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本发明涉及一种倒装结构深紫外发光二极管芯片及其制备方法，所述芯片包括LED外延片和设置在所述LED外延片上的n电极和p电极，所述LED外延片的最上层为p
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该专利属于山西中科潞安紫外光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山西中科潞安紫外光电科技有限公司授权不得商用。

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