TFT基板及其制备方法、显示面板和显示装置制造方法及图纸

本申请涉及一种TFT基板及其制备方法、显示面板和显示装置。该TFT基板包括基底层和反光组件，反光组件与基底层连接，且反光组件用于反射部分穿过基底层的背光光线。本申请中TFT基板被背光组件发出的背光光线穿过，部分背光光线穿过基底层后被反光组件反射，故降低了TFT基板受到的背光光线量，从而降低TFT基板中光生载流子的增加量，因此降低TFT基板的漏电几率，也就降低了显示面板的功耗。也就降低了显示面板的功耗。也就降低了显示面板的功耗。

【技术实现步骤摘要】
TFT基板及其制备方法、显示面板和显示装置


[0001]本申请涉及显示
，特别是涉及TFT基板及其制备方法、显示面板和显示装置。

技术介绍

[0002]液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，成为显示装置中的主流。传统的LTPS(低温多晶硅)显示技术，由于其较高载流子迁移率可以使薄膜晶体管获得更高的开关电流比，提高面板开口率，改善面板亮点和高分辨率，降低面板功耗的效果，从而获得更好的视觉体验。
[0003]随着显示领域的发展，柔性显示技术也得到了越来越多的关注，用于柔性显示的透明TFT基板制作工艺也至关重要。由于传统低温多晶硅TFT的制程工序较多，工艺也较复杂，使得氧化物TFT基板成为目前柔性显示技术的主流发展方向。但现有的氧化物TFT基板也存在着一定的不足，例如：显示装置的背光亮度越来越高，背光亮度提高后TFT基板中光生载流子也相应增加，从而导致TFT基板更容易发生漏电，也就导致显示面板的功耗增加。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对现有氧化物TFT基板因背光亮度提高导致漏电的问题，提供一种TFT基板及其制备方法、显示面板和显示装置。
[0005]为了实现上述目的，一方面，本申请实施例提供了一种TFT基板，所述TFT基板包括：
[0006]基底层；以及
[0007]反光组件，与所述基底层连接，且所述反光组件用于反射部分穿过所述基底层的背光光线。
[0008]可选的，所述反光组件包括透明金属层，所述基底层及所述透明金属层沿第一方向依次设置，所述第一方向与穿过所述TFT基板的背光光线的方向平行。
[0009]可选的，所述反光组件还包括氧化铝层，所述基底层、所述氧化铝层和所述透明金属层沿第一方向依次设置。
[0010]可选的，所述反光组件还包括第一介电层和第二介电层，所述基底层、所述第一介电层、所述透明金属层和所述第二介电层沿第一方向依次设置。
[0011]可选的，所述第一介电层、所述透明金属层和所述第二介电层沿第一方向依次层叠设置。
[0012]可选的，所述反光组件还包括第一透明电极层，所述基底层、所述第一透明电极层、所述第一介电层、所述透明金属层和所述第二介电层沿第一方向依次设置；其中，所述第一透明电极层内掺杂有银、铂金、氧化铝锌或氧化铟锡中的一种或多种。
[0013]可选的，所述基底层为柔性基底层。
[0014]另一方面，本申请实施例还提供了一种TFT基板的制备方法，所述TFT基板为上述
任一所述的TFT基板，所述制备方法包括以下步骤：
[0015]在基底层上形成薄膜层；
[0016]在所述薄膜层上形成第一电极层；
[0017]在所述电极层上形成绝缘层；
[0018]在所述绝缘层上形成半导体层；
[0019]在所述半导体层上形成第二电极层；
[0020]在所述第二电极层上形成第一介电层；
[0021]在所述第一介电层上形成透明金属层；
[0022]在所述透明金属层上形成第二介电层。
[0023]另一方面，本申请实施例还提供了一种显示面板，包括上述任一所述的TFT基板。
[0024]另一方面，本申请实施例还提供了一种显示装置，包括上述任一所述的显示面板。
[0025]上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点和有益效果：
[0026]本申请提供一种TFT基板及其制备方法、显示面板和显示装置中，TFT基板被背光组件发出的背光光线穿过，部分背光光线穿过基底层后被反光组件反射，故降低了TFT基板受到的背光光线量，从而降低TFT基板中光生载流子的增加量，因此降低TFT基板的漏电几率，也就降低了显示面板的功耗。
