专利查询
首页
专利评估
登录
注册
广东省科学院半导体研究所专利技术
广东省科学院半导体研究所共有240项专利
一种微型LED成品及微型LED成品制备方法技术
本发明的实施例提供了一种微型LED成品及微型LED成品制备方法,涉及显示技术领域。该微型LED成品利用微型LED成品制备方法制得,其中微型LED成品制备方法包括制备微型LED阵列,进而使用电流体喷印设备喷印墨水于上述制备完成的微型LED...
大功率LED光源系统热管理结构技术方案
本发明公开一种大功率LED光源系统热管理结构,包括散热结构,散热结构包括均热件和散热件,均热件包括蒸发段、冷凝段、设置在均热件内部的冷凝工质以及设置在均热件内部的不凝性气体,冷凝段与散热件热交换,贮气室,为可变容积腔体结构,设置在冷凝段...
纳米多孔氮化钒材料及其制备方法和储能器件技术
本发明公开了纳米多孔氮化钒材料及其制备方法和储能器件。制备方法,包括:采用电解的方式,以钒金属片作为阳极,利用阳极氧化作用在钒金属片上形成多个纳米孔洞得到纳米多孔结构的中间材料;将纳米多孔结构的中间材料与含氮物质反应得到纳米多孔氮化钒材...
一种晶体管及其制作方法及电子设备技术
本申请提供了一种晶体管及其制作方法及电子设备,涉及半导体领域。该晶体管包括芯片本体与源漏电极,源漏电极设置于芯片本体的表层,其中,源漏电极包括:富铟层、位于富铟层一侧的氧化铝层、位于氧化铝层一侧的铝层以及位于铝层一侧的铜层。在本申请中氧...
具有高出光效率的深紫外薄膜LED及其制备方法技术
本发明公开一种具有高出光效率的深紫外薄膜LED及其制备方法,其中,具有高出光效率的深紫外薄膜LED包括支撑部;和设在支撑部上的引入有应变的薄膜状的深紫外LED芯片;其中,支撑部和深紫外LED芯片具有不同的热膨胀系数,应变是由与深紫外LE...
确定新奇电子表面态存在的方法及其应用技术
本发明公开一种确定新奇电子表面态存在的方法及其应用,其中,确定新奇电子表面态存在的方法包括以下步骤:测试原始样品的输运特性和磁阻特性;将直径不大于氩的惰性气体离子注入原始样品中,得到注入样品,原始样品中含有金属元素;测试注入样品的输运特...
绿色荧光零维钙钛矿的制备方法技术
本发明涉及荧光材料制备技术领域,公开了绿色荧光零维钙钛矿的制备方法,绿色荧光零维钙钛矿的化学式为Cs4PbBr6,包括:将有机胺和前驱体溶液混合反应,前驱体溶液为将PbBr2和CsBr同时溶于DMF中得到。本申请提供方法相对于现有的绿色...
一种光学传感装置、传感设备及系统制造方法及图纸
本申请提供了一种光学传感装置、传感设备及系统,涉及传感器领域。该光学传感装置包括光源、介质容腔以及感光元件,介质容腔包括本体和透光组件,透光组件与本体连接,本体设置有介质接口,介质接口用于连接感知器,感知器通过介质接口向本体注入透光介质...
非晶态铱纳米材料及其制备和应用制造技术
本发明公开一种非晶态铱纳米材料及其制备和应用,其中,非晶态铱纳米材料的制备方法包括以下步骤,S10:将三氯化铱、N,N
TEM截面样品的制备方法和TEM截面样品技术
本发明的实施例提供了一种TEM截面样品的制备方法和TEM截面样品,涉及纳米材料技术领域,其首先制备带有标记槽的待处理样品,且待处理样品的观测区域与标记槽在待处理样品的延展方向上间隔设置,然后对待处理样品上具有标记槽的表面进行减薄处理,以...
一种铜铟硒纳米晶体、纳米薄膜及其制备方法和电子器件技术
本发明的实施例提供了一种铜铟硒纳米晶体、纳米薄膜及其制备方法和电子器件,涉及半导体技术领域。该铜铟硒纳米晶体由铜铟硒纳米晶体的制备方法制备而成,该铜铟硒纳米薄膜由铜铟硒纳米薄膜的制备方法制备而成,其中电子器件包括上述的铜铟硒纳米薄膜。由...
