半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

提供一种在高温下也稳定地进行工作的半导体装置。该半导体装置包括金属氧化物、绝缘层、第一导电层、第二导电层及第三导电层，金属氧化物包括第一区域、第二区域及第三区域，第一区域与第一导电层重叠，第二区域与第二导电层重叠，第三区域隔着绝缘层与第三导电层重叠，相对于第三区域的载流子浓度的第一区域的载流子浓度的比值为100以上，相对于第三区域的载流子浓度的第二区域的载流子浓度的比值为100以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及半导体装置的制造方法
本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种半导体晶片、模块以及电子设备。注意，在本说明书等中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。除了晶体管等的半导体元件之外，半导体电路、运算装置或存储装置也是半导体装置的一个方式。显示装置(液晶显示装置、发光显示装置等)、投影装置、照明装置、电光装置、蓄电装置、存储装置、半导体电路、摄像装置、电子设备等有时包括半导体装置。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(compositionofmatter)。
技术介绍
通过使用形成在具有绝缘表面的衬底上的半导体薄膜构成晶体管的技术受到注目。该晶体管被广泛地应用于集成电路(IC)、图像显示装置(也简单地记载为显示装置)等电子设备。作为可以应用于晶体管的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n金属氧化物、绝缘层、第一导电层、第二导电层及第三导电层，/n其中，所述金属氧化物包括第一区域、第二区域及第三区域，/n所述第一区域与所述第一导电层重叠，/n所述第二区域与所述第二导电层重叠，/n所述第三区域隔着所述绝缘层与所述第三导电层重叠，/n所述第一区域及所述第二区域的载流子浓度各自为5×10

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180809 JP 2018-1504901.一种半导体装置，包括：
金属氧化物、绝缘层、第一导电层、第二导电层及第三导电层，
其中，所述金属氧化物包括第一区域、第二区域及第三区域，
所述第一区域与所述第一导电层重叠，
所述第二区域与所述第二导电层重叠，
所述第三区域隔着所述绝缘层与所述第三导电层重叠，
所述第一区域及所述第二区域的载流子浓度各自为5×1017cm-3以上且小于1×1019cm-3，
并且，所述第三区域的载流子浓度为1×1012cm-3以上且小于5×1017cm-3。


2.一种半导体装置，包括：
金属氧化物、绝缘层、第一导电层、第二导电层及第三导电层，
其中，所述金属氧化物包括第一区域、第二区域及第三区域，
所述第一区域与所述第一导电层重叠，
所述第二区域与所述第二导电层重叠，
所述第三区域隔着所述绝缘层与所述第三导电层重叠，
相对于所述第三区域的载流子浓度的所述第一区域的载流子浓度的比值为1×102以上，
并且，相对于所述第三区域的载流子浓度的所述第二区域的载流子浓度的比值为1×102以上。


3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，
其中在所述第一区域与所述第一导电层之间包括第一层，
在所述第二区域与所述第二导电层之间包括第二层，
所述第一导电层及所述第二导电层各自包含氮化钽，
并且所述第一层及所述第二层各自包含钽、氮及氧或者包含钽及氧。


4.根据权利要求1至3中任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，奥野直树，本田龙之介，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP