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本发明涉及一种表面粗化的LED芯片制备方法，该制备方法包括步骤如下:(1)在GaAs外延片的表面蒸镀ITO颗粒；(2)在焊盘表面涂覆正性光刻胶；(3)将GaAs外延片放入到ICP刻蚀机中进行粗化；(4)去除掉正性光刻胶；(5)在GaAs外延...
该专利属于山东浪潮华光光电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东浪潮华光光电子股份有限公司授权不得商用。

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