阵列基板及其制备方法、显示面板技术

本申请提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，该阵列基板包括：衬底；有源层，设置于衬底上；保护层，设置于有源层远离衬底的一侧，保护层包括保护部、第一导通部以及第二导通部，第一导通部以及第二导通部位于保护部的两侧，保护部能够阻挡包含氢元素的物质，第一导通部以及第二导通部能够导电；源极，设置于第一导通部远离有源层的一侧；漏极，设置于第二导通部远离有源层的一侧。该阵列基板的保护层能够阻止该氢元素向有源层等阵列基板的内部结构注入，使得应用该阵列基板的显示面板能够稳定运作。稳定运作。稳定运作。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法、显示面板


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

技术介绍

[0002]液晶显示装置是一种通过面板内的像素电极和公共电极之间形成电场，控制液晶分子的排列，并通过控制液晶分子对光的折射率，即可以显示画面的平板显示装置。液晶显示装置包括显示面板，显示面板由阵列基板和彩膜基板构成，其中阵列基板由横行排列的栅线和纵向排列的数据线构成，并且在每个栅线和数据线交叉处设有一个开关，以控制每个像素。
[0003]非晶氧化物薄膜晶体管因其高的迁移率，良好的均匀性，对可见光良好的透过性和低温的制作过程，被广泛应用于阵列基板中。其中，非晶氧化物半导体是非晶氧化物薄膜晶体管中的一种重要的有源层材料，非晶氧化物半导体具有较高的载流子浓度，具备较强的电荷传输能力，可以有效地驱动薄膜晶体管器件。
[0004]但是非晶氧化物半导体对含有氢元素的物质敏感，该氢元素注入至有源层会导致使用该非晶氧化物薄膜晶体管的阈值电压显著负偏。所以，如何阻止氢元素向有源层注入，对显示面板的良好运作起到十分关键的作用。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，该阵列基板的保护层能够阻止该氢元素向有源层等阵列基板的内部结构注入，使得应用该阵列基板的显示面板能够稳定运作。
[0006]本申请实施例提供一种阵列基板，包括：
[0007]衬底；
[0008]有源层，设置于所述衬底上；
[0009]保护层，设置于所述有源层远离所述衬底的一侧，所述保护层包括保护部、第一导通部以及第二导通部，所述第一导通部以及所述第二导通部位于所述保护部的两侧，所述保护部能够阻挡包含氢元素的物质，所述第一导通部以及所述第二导通部能够导电；
[0010]源极，设置于所述第一导通部远离所述有源层的一侧；
[0011]漏极，设置于所述第二导通部远离所述有源层的一侧。
[0012]在一些实施例中，所述保护部的材料包括致密的金属氧化物。
[0013]在一些实施例中，所述阵列基板还包括第一钝化层，设置于所述保护部、所述源极以及所述漏极远离所述有源层的一侧。
[0014]在一些实施例中，所述第一钝化层包括氮化硅、氮氧化硅以及氧化硅中的一种或多种组合。
[0015]本申请实施例提供一种阵列基板的制备方法，包括：
[0016]提供一衬底；
[0017]在所述衬底上形成有源层；
[0018]在所述有源层远离所述衬底的一侧形成保护层，所述保护层包括保护部、第一导通部以及第二导通部，所述第一导通部以及第二导通部位于所述保护部的两侧，所述保护部能够阻挡包含氢元素的物质，所述第一导通部以及所述第二导通部能够导电；
[0019]在所述第一导通部远离所述有源层的一侧形成源极；
[0020]在所述第二导通部远离所述有源层的一侧形成漏极。
[0021]在一些实施例中，在所述有源层远离所述衬底的一侧形成保护层的步骤，所述阵列基板的制备方法包括：
[0022]在所述有源层远离所述衬底的一侧形成致密的金属氧化层；
[0023]对金属氧化层划分为保护部、第一导通部以及第二导通部；
[0024]对所述第一导通部以及所述第二导通部进行导体化处理。
[0025]在一些实施例中，在进行对所述第一导通部以及所述第二导通部进行导体化处理的步骤之前，所述阵列基板的制备方法还包括：
[0026]在所述金属氧化层远离所述衬底的一侧形成光刻胶；
[0027]对所述光刻胶进行刻蚀以显露所述第一导通部以及所述第二导通部。
[0028]在一些实施例中，在进行对所述第一导通部以及所述第二导通部进行导体化处理的步骤，所述阵列基板的制备方法包括：
