一种表面粗化的LED芯片制备方法技术

本发明专利技术涉及一种表面粗化的LED芯片制备方法，该制备方法包括步骤如下:(1)在GaAs外延片的表面蒸镀ITO颗粒；(2)在焊盘表面涂覆正性光刻胶；(3)将GaAs外延片放入到ICP刻蚀机中进行粗化；(4)去除掉正性光刻胶；(5)在GaAs外延片的表面生长电流扩展层，再进行退火处理；(6)对GaAs外延片的衬底进行减薄；(7)在减薄后的GaAs外延片的背面生长N面电极；(8)在GaAs外延片的表面制备负性光刻胶电极图形；(9)在GaAs外延片的表面蒸镀金属电极，制备P面电极。本发明专利技术提供制备方法步骤简单，成本低，粗化效果好，可以达到纳米级别，发光亮度提升10％-15％之间。间。间。

【技术实现步骤摘要】
一种表面粗化的LED芯片制备方法


[0001]本专利技术涉及一种表面粗化的LED芯片制备方法，属于LED生产制造


技术介绍

[0002]发光二极管主要由PN结芯片、电极和光学系统组成。其发光过程包括以下三部分：正向偏压下的载流子注入、复合辐射和光能传输。当电子经过该晶片时，带负电的电子移动到带正电的空穴区域并与之复合，电子和空穴消失的同时产生光子。电子和空穴之间的能量(带隙)越大，产生的光子的能量就越高。光子的能量反过来与光的颜色对应，可见光的频谱范围内，蓝色光、紫色光携带的能量最多，桔色光、红色光携带的能量最少。由于不同的材料具有不同的带隙，从而能够发出不同颜色的光。随着管芯材料、结构、封装技术和驱动路技术的不断进步，发光效率和光能量的提高，LED已在科研和生产领域取得了广泛的应用。LED的成本和发光效率是制约LED取代普通照明的瓶颈。随着LED的发展，器件的内量子效率已经达到了很高的水准，所以目前制约发光效率的主要因素为器件的外量子效率。
[0003]根据光的折射原理，光从光密介质入射到光疏介质，会在介质表面处发生光的折射本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种表面粗化的LED芯片制备方法，其特征在于，包括步骤如下:(1)在GaAs外延片的表面蒸镀ITO颗粒，所述GaAs外延片包括自下到上依次设置的GaAs衬底、N型欧姆接触层、N型限制层、MQW有源层、P型限制层、P型欧姆接触层和P型GaP窗口层；(2)在GaAs外延片的焊盘表面涂覆正性光刻胶；(3)将步骤(2)处理后的GaAs外延片放入到ICP刻蚀机中进行粗化；(4)去除掉GaAs外延片的焊盘表面的正性光刻胶；(5)在GaAs外延片的表面生长电流扩展层，再进行退火处理；(6)对GaAs外延片的GaAs衬底进行减薄；(7)在减薄后的GaAs外延片的背面生长N面电极，再进行退火处理；(8)在步骤(7)处理后的GaAs外延片的表面制备负性光刻胶电极图形；(9)在步骤(8)处理后的GaAs外延片的表面蒸镀金属电极，制备P面电极。2.根据权利要求1所述的一种表面粗化的LED芯片制备方法，其特征在于，步骤(1)中，ITO颗粒在GaAs外延片的表面形成的厚度为1-8nm；进一步优选的，ITO颗粒在表面形成的厚度为3-7nm；最优选，ITO颗粒在表面形成的厚度为4nm。3.根据权利要求1所述的一种表面粗化的LED芯片制备方法，其特征在于，步骤(3)中，ICP刻蚀机中上电极射频源的功率为100-600W，基板温度为0-60℃，腔室真空度为0-15mTorr，Cl2、BCl3、Ar气流量均为5-100sccm；进一步优选的，ICP刻蚀机中上电极射频源的功率为200-500W，生长时基板温度为0-20℃，腔室真空度为0-12mTorr，Cl2流量为30-100sccm，BCl3流量为20-50sccm，Ar流量为10-30sccm；最优选，ICP刻蚀机中上电极射频源的功率为400W，生长时基板温度为10℃，腔室真空度为8mTorr，Cl2流量为40sccm，BCl3流量为30sccm，Ar流量为10sccm。4.根据权利要求1所述的一种表面粗化的LED芯片制备方法，其特征在于，步骤(3)中，GaAs外延片在ICP刻蚀机中粗化时间为100-2000s；进一步优选的，粗化时间为400-900s；最优选的，粗化时间为600s。5.根据权利要求1-4任一项所述的一种表面粗化...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐晓强，林伟，魏朝，彭璐，闫宝华，
申请(专利权)人：山东浪潮华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：