一种垂直结构深紫外发光二极管制造技术

本实用新型专利技术涉及一种垂直结构深紫外发光二极管，其包括自下而上设置的N

【技术实现步骤摘要】
一种垂直结构深紫外发光二极管


[0001]本技术属于半导体器件
，涉及一种深紫外发光二极管，更具体地，涉及一种垂直结构深紫外发光二极管。

技术介绍

[0002]AlGaN基深紫外发光二极管是一种新型的固态紫外光源，相较于传统汞灯电源紫外光源，具有发光波长连续可调、寿命长、体积小等诸多优势。因此，AlGaN基深紫外发光二极管已经在一些对光功率需求较小的应用场景替代汞灯，但在水消毒等功率要求高的应用上还无法取代汞灯。
[0003]目前，产品级的深紫外发光二极管外量子效率只有5％左右，这也限制了在市场上的推广和应用。导致深紫外发光二极管外量子效率低的一个主要因素是非常低的光提取效率。为了增加AlGaN基深紫外发光二极管中空穴的注入效率，现有的主流技术是采用P型GaN作为空穴注入层，而P型GaN对深紫外波段的光透过率极低，这也导致了目前非常低的光提取效率。
[0004]鉴于以上原因，目前大部分的AlGaN基深紫外发光二极管为倒装结构，在蓝宝石底部出光，同时也解决了蓝宝石散热差的问题。
[0005]但是，倒装结构发光二极管仍本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种垂直结构深紫外发光二极管，其包括自下而上设置的N
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AlGaN层(104)、多量子阱层(105)、P
‑
AlGaN层(106)和P
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GaN层(107)，其特征在于，所述P
‑
GaN层(107)的部分区域的全部或一部分被去除掉并在所述P
‑
GaN层(107)的上表面上沉积有一层反射层(201)，所述反射层(201)的上表面上沉积有一层粘合金属层(202)，所述粘合金属层(202)的上表面上结合有一层导电基板层(301)，所述N
‑
Al...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔志勇，尉尊康，李勇强，郭凯，薛建凯，张向鹏，张晓娜，王雪，
申请(专利权)人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：