一种铜铟硒纳米晶体、纳米薄膜及其制备方法和电子器件技术

本发明专利技术的实施例提供了一种铜铟硒纳米晶体、纳米薄膜及其制备方法和电子器件，涉及半导体技术领域。该铜铟硒纳米晶体由铜铟硒纳米晶体的制备方法制备而成，该铜铟硒纳米薄膜由铜铟硒纳米薄膜的制备方法制备而成，其中电子器件包括上述的铜铟硒纳米薄膜。由铜铟硒纳米薄膜的制备方法能够减少副产物的产生，并且通过第一前驱体及第二前驱体制备的铜铟硒纳米晶体会使得纳米晶体表面富含硫元素，进而减少有机长链配体，以实现减少粒子之间的间距，载流子以更短的粒子间距通过相邻纳米晶体之间的势垒，因此其能够增强电子耦合并改善电传输特性，能使得由铜铟硒纳米晶体制备的纳米电子器件的性能得到增强。器件的性能得到增强。器件的性能得到增强。

【技术实现步骤摘要】
一种铜铟硒纳米晶体、纳米薄膜及其制备方法和电子器件


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种铜铟硒纳米晶体、纳米薄膜及其制备方法和电子器件。

技术介绍

[0002]纳米材料是指三维空间尺度至少有一维处于纳米量级(1
‑
100nm)的材料，它是由尺寸介于原子、分子和宏观体系之间的纳米粒子所组成的新一代材料。由于其组成单元的尺度小，界面占用相当大的成分。当粒子的尺寸减小到纳米量级，将导致声、光、电、磁、热性能呈现新的特性。因此，纳米半导体材料在各类光电器件方面的应用受到了研究人员的广泛关注，由于其独特的晶体结构和能带特征，更是有希望成为下一代最有潜力的纳米电子器件或光电器件。
[0003]与二元II
‑
VI或IV
‑
VI半导体材料相比，由I
‑
III
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VI族元素组成的半导体纳米材料(如CuInS2、AgInS2、CuGaS2和CuInSe2)其理化性质多样，且材料不含有毒重金属元素，因此备受关注。其中，铜铟硒(CuInSe2)是其本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铜铟硒纳米晶体的制备方法，其特征在于，包括：使用二烷基二硫代氨基甲酸盐分别与铜盐与铟盐反应以制备得到第一前驱体及第二前驱体；将所述第一前驱体、所述第二前驱体与硒粉加入第一有机溶液中得到第一溶液，且所述第一溶液位于含有惰性气体的环境；在所述第一溶液中加入二苯基膦溶液，并在含有所述惰性气体的环境下充分反应得到第二溶液；从所述第二溶液中分离铜铟硒纳米晶体。2.根据权利要求1所述的铜铟硒纳米晶体的制备方法，其特征在于：所述二烷基二硫代氨基甲酸盐为二甲基二硫代氨基甲酸盐或，二乙基二硫代氨基甲酸盐或二丙基二硫代氨基甲酸盐。3.根据权利要求1所述的铜铟硒纳米晶体的制备方法，其特征在于，所述使用二烷基二硫代氨基甲酸盐分别与铜盐与铟盐反应以制备得到第一前驱体及第二前驱体的步骤包括：使得二乙基二硫代氨基甲钠酸溶解于异丙醇溶液，并将溶解有所述二乙基二硫代氨基甲钠酸的异丙醇溶液同时加入到氯化亚铜溶液与氯化铟溶液中，以分别制备得到二乙基二硫代氨基甲酸亚铜与二乙基二硫代氨基甲酸铟。4.根据权利要求3所述的铜铟硒纳米晶体的制备方法，其特征在于：所述二乙基二硫代氨基甲钠酸、所述氯化亚铜及所述氯化铟的物质的量比为6：3：2；所述二乙基二硫代氨基甲酸亚铜、所述二乙基二硫代氨基甲酸铟、及所述硒粉的物质的量比为1：1：2。5.根据权利要求1所述的铜铟硒纳米晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：庞超，龚政，胡诗犇，潘章旭，郭婵，王建太，邹胜晗，李育智，陈志涛，
申请(专利权)人：广东省科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：