薄膜晶体管及其制备方法和显示器件技术

本发明专利技术提供了一种薄膜晶体管及其制备方法和显示器件，涉及半导体电子器件领域，薄膜晶体管包括衬底、栅极、栅绝缘层、半导体层、钝化层以及源极和漏极；其中，半导体层具有沟道区，且半导体层与钝化层的接触界面处还形成有高导层，源极和漏极与高导层连接，高导层与沟道区连接。相较于现有技术，本发明专利技术提供的薄膜晶体管，通过在钝化层和半导体层界面形成高导层，在钝化层的沉积过程中实现了氧化物半导体薄膜的导体化，无需采用复杂的源极和漏极结构，简化了氧化物半导体薄膜晶体管的制备工艺，从而能够有效提高生产效率，降低制备成本。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制备方法和显示器件
本专利技术涉及半导体电子器件领域，具体而言，涉及一种薄膜晶体管及其制备方法和显示器件。
技术介绍
近年来，氧化物半导体薄膜晶体管因为其高迁移率，均匀性好，低温制备的特点，得到了广泛的应用。目前，主流使用的氧化物薄膜晶体管，为了保证良好的电气性能，通常是在成型源漏电极的过程中将源漏电极延伸至沟道区，而由于面板朝着大尺寸、高分辨率和高分辨率方向发展，对薄膜晶体管(ThinFilmTransistors，TFT)的性能提出了更高的要求，通常需要减小沟道长度，降低接触电阻，以满足显示的发展需求。故针对超短沟道器件，常规的源漏电极结构，结构、工艺复杂，影响生产效率，增加了制备成本。
技术实现思路
本专利技术的目的包括，提供了一种薄膜晶体管和及其制备方法和显示器件，其能够简化结构和工艺，从而有效提高生产效率，降低制备成本。本专利技术的实施例可以这样实现：第一方面，本专利技术提供一种薄膜晶体管，包括:衬底；位于所述衬底一侧的栅极；位于所述衬底一侧，并覆盖在所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括:/n衬底；/n位于所述衬底一侧的栅极；/n位于所述衬底一侧，并覆盖在所述栅极上的栅绝缘层；/n位于所述栅绝缘层远离所述衬底一侧的半导体层；/n位于所述半导体层远离所述衬底一侧的钝化层；/n以及，位于所述钝化层上的源极和漏极；/n其中，所述半导体层具有沟道区，且所述半导体层与所述钝化层的接触界面处还形成有高导层，所述源极和所述漏极与所述高导层连接，所述高导层与所述沟道区连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括:
衬底；
位于所述衬底一侧的栅极；
位于所述衬底一侧，并覆盖在所述栅极上的栅绝缘层；
位于所述栅绝缘层远离所述衬底一侧的半导体层；
位于所述半导体层远离所述衬底一侧的钝化层；
以及，位于所述钝化层上的源极和漏极；
其中，所述半导体层具有沟道区，且所述半导体层与所述钝化层的接触界面处还形成有高导层，所述源极和所述漏极与所述高导层连接，所述高导层与所述沟道区连接。


2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：
位于所述半导体层远离所述衬底一侧的刻蚀阻挡层；
其中，所述刻蚀阻挡层部分覆盖所述半导体层，所述钝化层覆盖在所述刻蚀阻挡层上。


3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述刻蚀阻挡层与所述栅极自对准，所述高导层与所述刻蚀阻挡层连接。


4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层的材料为含铟的半导体氧化物。


5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述高导层内包含材料铟。


6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述钝化层上设置有源接触孔和漏接触孔，所述源极通过所述源接触孔与所述高导层连接，...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡诗犇，龚政，庞超，龚岩芬，王建太，郭婵，潘章旭，陈志涛，
申请(专利权)人：广东省科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：广东;44