阵列基板和显示面板制造技术

本申请实施例公开了一种阵列基板和显示面板，包括：基板、薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述基板上，所述薄膜晶体管包括有源层，以及遮光层，所述遮光层设置在所述基板上，所述遮光层遮挡所述有源层，所述遮光层的材料包括硅半导体材料；采用遮光层遮蔽有源层，可以大大提高薄膜晶体管的光稳定性，延长薄膜晶体管的使用寿命。体管的使用寿命。体管的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板和显示面板


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种阵列基板和显示面板。

技术介绍

[0002]在对现有技术的研究和实践过程中，本申请的专利技术人发现，薄膜晶体管因其制程简单、可低温沉积、高迁移率、低工作电压、透明及均匀性较佳等优点，成为各大科研院校和面板企业研究开发的热点，目前常见的薄膜晶体管结构有顶栅结构、底栅结构和背沟道蚀刻结构。在上述常见的薄膜晶体管中，有源层的光稳定性是影响现有薄膜晶体管寿命重要指标。因此提供一种能够有效遮光的薄膜晶体管将会极大提高现有薄膜晶体管的使用寿命。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供一种阵列基板和显示面板，可以有效遮蔽射向有源层的光，提高薄膜晶体管的使用寿命。
[0004]本申请实施例提供一种阵列基板，包括：
[0005]基板；
[0006]薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述基板上；所述薄膜晶体管包括有源层，以及
[0007]遮光层，所述遮光层设置在所述基板上；所述遮光层遮挡所述有源层；所述遮光层的材料包括硅半导体材料。
[0008]可选的，在本申请的一些实施例中，所述薄膜晶体管还包括与所述有源层异层设置的栅极，所述栅极设置在所述有源层上；
[0009]可选的，在本申请的一些实施例中，所述遮光层与所述有源层异层设置，且所述有源层设置在所述遮光层的上方。
[0010]可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括缓冲层和钝化层；所述薄膜晶体管还包括栅极绝缘层、层间介电层、源极和漏极；
[0011]可选的，在本申请的一些实施例中，所述缓冲层设置在所述遮光层上；所述有源层设置在所述缓冲层上；所述栅极绝缘层设置在所述有源层上；所述栅极设置在所述栅极绝缘层上；
[0012]可选的，在本申请的一些实施例中，所述层间介电层覆盖所述有源层、所述栅极绝缘层和所述栅极，所述层间介电层设置有第一通孔和第二通孔；
[0013]可选的，在本申请的一些实施例中，所述源极通过所述第一通孔和所述有源层的部分接触，所述漏极通过所述第二通孔与所述有源层的部分接触；所述钝化层设置在层间介电层上。
[0014]可选的，在本申请的一些实施例中，所述薄膜晶体管还包括与所述有源层异层设置的栅极，所述有源层设置在所述栅极上；
[0015]可选的，在本申请的一些实施例中，所述遮光层与所述有源层异层设置，且所述有源层形成在所述遮光层的上方。
[0016]可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括钝化层和电极；所述薄膜晶体管还包括栅极绝缘层、源极和漏极；
[0017]可选的，在本申请的一些实施例中，所述栅极绝缘层设置在所述栅极上；所述源极和所述漏极同层设置在所述有源层上；
[0018]可选的，在本申请的一些实施例中，所述钝化层覆盖所述栅极绝缘层、所述遮光层、所述有源层、所述源极和所述漏极；所述钝化层上设置有通孔；
[0019]可选的，在本申请的一些实施例中，所述电极通过所述通孔与所述漏极接触。
[0020]可选的，在本申请的一些实施例中，所述薄膜晶体管还包括与所述有源层异层设置的栅极，所述有源层设置在所述栅极上；
[0021]可选的，在本申请的一些实施例中，所述遮光层与所述有源层异层设置，且所述遮光层设置在所述有源层的上方。
[0022]可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括第一钝化层、色阻和第二钝化层；所述薄膜晶体管还包括栅极绝缘层、源极和漏极；
[0023]可选的，在本申请的一些实施例中，所述栅极绝缘层设置在所述栅极和所述有源层之间；所述源极和所述漏极同层设置且连接在所述有源层上；
