相对磁偏转器，具有大的像差。静电偏转器的这个性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.电子束聚焦偏转系统，设置于电子束光柱体内的电子枪(201)与样品(205)之间，其特征在于，包括：物镜(101)，设置在电子束光柱体内的电子束(102)射出路径上，用于形成精细电子束束斑，照射到样品(205)上；磁偏转器(103)，设置在电子束(102)射出路径上，用于对电子束(102)产生定位作用；静电偏转器(104)，也设置在电子束(102)射出路径上，用于对电子束(102)产生偏转使电子束(102)在样品(205)上进行扫描。2.根据权利要求1所述的电子束聚焦偏转系统，其特征在于，所述磁偏转器(103)和静电偏转器(104)均设置在物镜(101)内。3.根据权利要求1或2所述的电子束聚焦偏转系统，其特征在于，所述静电偏转器(104)嵌套于磁偏转器(103)中。4.根据权利要求3所述的电子束聚焦偏转系统，其特征在于，所述磁偏转器(103)包括磁偏转骨架(13)和同轴绕制在磁偏转骨架(13)上的第一线圈对(11)和第二线圈对(12)，所述第一线圈对(11)用于对电子束(102)在X方向上偏转，所述第二线圈对(12)与第一线圈对(11)之间呈90
°
相对角度安装，以用于对电子束(102)在Y方向上偏转，所述X方向和所述Y方向均为与电子束(102)的射出方向垂直的方向，所述磁偏转骨架(13)为管状结构，所述电子束(102)通过磁偏转器(103)时由磁偏转骨架(13)内部通过。5.根据权利要求4所述的电子束聚焦偏转系统，其特征在于，所述磁偏转骨架(13)内嵌有空心管(14)。6.根据权利要求5所述的电子束聚焦偏转系统，其特征在于，所述静电偏转器(104)设置在空心管(14)内，所述静电偏转器(104)包括绝缘骨架(21)，以及以绝缘骨架(21)的轴线为中心均布设置的电极组(22)，电极组(22)包括以绝缘骨架(21)的轴线为中心均布间隔设置的电极(221)。7.电子束光柱体，其特征在于，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘珠明，张衍俊，李全同，周洁林，陈志涛，
申请(专利权)人：广东省科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：