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本发明公开了一种平面TEM样品的制备方法，包括：获取包含待测区域的平面TEM样品；其中，所述平面TEM样品的衬底面具有浅凹且未经过氩离子束减薄；对所述平面TEM样品进行氩离子束减薄，直到所述平面TEM样品表面形成穿孔且所述浅凹的边缘接触到所...
该专利属于广东省科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过广东省科学院半导体研究所授权不得商用。

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