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本申请提供了一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域。首先基于一衬底制备铝氮化合物缓冲层，然后对衬底与铝氮化合物缓冲层进行退火，以在衬底的一侧形成铝氮化合物薄膜，其中，铝氮化合物薄膜包括多个第一基岛，且相邻两个第一基岛之间间隔设置并露...
该专利属于广东省科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过广东省科学院半导体研究所授权不得商用。

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