半导体器件制造技术

本发明专利技术的课题是在由氧化物半导体形成的薄膜晶体管(TFT)中抑制阈值电压的变动ΔVth。用于解决这样的课题的本发明专利技术的代表手段如下所述。半导体器件，其具有由氧化物半导体形成的TFT，其特征在于，上述氧化物半导体具有沟道区域104、源极区域1042、漏极区域1043，和处于上述沟道区域与上述源极区域及上述漏极区域之间的LDD(Lightly Doped Drain)区域1041，上述LDD区域1041的电阻率比上述沟道区域的电阻率小、比上述源极区域或上述漏极区域的电阻率大，源电极108与上述源极区域1042重叠地形成，漏电极109与上述漏极区域1043重叠地形成，上述氧化物半导体的上述LDD区域1041的厚度大于上述沟道区域104的厚度。上述沟道区域104的厚度。上述沟道区域104的厚度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件


[0001]本专利技术涉及具有能够使阈值电压(Vth)的变动减小的TFT的半导体器件。

技术介绍

[0002]薄膜晶体管(TFT，Thin FilmTransistor)广泛用于液晶显示装置、有机EL显示装置等中，除此以外，也可以用于微LED显示装置、电子纸等。另外，也可以作为传感器等的开关元件使用。一部分的图像显示装置、含有传感器的半导体器件所使用的TFT大多在高于以往TFT的驱动电压下工作。
[0003]TFT中，在沟道区域与漏极区域之间产生高电场，在该部分中，产生热载流子。因热载流子的影响，发生TFT的阈值电压(Vth)变动的问题。该现象可以通过在沟道区域与漏极区域之间形成电阻过渡的LDD(轻掺杂漏极(Lightly Doped Drain))区域来减轻。
[0004]专利文献1中记载了下述构成：在顶栅型TFT中，源极区域和漏极区域通过对氧化物半导体进行等离子体处理而形成，LDD区域通过接触SiN膜而形成。专利文献2中记载了下述构成：使顶栅型氧化物半导体TFT由构成沟道区域的第1氧化物半导体、和构成源极、漏极区本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.半导体器件，其具有由氧化物半导体形成的TFT，其特征在于，所述氧化物半导体具有沟道区域、源极区域、漏极区域，和处于所述沟道区域与所述源极区域之间的过渡区域、以及处于所述沟道区域与所述漏极区域之间的过渡区域，所述过渡区域的电阻率比所述沟道区域的电阻率小、比所述源极区域或所述漏极区域的电阻率大，源电极与所述源极区域重叠地形成，漏电极与所述漏极区域重叠地形成，所述氧化物半导体的所述过渡区域的厚度大于所述沟道区域的厚度。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述氧化物半导体的所述源极区域的厚度或所述漏极区域的厚度大于所述过渡区域的厚度。3.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，在所述氧化物半导体中，于所述沟道区域的中央进行测定时，所述沟道区域的厚度为60nm以下，于所述过渡区域的中央进行测定时的所述过渡区域的厚度为85nm以上。4.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述氧化物半导体的所述源极区域的厚度或所述漏极区域的厚度与所述过渡区域的厚度之差为10nm以上。5.如权利要求1至4所述的半导体器件，其特征在于，所述过渡区域在所述沟道区域的沟道长方向上的长度为2μm以上。6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述TFT为底栅型。7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述TFT为具有底栅和顶栅的双栅型。8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，覆盖所述氧化物半导体而形成有第1栅极绝缘膜，覆盖所述第1栅极绝缘膜而形成有第2栅极绝缘膜，在所述第2栅极绝缘膜中，在与所述过渡区域对应的部分形成有通孔，覆盖所述第2栅极绝缘膜和所述通孔而形成有栅极电极。9.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述过渡区域中，掺杂有提高导电率的离子。10.半导体器件，其具有由氧化物半导体形成的TFT，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：花田明纮，海东拓生，津吹将志，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：