【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片及紫外杀菌或固化装置
[0001]本技术涉及半导体器件
,具体涉及一种LED芯片及紫外杀菌或固化装置。
技术介绍
[0002]LED芯片是固态照明中的核心器件,具备寿命长,可靠性好、电光转换效率高等诸多优点。LED芯片亮度的提高基于两个效率的提高,即:内量子效率的提高及外量子效率的提高。其中,外量子效率的提高主要依赖生长分布布拉格发射器、表面粗化增加光萃取等技术手段。
[0003]表面粗化提高LED芯片出光效率的原理是利用LED出光表面的凹凸结构,将全反射角度的光线散射出或者引导出芯片,从而增加可以出射到LED外部的光线比例。但是,目前表面粗化的LED芯片的光提取效率受到了一定的局限,无法进一步突破。
[0004]另外,芯片上的电极在芯片的发光面上占据了很大一部分面积,该电极会对出射的光阻挡或者反射;位于非发光面上的衬底或金属层也会对光有一定程度的吸收;因此,严重影响了芯片的发光效率。
技术实现思路
[0005]为了解决
技术介绍
中至少一个技术问题,本技术提供一种LED芯片及紫外 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种LED芯片,其特征在于,包括:基板,具有相对设置的第一表面和第二表面;金属键合层,位于所述基板的第一表面上,且与外延层的第二半导体层电连接;外延层,位于所述金属键合层的上方,所述外延层在所述金属键合层的上方依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层;其中,在所述第二半导体层远离所述基板的出光面上设置有粗化微结构,所述粗化微结构包括第一凸起结构和第二凸起结构,所述第一凸起结构间隔分布于所述出光面上,所述第二凸起结构分布于所述第一凸起结构的表面及相邻所述第一凸起结构之间的所述出光面上。2.根据权利要求1所述的LED芯片,其特征在于,所述第一凸起结构的体积大于所述第二凸起结构的体积。3.根据权利要求1所述的LED芯片,其特征在于,所述第二凸起结构分布于所述第一凸起结构远离所述出光面的一端的端面上。4.根据权利要求1所述的LED芯片,其特征在于,所述第一凸起结构在所述出光面上呈阵列式分布。5.根据权利要求1所述的LED芯片,其特征在于,相邻所述第一凸起结构之间的距离小于或等于2μm;在垂直于所述出光面的方向上,所述第一凸起结构的高度小于或等于1μm。6.根据权利要求1所述的LED芯片,其特征在于,所述第一凸起结构呈半球形,且所述第一凸起结构的底面直径介于0.8μm~1μm。7.根据权利要求1所述的LED芯片,其特征在于,所述出光面上的所述第一凸起结构的底面面积总和占整个所述出光面的面积的比例小于50%。8.根据权利要求1所述的LED芯片,其特征在于,除所述第二半导体层的出光面上的所述粗化微结构...
【专利技术属性】
技术研发人员:张博扬,蔡琳榕,黄少华,朱立钦,刘双良,
申请(专利权)人:厦门市三安光电科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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