一种倒装结构深紫外发光二极管芯片及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种倒装结构深紫外发光二极管芯片及其制备方法，所述芯片包括LED外延片和设置在所述LED外延片上的n电极和p电极，所述LED外延片的最上层为p

【技术实现步骤摘要】
一种倒装结构深紫外发光二极管芯片及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体芯片制备
，涉及一种发光二极管芯片及其制备方法，尤其涉及一种倒装结构深紫外发光二极管芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]现有技术中，倒装结构深紫外发光二极管芯片的外延片的结构如图1所示，其包括衬底(Sapphire)以及在所述衬底上依次生长的AlN层、n
‑
AlGaN层、量子阱层(MQW)、P型电子阻挡层(EBL)和p
‑
AlGaN层。
[0003]采用图1所示的外延片制成的传统倒装结构深紫外发光二极管芯片的结构如图2。其是在外延片上沉积了钝化层并设置了n电极和p电极。
[0004]但是，由于这种倒装结构深紫外发光二极管芯片的侧出光严重以及现有金属体系对光的吸收(反射率不高)，导致刻蚀台面(n电极的电极台面)侧壁传播出的光未能有效利用，再加上p电极对光的吸收，导致光提取效率低，难以满足要求。
[0005]鉴于现有技术的上述技术缺陷，迫切需要研制一种新型的倒装结构深紫外发光二极管芯片及其制备方法。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种倒装结构深紫外发光二极管芯片，其包括LED外延片和设置在所述LED外延片上的n电极和p电极，其特征在于，所述LED外延片的最上层为p
‑
AlGaN层且所述p
‑
AlGaN层的表面被粗糙化，所述n电极的电极台面的倾角为40
°‑
50
°
，且所述p
‑
AlGaN层和所述n电极的电极台面上都设置有钝化层，所述钝化层上设有DBR
‑
1层和位于所述DBR
‑
1层上的DBR
‑
2层。2.根据权利要求1所述的倒装结构深紫外发光二极管芯片，其特征在于，所述DBR
‑
1层和DBR
‑
2层均使用由两种不同的材料分别制成的薄膜交替叠加而成且所述DBR
‑
1层的总厚度大于所述DBR
‑
2层的总厚度，其中，所述材料包括氧化硅、氧化钛、硒化锌、氟化钇、氧化钽和氧化铪。3.根据权利要求2所述的倒装结构深紫外发光二极管芯片，其特征在于，所述DBR
‑
1层中的两种薄膜的单层厚度分别为35
‑
50nm和56
‑
85nm，两种薄膜交替叠加的总层数为13
‑
17层，且所述DBR
‑
1层的总厚度为850
‑
950nm。4.根据权利要求3所述的倒装结构深紫外发光二极管芯片，其特征在于，所述DBR
‑
2层中的两种薄膜的单层厚度分别为30
‑
35nm和40
‑
60nm，两种薄膜交替叠加的总层数为13
‑
17层，且所述DBR
‑
2层的总厚度为500
‑
700nm。5.根据权利要求4所述的倒装结构深紫外发光二极管芯片，其特征在于，所述n电极和p电极上都设有PAD电极。6.根据权利要求5所述的倒装结构深紫外发光二极管芯片，其特征在于，所述n电极、p电极和PAD电极均由Cr、Ni、Al、Ag、Au、Ti、Sn、Rh及Pt中的一种或者几种制成。7.一种倒装结构深紫外发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)、提供最上层为p
‑
AlGaN层的LED外延片；(2)、在所述LED外延片上，对所述p
‑
AlGaN层的表面进行粗化处理，使得所述p
‑
AlGaN层的表面变得粗糙；(3)、在所述LED外延片上，制备n电极的电极台面且使得所述n电极的电极台面的倾角为40
°‑
50
°
；(4)、在所述LED外延片的上层表面上沉积一层钝化层；(5)、在所述LED外延片的钝化层的表面上沉积DBR
‑
1层和DBR
‑
2层；(6)、在所述LED外延片上，刻蚀掉部分所述DBR
‑
2层、DBR
‑
1层和钝化层，形成两个电极窗口；(...

【专利技术属性】
技术研发人员：张向鹏，张晓娜，李勇强，薛建凯，郭凯，王雪，
申请(专利权)人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：