薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法和显示器件技术

本发明专利技术的实施例提供了一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法和显示器件，涉及半导体电子器件领域，该薄膜晶体管及其制备方法在衬底上依次设置栅极、栅绝缘层和半导体层，然后在半导体层的两侧设置源极和漏极，并在半导体层上设置包覆在源极和漏极的钝化层，其中，源极与半导体层的接触界面形成有第一绝缘界面层，在漏极和半导体层的接触界面形成有第二绝缘界面层，通过设置第一绝缘界面层和第二绝缘界面层，能够使得源漏极与半导体层之间形成肖特基势垒，从而形成了肖特基势垒TFT，同时无需额外沉积绝缘层，使得器件成本低廉、可靠性好，并通过形成肖特基势垒能够大幅降低饱和电压，从而减少TFT的工作能耗。而减少TFT的工作能耗。而减少TFT的工作能耗。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法和显示器件


[0001]本专利技术涉及半导体电子器件领域，具体而言，涉及一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法和显示器件。

技术介绍

[0002]近年来，氧化物半导体薄膜晶体管因为其高迁移率，均匀性好，低温制备的特点，得到了广泛的应用。目前，主流使用的氧化物半导体薄膜晶体管，源漏电极和半导体之间主要为欧姆接触。随着显示技术的发展，对显示器件的功耗要求越来越严格，与欧姆接触TFT相比，肖特基势垒TFT能够大幅降低饱和电压，从而减少TFT的工作能耗。
[0003]目前，在实践中还未有很好的方式选用合适的源漏极以及沉积条件，在成本、可靠性以及性能方面均较好的情况下形成肖特基势垒TFT。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的包括，例如，提供了一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法和显示器件，其能够形成肖特基势垒TFT，同时成本低廉、可靠性好，能够大幅降低饱和电压，从而减少TFT的工作能耗。
[0005]本专利技术的实施例可以这样实现：
[0006]第一方面，本专利技术提供一种薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底；设置在所述衬底上的栅极；设置在所述衬底上，并包覆所述栅极的栅绝缘层；设置在所述栅绝缘层上的半导体层；设置在所述栅绝缘层上，并位于所述半导体层两侧的源极和漏极；以及，设置在所述半导体层上，并包覆所述源极和所述漏极的钝化层；其中，所述源极和所述半导体层的接触界面形成有第一绝缘界面层，以使所述源极和所述半导体层之间形成肖特基势垒；所述漏极和所述半导体层的接触界面形成有第二绝缘界面层，以使所述漏极和所述半导体层的接触界面形成肖特基势垒。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述钝化层和所述半导体层的接触界面形成有高导层，所述源极和所述漏极分别位于所述高导层的两侧，所述高导层用于提升所述半导体层的导电性。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层为具有半导体特性的含铟氧化物。4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述高导层包含材料铟。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述高导层的厚度为1
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20nm。6.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极和所述漏极均为金属薄膜层，所述金属薄膜层用于与所述半导体层发生化学反应。7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属薄膜层的厚度为10
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2000nm。8.根据权利要求2所述的薄膜晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡诗犇，龚政，庞超，李育智，郭婵，王建太，潘章旭，邹胜晗，赵维，陈志涛，
申请(专利权)人：广东省科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：