驱动基板及其制备方法、显示面板技术

本申请公开了一种驱动基板及其制备方法、显示面板。所述驱动基板包括依次设置的基底、氧化物半导体层、刻蚀阻挡层以及水氧阻隔层；所述氧化物半导体层包括沟道；所述刻蚀阻挡层覆盖所述沟道；所述水氧阻隔层于所述基底所在平面的正投影与所述沟道于所述基底所在平面的正投影至少部分重叠。本申请在提高TFT器件水氧阻隔性能的同时，降低了TFT器件产生负漂的几率。的几率。的几率。

【技术实现步骤摘要】
驱动基板及其制备方法、显示面板


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种驱动基板及其制备方法、显示面板。

技术介绍

[0002]迷你型发光二极管(Mini Light
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Emitting Diode,MiniLED)和微型发光二极管(Micro Light
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Emitting Diode,Micro LED)显示技术在近两年进入加速发展阶段，逐渐应用于中小型并具有高附加价值的显示领域。相较于有机发光二极管(Organic Light
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Emitting Diode,OLED)显示屏，MiniLED/Micro LED显示屏在成本、对比度、亮度以及外形上表现出更佳优势。
[0003]在MiniLED/Micro LED显示技术中，背板技术为关键技术。目前，现有背板中的氧化物薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)类型主要分为共平面(Coplanar)型、刻蚀阻挡层(Etch Stop Layer，ESL)型、背沟道蚀刻(Back Channel Etch，BCE)型等。然而，在现有技术的ESL型TFT器件中，为了提高器件的水氧阻隔性能，通常会采用具有高水氧阻隔效果的氮化硅为刻蚀阻挡层的材料，然而，由于氮化硅成膜过程中存在含氢气体，导致刻蚀阻挡层中存在少量的氢，当氢扩散至刻蚀阻挡层下方的沟道内，容易使TFT器件产生负漂，进而降低了TFT器件的驱动性能。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种驱动基板及其制备方法、显示面板，以在提高TFT器件水氧阻隔性能的同时，降低TFT器件产生负漂的几率。
[0005]本申请实施例提供一种驱动基板，其包括：
[0006]基底；
[0007]氧化物半导体层，设置在所述基底上，所述氧化物半导体层包括沟道；
[0008]刻蚀阻挡层，设置在所述氧化物半导体层上，所述刻蚀阻挡层覆盖所述沟道；以及
[0009]水氧阻隔层，设置在所述刻蚀阻挡层上，所述水氧阻隔层于所述基底所在平面的正投影与所述沟道于所述基底所在平面的正投影至少部分重叠。
[0010]可选的，在本申请的一些实施例中，所述沟道于所述基底所在平面的正投影位于所述水氧阻隔层于所述基底所在平面的正投影内。
[0011]可选的，在本申请的一些实施例中，所述氧化物半导体层还包括位于所述沟道相对两侧的源极部和漏极部，所述水氧阻隔层覆盖所述刻蚀阻挡层，并裸露出所述源极部和所述漏极部；
[0012]所述驱动基板还包括源极和漏极，所述源极和所述漏极均设置在所述水氧阻隔层远离所述刻蚀阻挡层的一侧，所述源极与所述源极部连接，所述漏极与所述漏极部连接。
[0013]可选的，在本申请的一些实施例中，所述源极部的材料和所述漏极部的材料均为导体。
[0014]可选的，在本申请的一些实施例中，所述驱动基板还包括栅极，所述栅极位于所述
基底和所述氧化物半导体层之间，自所述源极朝向所述漏极的方向，所述栅极的宽度小于或等于所述水氧阻隔层的宽度。
[0015]可选的，在本申请的一些实施例中，自所述源极朝向所述漏极的方向，所述栅极的宽度大于或等于所述刻蚀阻挡层的宽度。
[0016]可选的，在本申请的一些实施例中，自所述源极朝向所述漏极的方向，所述栅极的宽度等于所述沟道的长度。
[0017]可选的，在本申请的一些实施例中，所述刻蚀阻挡层的材料包括氧化硅，所述水氧阻隔层的材料包括金属氧化物。
[0018]可选的，在本申请的一些实施例中，所述金属氧化物包括氧化铝、氧化钛和氧化锆中的一种或多种。
[0019]本申请实施例提供一种显示面板，其包括前述任一实施例所述的驱动基板。
[0020]本申请实施例还提供一种驱动基板的制备方法，其包括以下步骤：
[0021]提供基底；