附图说明
[0027]图1为本申请实施提供的TFT基板的结构示意图。
[0028]图2为本申请实施提供的TFT基板的制备方法的流程图。
具体实施方式
[0029]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。
[0030]需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件并与之结合为一体，或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“层叠”、“一侧”、“另一侧”以及类似的表述只是为了说明的目的。此外，本申请所提到的“第一”及“第二”等序号用语并不代表任何顺序、数量或者重要性，只是用于区分不同的部分。
[0031]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0032]目前，显示装置的背光亮度越来越高，背光亮度提高后现有的显示装置中氧化物TFT基板中光生载流子也相应增加，从而导致TFT基板更容易发生漏电，最终导致显示面板的功耗增加。
[0033]本专利技术还提供一种TFT基板，该TFT基板包括基底层11和反光组件，反光组件与基底层11连接，且反光组件用于反射部分穿过基底层11的背光光线。
[0034]本申请中TFT基板被背光组件发出的背光光线穿过，部分背光光线穿过基底层11
后被反光组件反射，故降低了TFT基板受到的背光光线量，从而降低TFT基板中光生载流子的增加量，因此降低TFT基板的漏电几率，也就降低了显示面板的功耗。
[0035]示例性的请参阅图1，图1是本揭示实施例的显示面板的结构示意图。上述反光组件包括透明金属层18，基底层11及透明金属层18沿第一方向依次设置，第一方向与穿过TFT基板的背光光线的方向平行。
[0036]示例性的再如图1所示，上述反光组件还包括氧化铝层12，该基底层11、氧化铝层12和透明金属层18沿第一方向(第一方向如图1中箭头X的方向)依次设置。如此设置后氧化铝层12可以与透明金属层18形成第一反射层，该第一反射层可以反射穿过基底层11的部分背光光线，从而降低TFT基板中光生载流子的增加量，也就降低了TFT基板的漏电几率，降低显示面板的功耗。本申请中氧化铝层12可以为一层氧化铝薄膜，其中氧化铝薄膜的厚度为5nm
‑
7nm，但不限于此。
[0037]示例性的如图1所示，上述反光组件还包括第一介电层17和第二介电层19，基底层11、第一介电层17、透明金属层18和第二介电层19沿第一方向依次设置。如此设置后第一介电层17、透明金属层18和第二介电层19形成第二反射层，该第二反射层可以反射穿过基底层11的部分背光光线，从而降低TFT基板中光生载流子的增加量，也就降低了TFT基板本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种TFT基板，其特征在于，所述TFT基板包括：基底层；以及反光组件，与所述基底层连接，且所述反光组件用于反射部分穿过所述基底层的背光光线。2.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述反光组件包括透明金属层，所述基底层及所述透明金属层沿第一方向依次设置，所述第一方向与穿过所述TFT基板的背光光线的方向平行。3.根据权利要求2所述的TFT基板，其特征在于，所述反光组件还包括氧化铝层，所述基底层、所述氧化铝层和所述透明金属层沿第一方向依次设置。4.根据权利要求2或3所述的TFT基板，其特征在于，所述反光组件还包括第一介电层和第二介电层，所述基底层、所述第一介电层、所述透明金属层和所述第二介电层沿第一方向依次设置。5.根据权利要求4所述的TFT基板，其特征在于，所述第一介电层、所述透明金属层和所述第二介电层沿第一方向依次层叠设置。6.根据权利要求5所述的TFT基板，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨慧，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：