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薄膜晶体管及其制备方法和显示器件技术
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文档序号:28043472
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本发明提供了一种薄膜晶体管及其制备方法和显示器件,涉及半导体电子器件领域,薄膜晶体管包括衬底、栅极、栅绝缘层、半导体层、钝化层以及源极和漏极;其中,半导体层具有沟道区,且半导体层与钝化层的接触界面处还形成有高导层,源极和漏极与高导层连接,高...
该专利属于广东省科学院半导体研究所所有,仅供学习研究参考,未经过广东省科学院半导体研究所授权不得商用。
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