[0029]对所述第一导通部以及所述第二导通部通入气体，所述气体能够使得所述第一导通部以及所述第二导通部导体化。
[0030]在一些实施例中，在所述第二导通部远离所述有源层的一侧形成漏极的步骤之后，所述阵列基板的制备方法还包括：
[0031]在所述保护部、所述源极以及所述漏极远离所述有源层的一侧设置第一钝化层。
[0032]本申请实施例提供一种显示面板，包括上述的阵列基板。
[0033]本申请实施例提供的一种阵列基板，该阵列基板包括衬底、有源层、保护层、源极以及漏极。该有源层设置于衬底上，该保护层设置于有源层远离该衬底的一侧。该保护层包括保护部、第一导通部以及第二导通部，该第一导通部以及第二导通部位于保护部的两侧。该源极设置于第一导通部远离该有源层的一侧。该漏极设置于第二导通部远离该有源层的一侧。其中，该保护层覆盖于有源层上且该保护层被划分成保护部、第一导通部以及第二导通部，该保护部能够阻止包含氢元素的物质向有源层等阵列基板的内部结构注入，例如包含氢元素的物质为水汽；该第一导通部以及第二导通部能够与源极以及漏极连接，以确保该阵列基板能够正常工作。所以，通过设置该保护层，确保该阵列基板能够正常工作的同时，能够防止氢元素向有源层等阵列基板的内部结构注入，避免使用该阵列基板的显示面板的阈值电压显著负偏，该应用该阵列基板的显示面板能够稳定运作。
附图说明
[0034]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0035]图1为本申请实施例提供的阵列基板的第一种结构示意图。
[0036]图2为本申请实施例提供的阵列基板的第二种结构示意图。
[0037]图3为本申请实施例提供的阵列基板的制备方法的流程示意图。
[0038]图4为本申请实施例提供的阵列基板的第一种工艺流程示意图。
[0039]图5为本申请实施例提供的阵列基板的第二种工艺流程示意图。
具体实施方式
[0040]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0041]液晶显示装置是一种通过面板内的像素电极和公共电极之间形成电场，控制液晶分子的排列，并通过控制液晶分子对光的折射率，即可以显示画面的平板显示装置。液晶显示装置包括显示面板，显示面板由阵列基板和彩膜基板构成，其中阵列基板由横行排列的栅线和纵向排列的数据线构成，并且在每个栅线和数据线交叉处设有一个开关，以控制每个像素。
[0042]非晶氧化物薄膜晶体管因其高的迁移率，良好的均匀性，对可见光良好的透过性和低温的制作过程，被广泛应用于阵列基板中。其中，非晶氧化物半导体是非晶氧化物薄膜晶体管中的一种重要的有源层材料，非晶氧化物本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底；有源层，设置于所述衬底上；保护层，设置于所述有源层远离所述衬底的一侧，所述保护层包括保护部、第一导通部以及第二导通部，所述第一导通部以及所述第二导通部位于所述保护部的两侧，所述保护部能够阻挡包含氢元素的物质，所述第一导通部以及所述第二导通部能够导电；源极，设置于所述第一导通部远离所述有源层的一侧；漏极，设置于所述第二导通部远离所述有源层的一侧。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述保护部的材料包括致密的金属氧化物。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括第一钝化层，设置于所述保护部、所述源极以及所述漏极远离所述有源层的一侧。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一钝化层包括氮化硅、氮氧化硅以及氧化硅中的一种或多种组合。5.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成有源层；在所述有源层远离所述衬底的一侧形成保护层，所述保护层包括保护部、第一导通部以及第二导通部，所述第一导通部以及第二导通部位于所述保护部的两侧，所述保护部能够阻挡包含氢元素的物质，所述第一导通部以及所述第二导通部能够导电；在所述第一导通部远离所述有源层的一侧形成源极...

【专利技术属性】
技术研发人员：张羿，葛世民，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：