本发明公开一种大功率光源的热管理系统，包括光源系统、涡流管单元和冷却气管路，涡流管单元的冷端通过冷却气管路与光源系统连接。本发明的技术方案，外部的压缩气体可以从涡流管单元的喷嘴进入涡流管单元，经喷嘴内膨胀加速后，一部分热气流从涡流管单元...

本申请提供一种芯片互连封装结构及方法，涉及半导体封装技术领域，在支撑结构形成牺牲图案层；在牺牲图案层上形成互连绕线图案层，互连绕线图案层与牺牲图案层的牺牲图案位置对应；在互连绕线图案层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成多个间隔设置的芯...

本发明涉及新能源汽车动力电池技术领域，公开了一种电池及电池多流道板式相变热管理系统和方法。所述电池包括电池箱，所述电池箱包括多层流层，每层流层都具有多个曲折流道，可以使冷媒更好的和电芯进行换热，使冷媒相变技术可以更广泛的应用于电池相变热...

本发明公开一种增强型HEMT的p型氮化物栅及增强型氮化物HEMT的制备方法，其中，该p型氮化物栅的制备方法在制备p型氮化物栅时，先在势垒层和p型氮化物层之间采用热脱附温度高于p型氮化物层的热脱附温度的材料制备第一保护层，且其厚度范围设置...

本发明的实施例提供了一种电压电平移位器和电子设备，涉及电子技术领域。该电压电平移位器包括输入级、共模信号抑制模块和输出级，输入级、共模信号抑制模块和输出级依次电连接，共模信号抑制模块还与浮动地电连接；输入级用于依据输入信号产生差模信号，...

本申请公开了一种可剥离氮化物结构，包括待剥离的支撑层以及在所述支撑层上依次形成的腐蚀牺牲层、腐蚀阻挡层和半导体器件本体，其中，所述支撑层为形成有微纳米柱阵列的衬底，或者所述支撑层包括衬底以及生长于所述衬底之上的氮化物模板层，所述氮化物模...

本申请提供了一种晶圆级芯片的可转移结构，其包括依次设置的衬底、腐蚀牺牲层、芯片本体层和芯片驱动电路板，其中，所述腐蚀牺牲层为连续的层结构，且包含掺杂的第一半导体材料，所述掺杂的第一半导体材料中的载流子浓度为1×10

本实用新型公开一种紫外发光芯片及包含其的紫外光杀菌消毒装置，该紫外发光芯片从下到上依次包括：衬底、缓冲层、电子传输层、紫外光有源区、电子阻挡层、空穴传输层和p型层；其中，所述紫外光有源区包括在正向电流注入下能够发射深紫外光的第一紫外量子...

本发明的实施例提供了一种SAW滤波器芯片封装结构、其制备方法及电子设备，涉及芯片封装领域，SAW滤波器芯片封装结构包括基板、倒装于基板且与基板电性连接的芯片、基板与芯片之间形成的空腔层、包覆芯片和空腔层且在基板上延伸的绝缘层、设置于绝缘...

本发明公开一种磁光器件及其制作方法，磁光器件包括磁性薄膜、铁磁薄膜A、自旋极化电流收集端、绝缘层A和金属丝A，连接到控制电路后，金属丝A通电产生磁场，使绝缘层A下方的铁磁薄膜A被磁化，将铁磁薄膜A和自旋极化电流收集端通电，由于铁磁薄膜A...

本发明涉及散热、换热器技术领域，公开了一种相变换热器，包括主体、盖板以及散热组件；散热组件包括若干散热件，相邻散热件间隔设置形成微通道，微通道内均设置有多个第一针肋，各个微通道组合形成微通道区域；主体包括汇入腔以及汇出腔，汇出腔通过微通...

本发明公开了一种声表面波芯片的晶圆级封装方法及装置，所述方法包括：在晶圆基板上覆盖一层腔体保护层；在所述腔体保护层上覆盖一层封装顶盖；在所述封装顶盖上开设多个通孔，所述多个通孔的位置分别对应于多个引脚焊盘的正上方；将每个通孔与其对应的引...

本发明公开一种深紫外LED器件结构及其制备方法，其中，深紫外LED器件结构包括第一基体；生长在第一基体上的n型层，n型层为Al组分在0.5‑1之间的高Al组分的n‑AlGaN层；生长在n型层上的多量子阱层和过渡层；依次生长在多量子阱层上...

本发明公开一种增强型HEMT的p型氮化物栅的制备方法、增强型氮化物HEMT及其制备方法，其中，p型氮化物栅的制备方法包括以下步骤：步骤S1：在异质结上依次沉积第一保护层、第二保护层和p型氮化物层；步骤S2：通过第一刻蚀去除栅极区域以外的...

本发明公开一种硅衬底上生长氮极性III族氮化物半导体薄膜的制备方法，其包括以下步骤，步骤S1：在硅衬底上制备硅的共晶合金层；步骤S2：在硅的共晶合金层的表面生长氮极性的氮化铝层。该共晶合金层使得生长在其之上的III族氮化物薄膜优先按氮极...

本申请公开了一种器件转移方法，涉及半导体技术领域。本申请的器件转移方法，利用水解胶层将第一衬底上的器件粘下来，然后将粘下来的器件贴合在第二衬底的粘附层上，以使水解胶层上粘附的器件与粘附层粘合，该粘附层具有不被水溶解和解粘的性质。最后将粘...

本发明提供了一种AlGaN基半导体紫外器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。AlGaN基半导体紫外器件包括衬基底以及在衬基底上依次生长的缓冲层、n型电子注入层、AlGaN发光有源层、非均布量子阱结构层、p型AlGaN电子阻挡层、p型空穴...

本发明公开一种氮化物半导体材料的制备方法及其退火处理方法，其中，退火处理方法包括以下步骤：步骤S1，在第一晶片的氮化物材料层表面上沉积采用能够通过化学腐蚀方式去除的耐高温材料保护层，其中，第一晶片通过在异质衬底上沉积氮化物材料层制得；步...

本发明公开了一种增强型功率器件及其制作方法，该制作方法包括：S1、在衬底的表面制备增强型功率器件的势垒层；S2、在势垒层上制备具有二维电子气的异质结构；S3、在异质结构上制备N极性层；S4、在N极性层上制备Ga极性层；S5、对Ga极性层...

本发明公开一种用于增强白光LED特定波长强度的光源系统提供了一种用于增强白光LED特定波长强度的光源系统和方法，包括：白光LED、聚焦透镜组、与需增强的波长强度相匹配的荧光片和准直透镜组；白光LED发出的光经聚焦透镜组入射荧光片，再经准...