【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体而言，涉及一种氮化物hemt结构及其制作方法。
技术介绍
1、gan材料具有禁带宽度大、击穿电场强和化学性能稳定等诸多优势，是高温、高功率电力电子器件的首选材料之一。特别是随着新能源汽车、清洁能源发电、数据中心等电气化、信息化的大力发展，对具有高效率、大功率的gan电力电子器件的大规模应用需求更加迫切。
2、gan hemt(high electron mobility transistor，高电子迁移率晶体管)因其存在高电子浓度、高电子漂移速度的2deg，在电力电子器件应用中可以实现大电流、高开关速度，相比传统的si基器件，具有耐压、高功率、高效率的巨大优势，是目前研究和产业化的重点方向。
3、为了提高电子器件的工作电流，需要提升gan hemt的二维电子气浓度，一般采用增加gan/algan异质界面处algan势垒层的al组分，但是al组分增加会导致和gan沟道出现较大的晶格失配从而产生势垒层外延龟裂，导致器件不良，因此势垒层al组分的增加有其局限性。
4、综上，现有技术中存...
【技术保护点】
1.一种氮化物HEMT结构制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的氮化物HEMT结构制作方法，其特征在于，基于所述沟道层的远离所述衬底的一侧生长势垒层并进行高温脱附处理的步骤包括：
3.如权利要求1所述的氮化物HEMT结构制作方法，其特征在于，所述势垒层包括多个子层，基于所述沟道层的远离所述衬底的一侧生长势垒层并进行高温脱附处理的步骤包括：
4.如权利要求3所述的氮化物HEMT结构制作方法，其特征在于，每生长一个子层后，按不同脱附条件对所述子层进行高温脱附的步骤包括：
5.如权利要求3所述的氮化物HE...
【技术特征摘要】
1.一种氮化物hemt结构制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的氮化物hemt结构制作方法，其特征在于，基于所述沟道层的远离所述衬底的一侧生长势垒层并进行高温脱附处理的步骤包括：
3.如权利要求1所述的氮化物hemt结构制作方法，其特征在于，所述势垒层包括多个子层，基于所述沟道层的远离所述衬底的一侧生长势垒层并进行高温脱附处理的步骤包括：
4.如权利要求3所述的氮化物hemt结构制作方法，其特征在于，每生长一个子层后，按不同脱附条件对所述子层进行高温脱附的步骤包括：
5.如权利要求3所述的氮化物hemt结构制作方法，其特征在于，每生长一个子层后，按不同脱附条件对所述子层进行高温脱附的步骤包括：
6.如权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：张康，何晨光，吴华龙，刘云洲，赵维，陈志涛，
申请(专利权)人：广东省科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
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