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本申请提供了一种氮化物HEMT结构及其制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供一衬底，并基于衬底的表面生长缓冲层，再基于缓冲层的远离衬底的一侧生长沟道层，接着基于沟道层的远离衬底的一侧生长势垒层并进行高温脱附处理，以提升势垒层中铝组分数值，且...
该专利属于广东省科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过广东省科学院半导体研究所授权不得商用。

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