一种深紫外发光二极管结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种深紫外发光二极管结构及其制备方法，包括从下至上依次叠加的衬底、缓冲层、具有台面结构的N型AlGaN层、多量子阱层、P型层，所述N型AlGaN层的台面结构上设置有N型金属电极，所述P型层上设置有P型金属电极，所述N型AlGaN层台面结构区域与N型金属电极之间设置有不连续成膜的微纳图形。深紫外发光二极管结构的制作方法中通过修复型ICP刻蚀对所述不连续成膜的微纳图形及露出的N型AlGaN层台面结构区域进行刻蚀，消除了刻蚀形成的表面态并修复刻蚀损伤，改善金属与N型AlGaN层的欧姆接触特性。接触特性。接触特性。

【技术实现步骤摘要】
一种深紫外发光二极管结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及紫外发光二极管
，更具体地，涉及一种深紫外发光二极管结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]紫外LED光源具有体积小、无毒环保、寿命长等优点，在水质净化、消毒杀菌、全彩显示、光学存储，生化检测、短距通信等各个领域有着广泛的应用前景，日益显现出巨大的社会和经济价值。
[0003]低接触电阻率的N型欧姆接触是提升深紫外LED电光转换效率(WPE)必不可少的条件。在AlGaN基深紫外LED中，N型接触层一般是Al组分在0.5以上的高Al组分N－AlGaN，金属－半导体界面的势垒难以降低，且高Al组分(Al＞0.5) N－AlGaN更易在芯片工艺过程中发生刻蚀损伤和氧化，难以实现良好的欧姆接触。
[0004]AlGaN基深紫外LED制备过程中，需要将部分区域的 N－AlGaN之上的材料刻蚀去除，露出N－AlGaN表面后制备N接触电极。但由于刻蚀损伤、杂质污染、表面氧化等，导致刻蚀后的高Al组分N－AlGaN难以形成欧姆接触。目前高Al组分N－AlGaN与N电极之间的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种深紫外发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：S1：在外延衬底上依次生长缓冲层、N型AlGaN层、多量子阱层和P型层，得到AlGaN基外延片；S2：沿AlGaN基外延片的P型层到N型AlGaN层刻蚀出N型台面结构；S3：在所述N型AlGaN层台面结构上沉积插入薄膜并形成不连续成膜的微纳图形；S4：在所述不连续成膜的微纳图形及露出的N型AlGaN层部分表面进行修复型ICP刻蚀；S5：在所述修复型ICP刻蚀后的表面和P型层表面分别沉积一层N电极材料和P电极材料，分别形成N电极图形和P电极图形后再分别形成N金属电极和P金属电极。2.根据权利要求1所述的深紫外发光二极管的制备方法，其特征在于：所述步骤S4，具体步骤如下：S41：通入混合气体；S42：通过调节混合气体中的混合比例、刻蚀功率、刻蚀气压和气体流量条件使刻蚀速率达到0.1－20nm/min进行刻蚀，直至剩余不连续成膜的微纳图形的纵向高度为0.1nm－10nm。3.根据权利要求2所述的深紫外发光二极管的制备方法，其特征在于：所述步骤S41中通入的气体包括N2、H2、Ar、CHF3、Cl2中的一种或至少两种的组合。4.根据权利要求3所述的深紫外发光二极管的制备方法，其特征在于：所述步骤S3中，所述在所述N型AlGaN层台面结构上沉积插入薄膜的步骤包括：采用PECVD、磁控溅射...

【专利技术属性】
技术研发人员：李祈昕，刘宁炀，何晨光，陈志涛，赵维，吴华龙，
申请(专利权)人：广东省科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：