广东省科学院半导体研究所专利技术

广东省科学院半导体研究所共有240项专利

  • 本发明公开了一种紫外光电器件及其制备方法,制备方法包括:采用沉积方法在大倾角蓝宝石衬底上沉积200nm
  • 本发明的实施例提供了一种微LED结构和彩色显示装置,涉及显示技术领域。彩色显示装置包括多个所述微LED结构。微LED结构包括发光层、反射层和颜色选择层,其中,发光层至少包含电激发材料和/或光激发材料,以实现多波长激发,反射层位于发光层的...
  • 本发明公开一种增强型功率半导体器件结构及其制备方法,其中,该器件包括具有2DEG的异质结;位于异质结上方的源电极、具有台阶式结构的p型栅和漏电极;以及设置于p型栅上的栅电极;台阶式结构中的至少部分台阶段是以p型栅的厚度最大的台阶段为起始...
  • 本申请公开了自驱动排汗的电子皮肤及其制备方法,其中制备电子皮肤方法包括制作预设图案的导电层;在导电层的第一侧设置第一聚合物层;在第一聚合物层上设置亲水层;在导电层的第二侧设置第二聚合物层,从而形成四层结构膜;其中,第二聚合物层具有疏水性...
  • 本发明公开一种Ruddlesden
  • 本发明公开了一种平面TEM样品的制备方法,包括:获取包含待测区域的平面TEM样品;其中,所述平面TEM样品的衬底面具有浅凹且未经过氩离子束减薄;对所述平面TEM样品进行氩离子束减薄,直到所述平面TEM样品表面形成穿孔且所述浅凹的边缘接触...
  • 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制备方法和显示器件,涉及半导体电子器件领域,薄膜晶体管包括衬底、栅极、栅绝缘层、半导体层、钝化层以及源极和漏极;其中,半导体层具有沟道区,且半导体层与钝化层的接触界面处还形成有高导层,源极和漏极与高导层连接...
  • 本发明公开了一种堆叠栅极结构的GaN基常关型HEMT器件。本发明的堆叠栅极结构包括含铟的三族氮化物半导体薄膜和p型掺杂的三族氮化物半导体薄膜,含铟的三族氮化物半导体薄膜可阻挡p型掺杂三族氮化物半导体中的Mg扩散到势垒层中,也可通过本身材...
  • 本申请提供了一种薄膜晶体管的制作方法和显示装置,涉及半导体领域。本申请提供的制作方法,通过在金属层上形成图形化的光刻胶。然后对去除了光刻胶的非遮挡区的金属层进行离子注入,增加非遮挡区中与遮挡区相邻的位置处的金属层的耐腐蚀性。这样使得后续...
  • 本发明公开了一种汽车电池的冷媒膜式相变温控系统及方法,所述系统包括外部循环系统和电池箱;所述外部循环系统和所述电池箱相连;其中,所述电池箱包括多个柱形电池、电池箱壁和喷淋板;通过所述电池箱壁上设置的多个柱形孔,所述多个柱形电池两端的电极...
  • 本发明的实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法,涉及半导体技术领域,薄膜晶体管包括衬底、栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极,本发明提供的薄膜晶体管,通过采用具有p型半导体特性的多元硫化物二维纳米片薄膜制备有源层,而二维纳米片是一种在厚度...
  • 本申请提供了一种HEMT器件及其制作方法,涉及半导体功率器件技术领域。该HEMT器件包括衬底、缓冲层、台面层以及电极,衬底、缓冲层、台面层以及电极由下至上逐层连接;其中,台面层的宽度由下至上逐渐变宽,且台面层的两侧与缓冲层形成向中间位置...
  • 本发明的实施例提供了一种量子点发光场效应晶体管、其制备方法及显示面板,属于光电技术领域,量子点发光场效应晶体管包括量子点发光层,量子点发光层的材料包括CuInS
  • 本发明公开一种基于胶粘层的GaN基HEMT器件柔性转移方法,包括:对生长在衬底上的GaN基HEMT器件进行清洗和烘干;所述GaN基HEMT器件是Ga极性的;将酚醛树脂胶旋涂到所述GaN基HEMT器件上,使所述酚醛树脂胶形成多层胶粘层,并...
  • 本发明公开了一种微通道相变散热装置及其散热方法,包括由上而下依次叠放连接的盖板、分流板、导流板及微通道板;在微通道板上设置特殊的分流板和导流板,使得流体以均匀分流的形式进入和流出微通道板。通过微通道板上几个相互独立的换热单元集成在一起,...
  • 本申请提供了一种动态监控摄像装置和动态监控方法,涉及监控技术领域,该动态监控摄像装置包括分光镜面、广角相机、光路调整模块、长焦相机、光瞳传送模块、光路控制器,在实际监控时通过广角相机接收分光后的反射光路,得到包含监控目标的广角图像,再依...
  • 本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法,涉及半导体器件技术领域,方法包括:在衬底上依次形成栅绝缘层和栅极层;对栅极层图案化形成栅极图案层;以栅极图案层作为掩膜层,对栅绝缘层图案化形成栅绝缘图案层。由于在对栅绝缘层进行图案化处理时是直接以栅...
  • 本申请提供了一种半导体结构及其制作、减薄方法,涉及半导体材料加工技术领域。该半导体结构包括衬底、缓冲层、减薄功能层以及器件层,衬底、缓冲层、减薄功能层以及器件层逐层连接;且衬底与目标刻蚀液的刻蚀速率大于或等于减薄功能层与目标刻蚀液的刻蚀...
  • 本申请提供了一种LED芯片及其制作方法,涉及LED技术领域。该LED芯片包括衬底;位于衬底一侧的缓冲层;位于缓冲层一侧的发光层,其中,发光层包括N型层;位于发光层一侧的反射镜层,反射镜层包括逐层连接的钯层、氧化镍层、反射层以及保护层;位...
  • 本发明公开一种透明柔性Micro