薄膜晶体管、显示面板、显示器及薄膜晶体管的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管、显示面板、显示器及薄膜晶体管的制备方法，该薄膜晶体管包括基底结构；有源层，有源层包括通道层、第一导电层和第二导电层，通道层设置于基底结构上，第一导电层和第二导电层分别设置于通道层的两端；源极，设置于基底结构和第一导电层上；漏极，设置于基底结构和第二导电层上；其中，在源极和漏极之间暴露部分所述通道层。本发明专利技术的所提供的薄膜晶体管不仅可以避免通道层的界面因刻蚀用于形成源极和漏极的金属材料造成损伤的现象出现，同时还可以降低源极与第一导电层之间的势垒高度、漏极与第二导电层之间的势垒高度，从而提高了最终制备的器件的开态电流及整体电性性能。流及整体电性性能。流及整体电性性能。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、显示面板、显示器及薄膜晶体管的制备方法


[0001]本专利技术属于显示
，具体涉及一种薄膜晶体管、显示面板、显示器及薄膜晶体管的制备方法。

技术介绍

[0002]随着信息技术的发展，人们对显示装置的需求得到了快速的增长。为了满足这种需求，以液晶显示器(LCD，Liquid Crystal Display)、等离子体显示器(PDP，Plasma Display Panel)、有机发光显示器件(OLED，Organic Light Emitting Diode)为代表的显示装置都得到了迅猛地发展。
[0003]随着显示器行业的发展，特别是应用于OLED的电流驱动，要求TFT((Thin Film Transistor)是薄膜晶体管)具有较高的迁移率和更佳的稳定性。在目前制备TFT技术中，相较于A-Si(非晶硅)，LTPS(Low Temperature Poly-Silicon，低温多晶硅)与MOSTFT(金属氧化物半导体薄膜晶体管)所制备的TFT均具有较高的迁移率，能达到比较高的开电流。但是LTPS仍有较大的漏电流，且制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基底结构；有源层，所述有源层设置于所述基底结构上，所述有源层包括通道层、第一导电层和第二导电层，其中，所述通道层设置于所述基底结构上，所述第一导电层和所述第二导电层分别设置于所述通道层的两端，且所述第一导电层和所述第二导电层的材料相同；源极，所述源极设置于所述基底结构和所述第一导电层上，且所述源极覆盖所述第一导电层的上表面；漏极，所述漏极设置于所述基底结构和第二导电层上，且所述漏极覆盖所述第二导电层的上表面；其中，在所述源极和所述漏极之间暴露部分所述通道层。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一导电层和所述第二导电层的导电性大于所述通道层的导电性。3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述通道层的材料为三元或四元金属氧化物半导体材料。4.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一导电层和所述第二导电层的材料为二元或三元金属氧化物半导体材料。5.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至4任一项所述的薄膜晶体管。6.一种显示器，其特征在于，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡奇哲，梁靖靖，吴威谚，
申请(专利权)人：咸阳虹微新型显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：