投影物镜系统技术方案
本发明的实施例提供了一种投影物镜系统,涉及光学器件技术领域,该投影物镜系统包括沿光路设置第一透镜群组、光阑、第二透镜群组以及分光器,从而构成了物镜系统本体,第一透镜群组的焦距f1与物镜系统本体的焦距f之比在22到23之间,且第二透镜群组...
准直透镜及准直透镜设计方法技术
本发明公开一种准直透镜及准直透镜设计方法。准直透镜为旋转对称结构,光源中心设置在透镜旋转对称轴上,包括全内反射自由曲面组、低角度自由曲面组和高角度自由曲面组,光源发出的低角度入射光束经过低角度自由曲面组折射后准直射出;光源发出的高角度入...
一种半导体结构及其制作方法技术
本申请提供了一种半导体结构及其制作方法,涉及半导体技术领域。首先基于一衬底制备铝氮化合物缓冲层,然后对衬底与铝氮化合物缓冲层进行退火,以在衬底的一侧形成铝氮化合物薄膜,其中,铝氮化合物薄膜包括多个第一基岛,且相邻两个第一基岛之间间隔设置...
一种深紫外发光二极管结构及其制备方法技术
本发明涉及一种深紫外发光二极管结构及其制备方法,包括从下至上依次叠加的衬底、缓冲层、具有台面结构的N型AlGaN层、多量子阱层、P型层,所述N型AlGaN层的台面结构上设置有N型金属电极,所述P型层上设置有P型金属电极,所述N型AlGa...
触控基板及其制备方法、触控模组和显示装置制造方法及图纸
本申请涉及触控技术领域,提供了一种触控基板及其制备方法、触控模组和显示装置,该触控基板包括:衬底、导电功能层和第二保护层;导电功能层置于衬底的一侧;导电功能层包括图案化的纳米导电结构、第一保护层和边框引线结构;通过设置两层保护层结构对导...
芯片堆叠封装结构及芯片堆叠封装方法技术
本申请涉及能够低成本准确性高地实现芯片堆叠封装的芯片堆叠封装结构以及芯片堆叠封装方法,所述封装结构包括:基底芯片层,包括在正面具有引脚的基底芯片,至少一层堆叠芯片层,依次形成于所述基底芯片层,具有芯片间绝缘层以及贴装于所述芯片间绝缘层且...
扇出型封装及扇出型封装的制备方法技术
本申请涉及芯片封装领域,提供一种扇出型封装以及扇出型封装的制备方法。扇出型封装具有一颗或两颗以上相同或不同功能的芯片、粘合材料层、散热片、包封材料层、封装线路以及对所述封装线路进行保护的封装线路保护层;所述芯片的背面通过所述粘合材料层贴...
一种光源组件及光源系统技术方案
本实用新型的实施例提供了一种光源组件及光源系统,涉及照明技术领域。该光源系统包括外壳、底板以及光源组件,光源组件包括第一固定架、第二固定架、基板和发光件,第二固定架上设置有定位部,定位部与基板配合,以对基板进行定位;底板设置于外壳内,第...
发光二极管结构及其制备方法技术
本发明涉及发光二极管技术领域,公开了发光二极管结构及其制备方法,发光二极管结构包括依次设置的:衬底、AlN外延层、n型铝镓氮层、铝镓氮发光层以及p型层;n型铝镓氮层设置有从靠近所述铝镓氮发光层的一面向衬底的方向延伸的V形坑,铝镓氮发光层...
首页
<<
5
6
7
8
9
10
11
>>
尾页
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
127006
珠海格力电器股份有限公司
95414
中国石油化工股份有限公司
83358
浙江大学
77498
三星电子株式会社
66437
中兴通讯股份有限公司
66068
国家电网公司
59735
清华大学
54109
腾讯科技深圳有限公司
51743
华南理工大学
50033
最新更新发明人
南京航空航天大学
30612
金凤实验室
44
株式会社IST
21
日铁化学材料株式会社
404
谷歌有限责任公司
6708
凯迩必欧洲有限责任公司纳瓦拉分公司
3
江苏正力新能电池技术股份有限公司
1055
河北石油职业技术大学
177
佛山建发智慧城市科技有限公司
9
宁夏隆鼎电力有限公司
5