[0024]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一钝化层覆盖所述源极、所述漏极、所述栅极绝缘层和所述有源层；所述色阻设置在所述第一钝化层上；所述第二钝化层设置在所述色阻上；所述遮光层设置在所述第二钝化层上。
[0025]可选的，在本申请的一些实施例中，所述遮光层的材料还包括遮光金属材料；所述遮光层遮盖所述有源层。
[0026]可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括钝化层；所述薄膜晶体管还包括栅极绝缘层、源极和漏极；
[0027]可选的，在本申请的一些实施例中，所述栅极绝缘层设置在所述栅极和所述有源层之间；
[0028]可选的，在本申请的一些实施例中，所述钝化层覆盖所述源极、所述漏极、所述栅极绝缘层和所述有源层；所述遮光层设置在所述钝化层上。
[0029]可选的，在本申请的一些实施例中，所述遮光层的材料还包括遮光金属材料；所述遮光层遮盖所述有源层。
[0030]相应的，本申请还涉及一种显示面板，所述显示面板包括对侧基板、如上述实施例的阵列基板和设置在所述阵列基板和所述对侧基板之间的液晶层。
[0031]本申请实施例采用遮光层遮蔽有源层，可以大大提高薄膜晶体管的光稳定性，延长薄膜晶体管的使用寿命。
附图说明
[0032]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附
图。
[0033]图1是本申请实施例的阵列基板的第一种结构示意图；
[0034]图2是本申请实施例的阵列基板的第二种结构示意图；
[0035]图3是本申请实施例的阵列基板的转移电流特性曲线图；
[0036]图4是本申请实施例的阵列基板的第三种结构示意图；
[0037]图5是本申请实施例的阵列基板的吸收光谱；
[0038]图6是本申请实施例的阵列基板的第四种结构示意图。
[0039]附图标记说明：阵列基板100、薄膜晶体管11、栅极111、栅极绝缘层112、有源层113、源极114、漏极115、层间介电层116、基板12、遮光层13、电极14、通孔15、第一通孔151、第二通孔152、缓冲层16、钝化层17、第一钝化层171、第二钝化层172、色阻18。
具体实施方式
[0040]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
[0041]本申请实施例提供一种阵列基板，下文进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
[0042]实施例一、
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述基板上；所述薄膜晶体管包括有源层，以及遮光层，所述遮光层设置在所述基板上；所述遮光层遮挡所述有源层；所述遮光层的材料包括硅半导体材料。2.根据权利要求1所述的一种阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括与所述有源层异层设置的栅极，所述栅极设置在所述有源层上；所述遮光层与所述有源层异层设置，且所述有源层设置在所述遮光层的上方。3.根据权利要求2所述的一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括缓冲层和钝化层；所述薄膜晶体管还包括栅极绝缘层、层间介电层、源极和漏极；所述缓冲层设置在所述遮光层上；所述有源层设置在所述缓冲层上；所述栅极绝缘层设置在所述有源层上；所述栅极设置在所述栅极绝缘层上；所述层间介电层覆盖所述有源层、所述栅极绝缘层和所述栅极，所述层间介电层设置有第一通孔和第二通孔；所述源极通过所述第一通孔和所述有源层的部分接触，所述漏极通过所述第二通孔与所述有源层的部分接触；所述钝化层设置在层间介电层上。4.根据权利要求1所述的一种阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括与所述有源层异层设置的栅极，所述有源层设置在所述栅极上；所述遮光层与所述有源层异层设置，且所述有源层形成在所述遮光层的上方。5.根据权利要求4所述的一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括钝化层和电极；所述薄膜晶体管还包括栅极绝缘层、源极和漏极；所述栅极绝缘层设置在所述栅极上；所述源极和所述漏极同层设置在所述有源层上；所述钝化层覆盖所述栅极绝缘层、所述遮光层、所述有源层、所述源极...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒙艳红，
申请(专利权)人：广州华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：