一种薄膜晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术的实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，薄膜晶体管包括衬底、栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极，本发明专利技术提供的薄膜晶体管，通过采用具有p型半导体特性的多元硫化物二维纳米片薄膜制备有源层，而二维纳米片是一种在厚度方向上仅仅具有单个或者多个原子层，并且依靠层间的范德瓦尔斯力堆积而成的层状材料，其层间时较弱的范德华作用力，不用考虑晶格匹配的限制，故本发明专利技术减缓了生长材料间的晶格失配现象，提升了晶体质量。同时，本申请中采用具有p型半导体特性的多元硫化物，其无需再进行掺杂，工艺流程简单，不需要进行材料掺杂工艺，成本低廉，并且保留了材料自身固有性质，有助于提升器件性能。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制备方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种薄膜晶体管及其制备方法。
技术介绍
具有可控的电子传输性能的单极型(n型或p型)的场效应晶体管是应用电子器件的关键部分。现阶段p型场效应晶体管制备工艺需要经过衬底材料热生长，掺杂等多道复杂工艺，掺杂后的材料的自身固有性质会受到影响，而且需要生长材料之间的晶格匹配度高，否则会出现晶格失配现象，影响晶体质量。
技术实现思路
本专利技术的目的包括，例如，提供了一种薄膜晶体管及其制备方法，其工艺流程简单，不需要进行材料掺杂工艺，成本低廉，保留了材料自身固有性质，且减缓了生长材料间的晶格失配现象，提升了晶体质量。本专利技术的实施例可以这样实现：第一方面，本专利技术提供一种薄膜晶体管，包括:衬底；位于所述衬底上的栅极；位于所述衬底上，并覆盖在所述栅极上的栅绝缘层；位于所述栅绝缘层上的有源层；以及，与所述有源层连接的源极和漏极；其中，所述有源层采用具有p型半导体特性的多元硫化物二维纳米片薄膜制成。...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括:/n衬底；/n位于所述衬底上的栅极；/n位于所述衬底上，并覆盖在所述栅极上的栅绝缘层；/n位于所述栅绝缘层上的有源层；/n以及，与所述有源层连接的源极和漏极；/n其中，所述有源层采用具有p型半导体特性的多元硫化物二维纳米片薄膜制成。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括:
衬底；
位于所述衬底上的栅极；
位于所述衬底上，并覆盖在所述栅极上的栅绝缘层；
位于所述栅绝缘层上的有源层；
以及，与所述有源层连接的源极和漏极；
其中，所述有源层采用具有p型半导体特性的多元硫化物二维纳米片薄膜制成。


2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层为含铜的多元硫化物二维纳米片薄膜。


3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层采用Cu2FeSnS4和CuSbS2中至少一种材料。


4.根据权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层的厚度为5-200nm。


5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极和所述漏极分别与所述有源层的两侧连接，并与所述衬底的上表面、所述栅绝缘层的上表面接触。


6.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在衬底上制备栅极；
在所述栅极表面制备栅绝缘层；
...

【专利技术属性】
技术研发人员：庞超，龚政，胡诗犇，郭婵，潘章旭，刘久澄，龚岩芬，王建太，邹胜晗，陈志涛，
申请(专利权)人：广东省科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：广东;44