磁光器件及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种磁光器件及其制作方法，磁光器件包括磁性薄膜、铁磁薄膜A、自旋极化电流收集端、绝缘层A和金属丝A，连接到控制电路后，金属丝A通电产生磁场，使绝缘层A下方的铁磁薄膜A被磁化，将铁磁薄膜A和自旋极化电流收集端通电，由于铁磁薄膜A被磁化，注入磁性薄膜的电子的自旋方向大部分都指向一个方向，流过磁性薄膜的电流形成自旋极化电流，磁性薄膜就会被磁化，想要改变磁性薄膜的磁化方向，只需改变金属丝A的电流方向即可，十分方便和快速，本发明专利技术的磁光器件避免了使用线圈和其他分立部件，减小了体积和功耗，使用半导体工艺，制成的磁光器件可以缩小至微米，甚至纳米量级，而且便于集成。于集成。于集成。

【技术实现步骤摘要】
磁光器件及其制作方法


[0001]本专利技术涉及一种磁光器件及其制作方法。

技术介绍

[0002]磁光器件是指利用磁光效应对光进行开光、调制等操作的器件，包括磁光隔离器、磁光调制器、磁光传感器、磁光环行器等，在光信息交换和信号处理中有着广泛的应用，是光分复用设备、光交叉连接和光路由器等设备的核心器件之一，对整个光网络的性能有着至关重要的影响。现代光处理的集成化发展趋势要求磁光器件向小型化、集成化的方向发展，但是，现有的很多磁光器件仍依赖于分立的部件，体积较大，磁场的产生方式也有限制，不利于磁光器件的小型化和集成化。
[0003]磁光器件所利用的磁光效应是指光与处于磁化状态的磁性物质之间发生相互作用而发生的各种光学现象，包括法拉第效应、克尔磁光效应、塞曼效应和科顿
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穆顿效应等。目前磁光器件中常用的磁光效应主要是法拉第效应和克尔磁光效应。法拉第效应是指偏振光从磁性物质透射之后，受磁性物质的磁化强度影响，偏振光的偏振方向发生变化。克尔磁光效应是指偏振光从磁性物质反射之后，受磁性物质的磁化强度影响，偏振光的偏振方向发生变化。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.磁光器件，其特征在于，包括磁性薄膜、可导电的铁磁薄膜A、可导电的自旋极化电流收集端、绝缘层A和金属丝A，铁磁薄膜A覆盖在磁性薄膜的表面的一端，绝缘层A覆盖在铁磁薄膜A的表面，金属丝A设在绝缘层A上，自旋极化电流收集端设在磁性薄膜的表面的另一端。2.根据权利要求1所述的磁光器件，其特征在于，所述磁性薄膜是含有磁性离子的薄膜材料；优选地，磁性薄膜由磁性半导体制成；优选地，磁性薄膜由稀磁半导体制成；优选地，磁性薄膜的厚度是100nm～1mm；优选地，铁磁薄膜A是α
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Fe单晶薄膜；优选地，铁磁薄膜A的厚度是200nm～500nm；优选地，绝缘层A由SiO2或Al2O3制成；优选地，绝缘层A的厚度是100nm～300nm；优选地，金属丝A由金、银、铜、铝、铟和钛中的一种或两种以上的组合制成；优选地，金属丝A由金、银、铜、铝、铟、钛中的至少两种形成的合金制成；优选地，金属丝A的厚度是50nm～300nm。3.根据权利要求1所述的磁光器件，其特征在于，所述铁磁薄膜A的边缘设有焊点A，金属丝A的两端分别设有焊点B和焊点C。4.根据权利要求1～3中任一项所述的磁光器件，其特征在于，所述自旋极化电流收集端包括可导电的铁磁薄膜B、绝缘层B和金属丝B，铁磁薄膜B覆盖在磁性薄膜的表面的另一端，绝缘层B覆盖在铁磁薄膜B的表面，金属丝B设在绝缘层B上；优选地，铁磁薄膜B是α
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Fe单晶薄膜；优选地，铁磁薄膜B的厚度是200nm～500nm；优选地，绝缘层B由SiO2或Al2O3制成；优选地，绝缘层B的厚度是100nm～300nm；优选地，金属丝B由金、银、铜、铝、铟和钛中的一种或两种以上的组合制成；优选地，金属丝B由金、银、铜、铝、铟、钛中的至少两种形成的合金制成；优选地，金属丝B的厚度是50nm～300nm。5.根据权利要求4所述的磁光器件，其特征在于，所述铁磁薄膜B的边缘设有焊点D，金属丝B的两端分别设有焊点E和焊点F。6.根据权利要求1～3中任一项所述的磁光器件，其特征在于，所述自旋极化电流收集端是金属焊盘；优选地，在金属焊盘的边缘设有焊点G；优选地，金属焊盘由金、银、铜、铝、铟和钛中的一种或两种以上的组合制成；优选地，金属焊盘由金、银、铜、铝、铟、钛中的至少两种形成的合金制成；...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁锡辉，刘宁炀，吴枚霞，王君君，王巧，陈志涛，
申请(专利权)人：广东省科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：