[0022]在所述基底上形成氧化物半导体基层，所述氧化物半导体基层包括沟道；
[0023]在所述氧化物半导体基层上形成刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层覆盖所述沟道；
[0024]在所述刻蚀阻挡层上形成水氧阻隔基层；
[0025]对所述水氧阻隔基层和所述氧化物半导体基层进行图案化处理，以分别形成水氧阻隔层和氧化物半导体层，所述水氧阻隔层于所述基底所在平面的正投影与所述沟道于所述基底所在平面的正投影至少部分重叠。
[0026]可选的，在本申请的一些实施例中，在所述氧化物半导体基层上形成刻蚀阻挡层的步骤之后，所述刻蚀阻挡层裸露出所述氧化物半导体基层位于所述沟道相对两侧的部分；
[0027]所述在所述刻蚀阻挡层上形成水氧阻隔基层的步骤，包括：
[0028]在所述刻蚀阻挡层和所述氧化物半导体基层的裸露部分上形成金属层；
[0029]对所述金属层进行热退火处理，以形成水氧阻隔基层，其中，所述氧化物半导体基层与所述金属层接触的部分导体化。
[0030]可选的，在本申请的一些实施例中，所述对所述水氧阻隔基层和所述氧化物半导体基层进行图案化处理的步骤，包括：
[0031]在同一道光罩下，对所述水氧阻隔基层和导体化后的所述氧化物半导体基层进行图案化处理，以分别形成水氧阻隔层和氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括位于所述沟道相对两侧的源极部和漏极部，所述水氧阻隔层分别裸露出所述源极部和所述漏极部。
[0032]相较于现有技术中的驱动基板，本申请提供的驱动基板通过利用水氧阻隔层对外界水氧的阻隔作用，能够降低外界水氧入侵至沟道的几率，进而可以降低对刻蚀阻挡层水氧阻隔性能的要求，避免因使用氮化硅等高水氧阻隔材料而引入氢，从而在提高TFT器件水氧阻隔性能的同时，降低了TFT器件产生负漂的几率，进而有利于提高驱动基板的驱动性能，以提高驱动基板的信赖性。
附图说明
[0033]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0034]图1是本申请提供的驱动基板的结构示意图。
[0035]图2是本申请提供的驱动基板的薄膜晶体管的平面结构示意图。
[0036]图3是现有技术中的驱动基板的结构示意图。
[0037]图4是本申请提供的驱动基板的制备方法的流程示意图。
[0038]图5A至图5H是图4所示的驱动基板的制备方法中各阶段依次得到的结构示意图。
具体实施方式
[0039]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种驱动基板，其特征在于，包括：基底；氧化物半导体层，设置在所述基底上，所述氧化物半导体层包括沟道；刻蚀阻挡层，设置在所述氧化物半导体层上，所述刻蚀阻挡层覆盖所述沟道；以及水氧阻隔层，设置在所述刻蚀阻挡层上，所述水氧阻隔层于所述基底所在平面的正投影与所述沟道于所述基底所在平面的正投影至少部分重叠。2.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述沟道于所述基底所在平面的正投影位于所述水氧阻隔层于所述基底所在平面的正投影内。3.根据权利要求2所述的驱动基板，其特征在于，所述氧化物半导体层还包括位于所述沟道相对两侧的源极部和漏极部，所述水氧阻隔层覆盖所述刻蚀阻挡层，并裸露出所述源极部和所述漏极部；所述驱动基板还包括源极和漏极，所述源极和所述漏极均设置在所述水氧阻隔层远离所述刻蚀阻挡层的一侧，所述源极与所述源极部连接，所述漏极与所述漏极部连接。4.根据权利要求3所述的驱动基板，其特征在于，所述源极部的材料和所述漏极部的材料均为导体。5.根据权利要求4所述的驱动基板，其特征在于，所述驱动基板还包括栅极，所述栅极位于所述基底和所述氧化物半导体层之间，自所述源极朝向所述漏极的方向，所述栅极的宽度小于或等于所述水氧阻隔层的宽度。6.根据权利要求5所述的驱动基板，其特征在于，自所述源极朝向所述漏极的方向，所述栅极的宽度大于或等于所述刻蚀阻挡层的宽度。7.根据权利要求5所述的驱动基板，其特征在于，自所述源极朝向所述漏极的方向，所述栅极的宽度等于所述沟道的长度。8.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料包括氧化硅，所述水氧阻隔层的材料包括金属氧化物...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗传宝，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：