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本发明的实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，薄膜晶体管包括衬底、栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极，本发明提供的薄膜晶体管，通过采用具有p型半导体特性的多元硫化物二维纳米片薄膜制备有源层，而二维纳米片是一种在厚度方向...
该专利属于广东省科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过广东省科学院半导体研究所授权不得商用。

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