一种LED芯片结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体发光器件技术领域，具体涉及一种LED芯片结构及其制备方法，其中，LED芯片结构包括：衬底层；GaN缓冲层；若干间隔排布的第一N型GaN层，位于GaN缓冲层背离衬底层的一侧表面，任意的第一N型GaN层的宽度自衬底层至GaN缓冲层方向逐渐递减；若干间隔排布的第二N型GaN层，位于第一N型GaN层背离衬底层的一侧表面，任意第二N型GaN层中具有纳米孔，第二N型GaN层与第一N型GaN层一一对应；若干间隔排布的I nGaN/GaN发光层，位于第二N型GaN层背离所述衬底层的一侧，I nGaN/GaN发光层与第二N型GaN层一一对应；P型GaN层。LED芯片结构的发光效率高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体发光器件，具体涉及一种led芯片结构及其制备方法。

技术介绍

1、发光二极管被誉为新一代的照明光源，在室内外照明、大屏显示、背光、交通信号灯、汽车灯等各个领域都具有广泛的应用。

2、氮化镓(gan)作为宽禁带半导体材料在led领域备受瞩目，具有高转换效率、高工作频率以及良好的光学性能。然而，由于其带隙为3.42ev，对应的发光波长位于365nm左右，处于紫外光区，这限制了其在普通照明中的应用。

3、为了克服这一问题，引入i ngan材料作为gan的补充，形成i ngan/gan多量子阱结构，并通过对i n组分的调控，i ngan可实现0.7ev-3.42ev范围的可调带宽，从红外到紫外的发光波长都能实现。

4、然而对于a常数和c常数，gan和i nn之间的晶格失配分别为10.7％和15.0％。这会使得引入更高i n组分实现红光发光极具困难。与此同时，这种失配会使i ngan层中存在较高的应力累积，通过形成缺陷，以释放累积的应力，降低了led芯片结构的发光性能。因此，需要提供一种led芯片结构及其制备方本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种LED芯片结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于，任意所述第二N型GaN层中的纳米孔的数量为若干个，若干个纳米孔在所述第二N型GaN层中均匀排布。

3.根据权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于，任意所述第二N型GaN层中纳米孔的总体积占所述第二N型GaN层的体积的20％-70％。

4.根据权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于，任意所述第二N型GaN层中纳米孔的直径为20nm-90nm。

5.根据权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于，所述第二N型GaN层的厚度为1.5μm-2.5...

【技术特征摘要】

1.一种led芯片结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的led芯片结构，其特征在于，任意所述第二n型gan层中的纳米孔的数量为若干个，若干个纳米孔在所述第二n型gan层中均匀排布。

3.根据权利要求1所述的led芯片结构，其特征在于，任意所述第二n型gan层中纳米孔的总体积占所述第二n型gan层的体积的20％-70％。

4.根据权利要求1所述的led芯片结构，其特征在于，任意所述第二n型gan层中纳米孔的直径为20nm-90nm。

5.根据权利要求1所述的led芯片结构，其特征在于，所述第二n型gan层的厚度为1.5μm-2.5μm。

6.根据权利要求1所述的led芯片结构，其特征在于，任意的ingan/gan发光层包括至少一个ingan/gan发光单元层，所述ingan/gan发光单元层包括在垂直于所述衬底层的表面的方向上层叠的ingan量子阱层和gan势垒层；

7.根据权利要求1所述的led芯片结构，其特征在于，所述第二n型gan层的掺杂浓度大于所述第一n型gan层的掺杂浓度。

8.根据权利要求7所述的led芯片结构，其特征在于，所述第二n型gan层的掺杂浓度至少比所述第一n型gan层的掺杂浓度大一个数量级。

9.根据权利要求1所述的led芯片结构，其特征在于，还包括：若干间隔排布的第三n型gan层，位于所述第二n型gan层与所述ingan/gan发光层之间。

10.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢卫芳，王梦童，包洋，黄凯，李金钗，杨旭，张荣，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：