一种半导体结构及其制作方法技术

本申请提供了一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域。首先基于一衬底制备铝氮化合物缓冲层，然后对衬底与铝氮化合物缓冲层进行退火，以在衬底的一侧形成铝氮化合物薄膜，其中，铝氮化合物薄膜包括多个第一基岛，且相邻两个第一基岛之间间隔设置并露出部分衬底，再利用预设生长条件基于所述第一基岛生长第二基岛，并最终形成外延层。本申请提供的半导体结构及其制作方法具有提升了外延晶体质量、抑制衬底附近GaN界面漏电的效果。抑制衬底附近GaN界面漏电的效果。抑制衬底附近GaN界面漏电的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构及其制作方法


[0001]本申请涉及半导体
，具体而言，涉及一种半导体结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]GaN材料相比传统的硅材料具有高的禁带宽度、高的电子饱和漂移速度、高的击穿电场强度和高的工作温度等特点，在电力电子器件和射频器件的应用上极具优势。
[0003]然而，目前在蓝宝石衬底上GaN外延的位错密度仍然较大，外延的GaN晶体质量较差，限制了GaN电子器件的应用。此外，蓝宝石衬底中的氧杂质也可能会扩散至GaN外延层中，导致界面漏电的问题存在。综上，现有技术中存在外延的GaN晶体质量较差且存在界面漏电的问题。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种半导体结构及其制作方法，以解决现有技术中存在的外延GaN晶体质量较差且存在界面漏电的问题。
[0005]为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：
[0006]一方面，本申请实施例提供了一种半导体结构制作方法，所述方法包括：
[0007]基于一衬底制备铝氮化合物缓冲层；
[0008]对所述衬底与本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构制作方法，其特征在于，所述方法包括：基于一衬底制备铝氮化合物缓冲层；对所述衬底与所述铝氮化合物缓冲层进行退火，以在所述衬底的一侧形成铝氮化合物薄膜，其中，所述铝氮化合物薄膜包括多个第一基岛，且相邻两个第一基岛之间间隔设置并露出部分衬底；利用预设生长条件基于所述第一基岛生长第二基岛，并最终形成外延层。2.如权利要求1所述的半导体结构制作方法，其特征在于，所述利用预设生长条件基于所述第一基岛生长第二基岛，并最终形成外延层的步骤包括：利用预设的三维生长条件沿所述衬底与所述铝氮化合物缓冲层的一侧制作部分外延层；利用预设的二维生长条件沿所述衬底与所述铝氮化合物缓冲层的一侧制作剩余部分外延层。3.如权利要求2所述的半导体结构制作方法，其特征在于，所述利用预设的三维生长条件沿所述衬底与所述铝氮化合物缓冲层的一侧制作部分外延层的步骤包括：在通氨气、反应室腔体压力为400～800mbar、温度为900℃～980℃以及
Ⅴ
/Ⅲ族元素比为200～2000的条件下，沿所述衬底与所述铝氮化合物缓冲层的一侧制作外延层；变换三维生长条件，并在通氨气、反应室腔体压力为300～500mbar、温度为950℃～1020℃以及
Ⅴ
/Ⅲ族元素比为1000
‑
3000的条件下继续制作外延层。4.如权利要求2所述的半导体结构制作方法，其特征在于，所述利用预设的二维生长条件沿所述衬底与所述铝氮化合物缓冲层的一侧制作剩余部分外延层的步骤包括：在通氨气、反应室腔体压力为300～50mbar、温度为1000～1070℃以及
Ⅴ
/Ⅲ族元素比为1000～40...

【专利技术属性】
技术研发人员：张康，何晨光，陈志涛，吴华龙，刘云洲，
申请(专利权)人：广东省科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：