【技术实现步骤摘要】
量子点发光场效应晶体管、其制备方法及显示面板
本专利技术涉及光电
，具体而言，涉及一种量子点发光场效应晶体管、量子点发光场效应晶体管的制备方法及显示面板。
技术介绍
量子点发光场效应晶体管因其具有特殊的光电性能，兼具场效应晶体管的开关能力和发光二极管的电致发光特性，被认为是具有巨大发展前景的新型显示器件。但是，目前的量子点发光场效应晶体管使用的量子点材料都含有镉、铅等对环境影响特别大的元素，导致其应用规模受限。
技术实现思路
本专利技术的目的包括，例如，提供了一种量子点发光场效应晶体管、量子点发光场效应晶体管的制备方法及显示面板，其量子点发光层采用不含镉、铅等对环境影响特别大的元素，绿色环保，可以实现大规模的应用。本专利技术的实施例可以这样实现：第一方面，本专利技术提供一种量子点发光场效应晶体管，包括量子点发光层，所述量子点发光层的材料包括CuInS2和ZnS，所述ZnS包覆所述CuInS2以形成核壳结构。在可选的实施方式中，还包括衬底、栅极、绝缘层、电子传输层、空穴...
【技术保护点】
1.一种量子点发光场效应晶体管，其特征在于，包括量子点发光层，所述量子点发光层的材料包括CuInS
【技术特征摘要】
1.一种量子点发光场效应晶体管，其特征在于，包括量子点发光层，所述量子点发光层的材料包括CuInS2和ZnS，所述ZnS包覆所述CuInS2以形成核壳结构。
2.根据权利要求1所述的量子点发光场效应晶体管，其特征在于，还包括衬底、栅极、绝缘层、电子传输层、空穴传输层、空穴注入层及源漏电极，所述衬底、所述栅极、所述绝缘层、所述电子传输层、所述量子点发光层、所述空穴传输层、所述空穴注入层及所述源漏电极自下而上依次设置。
3.根据权利要求2所述的量子点发光场效应晶体管，其特征在于，所述栅极的材料包括Al或者Al：Nd。
4.根据权利要求2所述的量子点发光场效应晶体管，其特征在于，所述绝缘层的材料包括Al2O3或Al2O3：Nd。
5.根据权利要求2所述的量子点发光场效应晶体管，其特征在于，所述电子传输层的材料包括IGZO。
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【专利技术属性】
技术研发人员：庞超，龚政，胡诗犇，陈志涛，郭婵，王建太，刘久澄，潘章旭，龚岩芬，
申请(专利权)人：广东省科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：广东;44
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