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本发明的课题是在由氧化物半导体形成的薄膜晶体管(TFT)中抑制阈值电压的变动ΔVth。用于解决这样的课题的本发明的代表手段如下所述。半导体器件，其具有由氧化物半导体形成的TFT，其特征在于，上述氧化物半导体具有沟道区域104、源极区域104...
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