一种平面TEM样品的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种平面TEM样品的制备方法，包括：获取包含待测区域的平面TEM样品；其中，所述平面TEM样品的衬底面具有浅凹且未经过氩离子束减薄；对所述平面TEM样品进行氩离子束减薄，直到所述平面TEM样品表面形成穿孔且所述浅凹的边缘接触到所述待测区域时，停止氩离子束减薄，获得最终的平面TEM样品。本发明专利技术通过在平面TEM样品衬底面形成浅凹的处理，对所述衬底面形成浅凹的平面TEM样品进行氩离子束减薄，有效解决了在减薄过程中平面TEM样品表面待测区域被去除掉的问题，从而极大地提高了平面TEM样品的制备成功率和检测效率，进而降低了平面TEM样品的制备成本，缩短了制备时间。间。间。

【技术实现步骤摘要】
一种平面TEM样品的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种平面TEM样品的制备方法。

技术介绍

[0002]随着纳米技术的发展和应用，TEM(Transmission Electron Microscope，透射电子显微镜，简称透射电镜)越来越成为纳米材料和器件表征的主要工具，其用以观测材料的微观结构，如晶体形貌、多相结晶和晶格缺陷等，点分辨率可达到0.1nm；也用于检测组成半导体器件的薄膜的形貌、尺寸和特征等。将需要测试的TEM样品放入TEM观测室后，所述TEM的主要工作过程和原理为：电子枪发射的高能电子束经透镜聚焦后穿透TEM样品时发生散射、吸收、干涉及衍射等现象，使得在成像平面形成衬度，从而形成TEM样品的图像，将图像放大投影到屏幕上，照相，然后对所述TEM样品的图像进行观察、测量和分析。TEM样品分为块状样品、小块物体样品、平面样品和横截面样品四种。每种TEM样品用于研究的领域如下所述，块状TEM样品，用于普通微结构研究；小块物体TEM样品，用于纤维、粉末以及纳米量级的材料研究；平面TEM样品，用于薄膜和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种平面TEM样品的制备方法，其特征在于，包括：获取包含待测区域的平面TEM样品；其中，所述平面TEM样品的衬底面具有浅凹且未经过氩离子束减薄；对所述平面TEM样品进行氩离子束减薄，直到所述平面TEM样品表面形成穿孔且所述浅凹的边缘接触到所述待测区域时，停止氩离子束减薄，获得最终的平面TEM样品。2.根据权利要求1所述的平面TEM样品的制备方法，其特征在于，所述获取包含待测区域的平面TEM样品，具体过程为：将测试的样品切割成正方形；对所述正方形样品进行清洗；对所述清洗后的正方形样品的衬底面进行机械抛光，使所述正方形样品的厚度达到420μm；对所述机械抛光衬底面后的正方形样品进行衬底面研磨处理以形成浅凹，制成所述包含待测区域平面TEM样品。3.根据权利要求2所述的平面TEM样品的制备方法，其特征在于，所述将测试的样品切割成正方形，具体为：采用精密金刚石线锯对所述样品进行切割，获得边长为2mm的正方形样品；其中，所述金刚石线锯的线宽为260μm。4.根据权利要求根据权利要求2所述的平面TEM样品的制备方法，其特征在于，所述对所述正方形样品进行清洗，具体为：采用丙酮和无水乙醇对所述正方形样品进行清洗。5.根据权利要求2所述的平面TEM样品的制备方法，其特征在于，所述对所述清洗后的正方形样品的衬底面进行机械抛光，具体为：采用粗糙度为30μm、15μm和9μm的抛光纸对所述清洗后的正方形样品进行机械抛光。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：李全同，刘珠明，张衍俊，陈志涛，
申请(专利权)人：广东省科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：